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在中國(guó)，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展，國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施，在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體行業(yè)正面臨著重要的發(fā)展機(jī)遇。

美國(guó)透明度市場(chǎng)研究公司近日發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng)，2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)產(chǎn)值為3.7982億美元，并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中，軍事國(guó)防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場(chǎng)的最高份額。

PXI模組化電源測(cè)量單元（SMU）儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體（LED）、絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體 （MOSFET）等需要SMU輸出瞬間高瓦數(shù)的電源進(jìn)行測(cè)量，然高瓦數(shù)的SMU往往價(jià)格昂貴，有鑒于此，美商國(guó)家儀器（NI）發(fā)布新一代PXI模組化 SMU儀器，助力客戶(hù)大幅降低測(cè)試成本。

飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，由于增加了便攜式設(shè)備的使用，在目前的電力系統(tǒng)中，對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)（3G / LTE & LTE-A通訊網(wǎng)絡(luò)）和云系統(tǒng)的各種需求正成為核心議題。因此，針對(duì)電信基礎(chǔ)建設(shè)和計(jì)算包括云系統(tǒng)，對(duì)于能夠滿(mǎn)足來(lái)自電源管理應(yīng)用各種要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品和電子產(chǎn)品需求也已增加

　碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測(cè)器數(shù)量，已吸引愈來(lái)愈多太陽(yáng)能逆變器制造商青睞。

變化激烈的替代能源市場(chǎng)讓過(guò)去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域產(chǎn)生了動(dòng)蕩?；旌蟿?dòng)力車(chē)（HEV）與純電動(dòng)汽車(chē)（EV）的巨大潛在市場(chǎng)規(guī)?；蛟S也會(huì)為該領(lǐng)域帶來(lái)進(jìn)一步的變化，原因是HEV及EV需要能夠處理更大功率和更高熱量的技術(shù)。

Yole Developpement 指出，SJ MOSFET技術(shù)市場(chǎng)有2/3皆應(yīng)用于消費(fèi)型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機(jī)的電源供應(yīng)器，雖然這些產(chǎn)品的市場(chǎng)需求衰煺，但SJ MOSFET在其他產(chǎn)品的應(yīng)用卻如雨后春筍出現(xiàn)，其中以平板電腦的電源供應(yīng)器最具成長(zhǎng)空間，預(yù)估在2013至2018年間將有高達(dá)32%的復(fù)合年成長(zhǎng)率。

SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件，由于其開(kāi)關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn)，受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加，在2013年，這兩款器件的應(yīng)用會(huì)水漲船高。

隨著2012年第一季度即將過(guò)去，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走勢(shì)也逐漸明朗，在走訪(fǎng)了多家半導(dǎo)體廠(chǎng)商后，2012年幾大熱點(diǎn)應(yīng)用逐漸浮出水面...

IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT 器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻