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在往印制板上安裝元器件時，必須選取造成損傷或疵病最小的方式進行。如注意不要對元器件引線和本體施加過大的應力。

半導體行業(yè)不斷發(fā)展，不斷推動芯片設計和制造的邊界。隨著逐漸接近傳統(tǒng)平面縮放的極限，先進封裝技術(shù)正成為持續(xù)提升性能的關(guān)鍵推動力。在這些技術(shù)中，3.5D封裝作為當前2.5D解決方案和完全3D集成之間的折中方案，正在獲得廣泛關(guān)注。本文將探討3.5D封裝的概念、優(yōu)勢、挑戰(zhàn)以及對半導體設計未來的潛在影響。

PCB HDI(高密度互連 High Density Interconnector)產(chǎn)品是現(xiàn)代電子制造業(yè)中的重要組成部分，它通過先進的微孔技術(shù)和多層結(jié)構(gòu)設計，實現(xiàn)了更高的電路密度和更短的電連接路徑。那么HDI產(chǎn)品和普通多層板產(chǎn)品有什么不同呢?我們用4層通孔 vs 4層1階1壓HDI產(chǎn)品為例從流程、疊構(gòu)、產(chǎn)品特性和產(chǎn)品要求四個方面對PCB HDI產(chǎn)品的介紹。

隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進封裝作為后摩爾時代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢，正日益受到廣泛關(guān)注。受益于AI、服務器、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等下游強勁需求，半導體封裝朝著多功能、小型化、便攜式的方向發(fā)展，先進封裝市場有望加速滲透。據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，全球先進封裝市場規(guī)模預計將從2023年的378億美元增長至2029年的695億美元，復合年增長率達到10.7%。

IC載板(封裝基板)具備高密度、高精度、高性能、小型化和輕薄化等一系列優(yōu)良特性，成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的關(guān)鍵組件。IC載板的結(jié)構(gòu)如下圖所示，在中間芯板的兩面多次壓合增層制成，其作用是為芯片提供電氣連接和機械支撐。一個完整的芯片系統(tǒng)通常由裸芯片(即晶圓片)和封裝體組成，而封裝體包括封裝基板、固封材料和引線等部分。封裝基板作為核心部分，連接裸芯片與外部電路，確保電信號的傳輸與散熱效果。同時，IC載板還具備抗高溫、高頻性能，能夠支撐未來更多電子器件的高速運算與數(shù)據(jù)處理需求。

微電子鍵合線有多種純材料和合金材料。除了圓線外，扁帶材料還可用于射頻和微波電路等特殊應用中。圓線是迄今為止最常見的，直徑小至 5 μm 的細圓線已商業(yè)化生產(chǎn)。直徑達 500 μm 的大直徑圓線用于電力應用。扁帶線的寬度范圍為 50 μm 至 1200 μm，并且有各種厚度。

在現(xiàn)代電子工業(yè)中，晶圓（Wafer）作為半導體芯片的基礎(chǔ)材料，其制造過程復雜且精細，直接決定了最終芯片的性能和質(zhì)量。晶圓制造工藝流程涵蓋了從原材料準備到最終產(chǎn)品測試的一系列步驟，每個環(huán)節(jié)都至關(guān)重要。本文將詳細介紹晶圓制造的典型工藝流程，并對一些常用名詞進行解釋。

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇遜在電爐中加熱了黏土（鋁硅酸鹽）和粉狀焦炭（碳）混合物，結(jié)果并沒有得到預期的金剛石，反而獲得了一種附著在碳上的亮綠色晶體，這種晶體硬度僅次于金剛石，因此又將這種物質(zhì)命名為金剛砂。1904年，法國猶太裔化學家亨利·莫瓦桑（Henri Moissan）在研究來自美國亞利桑那州代亞布羅峽谷的隕石樣品時發(fā)現(xiàn)了罕有的天然碳化硅礦石，并將之命名為莫桑石，因此發(fā)現(xiàn)他獲得了1906年的諾貝爾化學獎。

作為一名芯片工程師，經(jīng)常跟回來的wafer打交道，你知道一片成品的wafer具體有哪些部分組成嗎?

“ 光刻作為半導體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常，整個光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”