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引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域，高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代（SJ-IGBT）家族新品—HGW75N65S2HEM與HKW75N65S2HEM，以650V/75A雙規(guī)格、超低損耗與智能集成設(shè)計，為中高壓應(yīng)用提供了更加高效和可靠的解決方案。01 產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù) ? ? 典型應(yīng)用? HGW75N65S2HEM：汽車高壓系統(tǒng)的“效能心臟” 新能源汽車（HEV/EV）充電系統(tǒng)：在電動汽車充電過程中，能夠提升能效，減少能量損失，確保更快的充電體驗。 DC-DC轉(zhuǎn)換器：優(yōu)化電池管

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案，預(yù)計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。

全球范圍內(nèi)，綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢席卷各個行業(yè)。其中，汽車行業(yè)所受影響尤為深遠(yuǎn)。在這場電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中，車載MOSFET作為汽車電子系統(tǒng)的核心組件，是引領(lǐng)汽車行業(yè)邁向可持續(xù)發(fā)展的重要驅(qū)動力。

近日，中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代，為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級注入強(qiáng)大動力。 2024年11月15日，中國科學(xué)院微電子研究所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊聯(lián)合空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊研制的碳化硅載荷搭乘天舟八號貨運(yùn)飛船進(jìn)入太空，開啟了空間軌道科學(xué)試驗之旅。經(jīng)過一個多月的在軌加電測試，高壓400V SiC功率器件（包括SiC二極管

據(jù)廈門日報的最新報道，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上，鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝，標(biāo)志著該項目正式進(jìn)入快速建設(shè)階段。預(yù)計在今年一季度，該項目將實現(xiàn)封頂。

功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。隨著硅（Si）基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，以禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、飽和電子速度快等優(yōu)勢，可大幅提高空間電源的傳輸功率和能源轉(zhuǎn)換效率，簡化散熱設(shè)備，降低發(fā)射成本或增加裝載容量，功率-體積比提高近5倍，滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化和輕量化需求。 中國科學(xué)院微電子研究所劉新

近日，無錫市委市政府召開無錫市場景創(chuàng)新大會，發(fā)布《2025年無錫市場景清單（第一批）》，包括30個場景機(jī)會和90個場景能力。無錫廣電計量申報的“MOSFET/IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)”和“航空設(shè)備與系統(tǒng)產(chǎn)品質(zhì)量檢驗檢測公共服務(wù)平臺”兩項場景能力成功入圍。

可控硅調(diào)壓器與變壓器是兩種在電力系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的電氣設(shè)備，它們各自具有獨(dú)特的工作原理和應(yīng)用場景。 一、產(chǎn)品含義與工作原理 可控硅調(diào)壓器 含義 ：可控硅調(diào)壓器，簡稱晶閘管調(diào)功器，是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以專用控制電路為核心的電源功率控制電器。 工作原理 ：可控硅調(diào)壓器的工作原理基于可控硅器件的控制特性。它首先將輸入電源的交流電壓通過整流變成直流電壓，然后通過直流濾波電路濾去直流電壓中的波動和

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發(fā)展，高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。在這一背景下，2025年1月8日于珠海金灣工廠京東方華燦與晶通半導(dǎo)體簽署了合作備忘錄，共同致力于寬禁帶半導(dǎo)體之氮化鎵（GaN）功率器件的研發(fā)與量產(chǎn)，以創(chuàng)新驅(qū)動行業(yè)發(fā)展，滿足市場日益增長需求。

根據(jù)日本電子情報技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(JEITA)最新公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2024年10月份日本電子零件廠的全球出貨金額同比增長0.3%，達(dá)到了3,979億日元。