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碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；800V時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間。

是的！眾所周知，第三代半導(dǎo)體（以氮化鎵GaN和碳化硅SiC為主），憑借在電子遷移率、功率密度、熱穩(wěn)定性等方面具有優(yōu)異的性能，可以用于制造高效、高速、高溫、高頻的電子器件，成為了替代傳統(tǒng)硅，為電力電子系統(tǒng)實現(xiàn)巨大跨越的理想材料。

陜西光電子先導(dǎo)院先進光子器件工程創(chuàng)新平臺在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測等全流程技術(shù)服務(wù)，為光子產(chǎn)業(yè)各類創(chuàng)新主體打通從產(chǎn)品研發(fā)到市場化批量供貨的完整鏈條。

不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

4月26日，長電科技舉辦2023年第二期線上技術(shù)論壇，主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用，與業(yè)界交流長電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗與創(chuàng)新。

目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？

碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小，性能越來越好，所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加，使其成為HEV電力驅(qū)動裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅(qū)動系統(tǒng)的體積、重量和成本，提高電機驅(qū)動的功率密度，從而增加電動車的行駛里程。

在億萬斯年的歷史長河中，提出問題與解決問題一直是推動人類文明進步的主要動力。作為太陽系唯一的文明，人類不斷運用智慧解決各種難題，從電、電話、無線電到計算機、半導(dǎo)體、汽車、新能源車、航天飛船、人工智能等的發(fā)明，這些都徹底改變了人類的世界。而未來的世界中，還將會有更多未知的挑戰(zhàn)等待人類去探索和解決。

縱觀MCU市場，2023年1月表現(xiàn)強勁，超過了去年同月21.9%的增幅和2022年12月14.8%的增幅。特別是汽車MCU，2023年1月的銷售額增長了28.2%，2022年12月增長了25.8%。半導(dǎo)體的衰退似乎已經(jīng) "吹過"。然而，短缺問題似乎即將結(jié)束，延長的交貨時間正在恢復(fù)正常。

功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一， 能夠?qū)崿F(xiàn)對電能的處理、轉(zhuǎn)換及控制，主要包括功率二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET 等 產(chǎn)品。