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主驅(qū)采用碳化硅，綜合損耗比硅器件降低70%，行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅，器件數(shù)量減半，意味著被動(dòng)器件直接減半，且配套的驅(qū)動(dòng)電路也減少了，體積下降的同時(shí)成本也在下沉。這也是為什么OBC應(yīng)用碳化硅比驅(qū)動(dòng)應(yīng)用早的原因。

保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動(dòng)氮化鎵向更高壓、更高功率應(yīng)用領(lǐng)域邁進(jìn)。

11月10日-11日，以“灣區(qū)有你，芯向未來”為主題的“中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2023年會(huì)暨廣州集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在廣州舉辦。華虹集團(tuán)旗下華虹宏力戰(zhàn)略、市場(chǎng)與發(fā)展部副部長(zhǎng)李德紅女士應(yīng)邀出席并發(fā)表演講。 專心致志，持之以恒，秉承著20年的堅(jiān)守和不懈努力，華虹宏力始終堅(jiān)持在特色工藝領(lǐng)域不斷深耕，以打造出高品質(zhì)的產(chǎn)品為己任，將技術(shù)的積淀注入每一個(gè)細(xì)節(jié)。李德紅以“持續(xù)專注先進(jìn)‘特色I(xiàn)C+功率’，助力產(chǎn)業(yè)新生態(tài)”為主題，向

GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。

目前，非蘋果手機(jī)相關(guān)芯片廠商在本季度的運(yùn)營(yíng)狀況報(bào)喜。在華為新款手機(jī)帶來的市場(chǎng)復(fù)蘇氛圍以及新興市場(chǎng)庫(kù)存去化告一段落的情況下，這些廠商紛紛獲得更多訂單。與此同時(shí)，韓國(guó)客戶也因折疊手機(jī)銷售表現(xiàn)優(yōu)異，增加了更多訂單。因此，聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠、敦泰、天鈺、硅創(chuàng)等手機(jī)相關(guān)芯片廠商都有機(jī)會(huì)受益于客戶訂單增加的這一趨勢(shì)。

在第三代半導(dǎo)體中，碳化硅功率器件在傳導(dǎo)電阻，阻隔電壓和電容器方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件，具有更高的耐壓性能。在車用電源和電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)產(chǎn)品領(lǐng)域，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基電力配件已成為業(yè)界的發(fā)展趨勢(shì)。

10月26日，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌在深圳舉辦2023大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)（OktoberTech?，以下同)。在媒體見面會(huì)和當(dāng)天舉辦的高峰論壇上，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉重點(diǎn)介紹了英飛凌在本土推動(dòng)低碳化數(shù)字化方面的核心能力及典型應(yīng)用，英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部副總裁、英飛凌臺(tái)灣董事總經(jīng)理陳志豪則重點(diǎn)解讀了智能傳感器、MCU等在智能物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

一直以來，硅器件廠商在不斷發(fā)展，并積極擁抱轉(zhuǎn)向12英寸晶圓的趨勢(shì)，以提升產(chǎn)能并降低單顆裸芯的成本。硅晶圓也可用于傳感器等其他微電子器件，因此與從6英寸碳化硅晶圓過渡到8英寸相比，投資12英寸晶圓制造設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn)更低。

雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛，所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也是非常強(qiáng)烈的。