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寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

近日，世強先進（深圳）科技股份有限公司（下稱“世強先進”）與三家芯片供應(yīng)商——沁恒、中科億海微、恒沁微，一家集成電路供應(yīng)商——華冠半導(dǎo)體，以及一家功率器件供應(yīng)商——世晶半導(dǎo)體，簽署授權(quán)代理協(xié)議，進一步豐富其IC和分立器件品牌選擇。

最近在推進寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進展，這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關(guān)頻率，以及它們因此能夠提高開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。大多數(shù)市售的 WBG 功率器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應(yīng)用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應(yīng)用，包括電動汽車傳動系統(tǒng)和許多電網(wǎng)應(yīng)用。這

（文/程文智）根據(jù)乘聯(lián)會的統(tǒng)計，6月份新能源汽車零售量53.2萬輛，同比增長187%，滲透率達(dá)到了27.4%，預(yù)計2022年中國新能源汽車出貨量可達(dá)585萬輛，行業(yè)呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢。新能源汽車的銷量節(jié)節(jié)攀升，帶動了MOSFET、IGBT及SiC等車規(guī)級功率器件需求的快速增長。 ? 據(jù)市場反饋，應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛，安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單，英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子2022Q2市場行情報告，功率器件（MOSFET，IGBT）多數(shù)貨期

據(jù)市場反饋，應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛，安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單，英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子2022Q2市場行情報告，功率器件（MOSFET，IGBT）多數(shù)貨期在30~60周，且仍有上升的趨勢。

羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù)，從生態(tài)角度看待制造業(yè) Rohm Semiconductor USA 總裁 Jay Barrus 和技術(shù)營銷經(jīng)理 Ming Su 在接受 EE Times 采訪時強調(diào)了 SiC 技術(shù)如何在?電動汽車 (EV)?和工業(yè)設(shè)備中發(fā)展，以及 Rohm 如何繼續(xù)在這方面進行投資區(qū)域。Barrus 和 Su 表示，Rohm 正在努力通過增加晶圓尺寸直徑來提高制造效率 “從一般角度來看，要

有線電視提供商在升級網(wǎng)絡(luò)時要把握好分寸。他們需要在不降低性能和可靠性的情況下，滿足客戶對容量的需求。很多提供商借助 GaN 技術(shù)來保持平衡，原因如下。

據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。

GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于SiC，GaN在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設(shè)計 GaN器件設(shè)計根據(jù)類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大

以SiC市場為例，美國在SiC 領(lǐng)域全球獨大，美國Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、Transphorm、道康寧等行業(yè)巨頭占據(jù)了全球70%以上的市場份額。