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在當(dāng)前的國際國內(nèi)形勢下，中國一直在加大對半導(dǎo)體芯片行業(yè)的支持力度，加強(qiáng)自主創(chuàng)新能力建設(shè)，突破關(guān)鍵核心技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片行業(yè)的自主可控和可持續(xù)發(fā)展。

ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實(shí)現(xiàn)對硅表面的精準(zhǔn)氧化。

晶面和晶向是晶體學(xué)中兩個(gè)核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系。

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢，正推動(dòng)電子設(shè)備技術(shù)革新。

自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。

芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)芯片導(dǎo)電互連。

以下是半導(dǎo)體工藝行業(yè)中常見的“黑話”（行業(yè)術(shù)語）匯總，涵蓋晶圓制造、封裝測試、設(shè)備材料等環(huán)節(jié)，幫助快速理解行業(yè)交流中的專業(yè)術(shù)語：

激光二極管(半導(dǎo)體激光器，LD)是一種將電能轉(zhuǎn)換為高功率光能的半導(dǎo)體，具有相干性高、光譜寬度窄和方向性強(qiáng)的發(fā)光特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)切割和焊接等眾多領(lǐng)域，但需要注意過電流、靜電和發(fā)熱問題。在驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)要求恰當(dāng)?shù)碾娏骺刂坪蜔峁芾恚虼私ㄗh引入激光二極管保護(hù)電路和冷卻系統(tǒng)。本文總結(jié)了使用激光二極管時(shí)需要了解的注意事項(xiàng)等內(nèi)容。

在芯片制程進(jìn)入納米時(shí)代后，一個(gè)看似矛盾的難題浮出水面：如何在不損傷脆弱納米結(jié)構(gòu)的前提下，徹底清除深孔、溝槽中的殘留物？傳統(tǒng)水基清洗和等離子清洗由于液體的表面張力會(huì)損壞高升寬比結(jié)構(gòu)中，而超臨界二氧化碳（sCO?）清洗技術(shù)，憑借其獨(dú)特的物理特性，正在改寫半導(dǎo)體清洗的規(guī)則。

本文作者：Koen Noldus，平臺(tái)架構(gòu)師，安森美模擬與混合信號(hào)事業(yè)部 半導(dǎo)體行業(yè)正以前所未有的速度發(fā)展，這主要受到人工智能（AI）、5G網(wǎng)絡(luò)、電動(dòng)汽車（EV）、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子和醫(yī)療電子等領(lǐng)域?qū)舛穗娮赢a(chǎn)品需求的推動(dòng)。為了保持領(lǐng)先地位，設(shè)計(jì)人員不斷挑戰(zhàn)芯片設(shè)計(jì)的極限，力求實(shí)現(xiàn)更小、更節(jié)能和更高性能的解決方案。在電動(dòng)汽車、由AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備和制造業(yè)等行業(yè)中，芯片性能的微小提升都可能轉(zhuǎn)化為顯著的競爭優(yōu)勢。 功耗