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MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。 一、MOS管參數(shù)詳解 1. 基本參數(shù) 額定電壓（Vrms） ：指管子所能承受的高直流電壓值。 額定電流（Is） ：指管子所能承載的大直流電流值。 高耐壓（Vsss） ：指管子能夠承受的高交流電壓峰值。 正向電阻（Rds(on)） ：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。 反向電阻（Rdg(on)） ：反向?qū)?/div>

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