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近年來，一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來，雙方將合作攻克氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等一系列挑戰(zhàn)，讓優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域，一起為未來科技充電！

在GaN功率晶體管價格不斷下降（目前已逼近約1美元），以及技術(shù)方案愈趨成熟的態(tài)勢下，預(yù)估至2025年GaN在整體快充領(lǐng)域的市場滲透率將達(dá)52%。

力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結(jié)合使用時，可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。

美國最大、發(fā)展最快的正畸牙科支持組織（“OSO”）微笑醫(yī)生，擁有超過 295 個地點，宣布來自 Thomas H. Lee Partners 的戰(zhàn)略投資， LP （“THL”），一家投資于成長型公司的一流私募股權(quán)公司。

繼2月份英飛凌漲價函后，意法半導(dǎo)體再發(fā)調(diào)價通知函，宣布Q2全線產(chǎn)品漲價，包括現(xiàn)有尚未生產(chǎn)出貨的產(chǎn)品價格。給出的理由是全球半導(dǎo)體持續(xù)短缺，經(jīng)濟(jì)和地緣政治形勢嚴(yán)重影響了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，加上原材料成本，以及能源和物流成本的提升，意法半導(dǎo)體自己無法完全吸收，智能傳遞給下游企業(yè)，大家一起承擔(dān)。

鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量（實現(xiàn)脫碳），需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、SiC、GaN等次時代功率器件的存在是實現(xiàn)這一目標(biāo)的重要一環(huán)，但一旦使用不當(dāng)則會導(dǎo)致意想不到的不良或降低可靠性，嚴(yán)重時可能會因為市場不良導(dǎo)致召回。其中尤為重要的是直接影響可靠性的熱設(shè)計。一旦發(fā)生問題，則可能會需要重新進(jìn)行器件選型，修改基板布局，重新進(jìn)行散熱設(shè)計等，從而導(dǎo)致返工工時以及成本的增加。

（文/程文智）這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，GaN器件在快充等消費(fèi)類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，碳化硅（SiC）器件則被汽車電子廠商委以重任。未來不論是800V高壓平臺，還是電機(jī)驅(qū)動器的效率提升，都需要SiC器件的深度參與。 ? 但SiC器件的生產(chǎn)流程和生產(chǎn)工藝其實門檻還挺高的，一般來說，SiC生產(chǎn)流程主要涉及以下五個過程： 一是單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成SiC晶體； 二是襯底環(huán)節(jié)，SiC晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)隨著2021年國內(nèi)芯片上市公司業(yè)績預(yù)告陸續(xù)發(fā)布，我們看到了一個繁榮的芯片設(shè)計行業(yè)。高達(dá)55%的企業(yè)凈利潤增長超過100%，四家企業(yè)增長超過1000%!在國際形勢風(fēng)云變幻的大環(huán)境下，中國芯片公司是否能持續(xù)地“風(fēng)景這邊獨(dú)好”?

用來傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”：根據(jù)分辨率優(yōu)化傳輸速率，功耗可降低27％；通過傳輸速率優(yōu)化功能和展頻功能將EMI峰值降低20dB左右；凍結(jié)檢測功能可以檢測圖像的凍結(jié)狀態(tài)，提高整個ADAS系統(tǒng)可靠性。

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))驅(qū)動這個話題一直是我們重點關(guān)注的領(lǐng)域，在眾多驅(qū)動中，IGBT的驅(qū)動肯定是極具話題性的一類。IGBT驅(qū)動可以說直接決定了IGBT元件的性能能否充分發(fā)揮。我們都知道，能夠讓功率器件保持在最大輸出功率上那當(dāng)然是最好的，但是往往驅(qū)動是沒法這么穩(wěn)定的，如果不提前開始保護(hù)，那么將難以確保真正發(fā)生過流時是否能可靠關(guān)斷IGBT。