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回顧過(guò)去五六十年，先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來(lái)提升。提升的主要?jiǎng)恿?lái)自三極管數(shù)量的增加來(lái)實(shí)現(xiàn)，而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作用。隨著SOC的尺寸逐步逼近光罩孔極限尺寸(858mm2)以及制程的縮小也變得非常艱難且性價(jià)比遇到挑戰(zhàn), 多芯片封裝技術(shù)來(lái)到了舞臺(tái)的中心成為進(jìn)一步提...
系統(tǒng)級(jí)封裝 (System in Package, SiP）是指將單個(gè)或多個(gè)芯片與各類元件通過(guò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)及特定的封裝工藝集成于單一封裝體或模塊，從而實(shí)現(xiàn)具完整功能的電路集成，如圖 7-115 所示。與系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC）常用于集成數(shù)字及邏輯電路不同，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）更適用于無(wú)法（或非常困難）在單...
半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展，集成電路的密度將越來(lái)越高，且尺寸越來(lái)越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱，熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高，隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高...
由于GRE報(bào)文為明文封裝，在網(wǎng)絡(luò)中傳輸容易被監(jiān)聽(tīng)導(dǎo)致信息泄漏。基于此，本案例提供一種方案，使用NAT技術(shù)隱藏客戶端源地址。...
板級(jí)埋人式封裝是一種在基板制造工藝的基礎(chǔ)上融合芯片封裝工藝及 SMT工藝的集成封裝技術(shù)，既可以是單芯片封裝、多芯片封裝，也可以是模組封裝、堆疊封裝。與傳統(tǒng)封裝中在基板表面貼裝芯片或元件不同，板級(jí)埋人式封裝直接將芯片或元件嵌人基板中間，因此它具有更短的互連路徑、更小的體積、更優(yōu)的電熱性能及更高的集成度...
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。...
封裝基板作為半導(dǎo)體封裝的載體，為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐和散熱。...
三維封裝通過(guò)非 WB 互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片間的高密度封裝，為微電子系統(tǒng)封裝在三維空間開辟了一個(gè)新的發(fā)展方向，可以有效地滿足高功能芯片超輕、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求"。該技術(shù)主要應(yīng)用在高速計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和GPU 等系統(tǒng)芯片中。傳統(tǒng)二維封裝與三維封裝對(duì)比示意圖如圖所示。...
EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性，以便在后續(xù)的刻蝕過(guò)程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性，研究人員正在開發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑，以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。...
將半導(dǎo)體芯片壓焊區(qū)與框架引腳之間用鋁線連接起來(lái)的封裝工藝技術(shù)!季豐電子所擁有的ASM綁定焊線機(jī)AB550為桌面式焊線機(jī)，其為全自動(dòng)超聲波焊線機(jī)，應(yīng)用于細(xì)鋁線的引線鍵合，主要應(yīng)用于COB及PCB領(lǐng)域。...
隨著半導(dǎo)體封裝尺寸日益變小，普遍應(yīng)用于大功率器件上的粗鋁線鍵合技術(shù)不再是可行的選擇。...
晶圓測(cè)試的方式主要是通過(guò)測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)的聯(lián)動(dòng)，在測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試機(jī)臺(tái)并不能直接對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行量測(cè)，而是透過(guò)探針卡（Probe Card）中的探針（Probe）與晶圓上的焊墊（Pad）或凸塊（Bump）接觸而構(gòu)成電性接觸。...
硅通孔（TSV） 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一?；?TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。...
扇出型圓片級(jí)封裝（FoWLP）是圓園片級(jí)封裝中的一種。相對(duì)于傳統(tǒng)封裝圓片級(jí)封裝具有不需要引線框、基板等介質(zhì)的特點(diǎn)，因此可以實(shí)現(xiàn)更輕、薄短、小的封裝。扇出型圓片級(jí)封裝也可以支持多芯片、2.5D/3D 和系統(tǒng)級(jí)封裝(SP)。扇出型圓片級(jí)封裝可以徹底去除芯片和封裝的連接環(huán)節(jié)（既不需要打線，也不需要凸塊），...
先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來(lái)提升。提升的主要?jiǎng)恿?lái)自三極管數(shù)量的增加來(lái)實(shí)現(xiàn)，而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作用。...
對(duì)于BGA扇孔，同樣過(guò)孔不宜打孔在焊盤上，推薦打孔在兩個(gè)焊盤的中間位置。很多工程師為了出線方便，隨意挪動(dòng)BGA里面過(guò)孔的位置，甚至打在焊盤上面...
IC的發(fā)熱量相當(dāng)驚人，一般的CPU為2.3W，高速度、高功能的IC則可高達(dá)20.30W，藉由封裝的熱傳設(shè)計(jì)，可將IC的發(fā)熱排出，使IC在可工作溫度下（ 通常小于85C ）正常運(yùn)作c...
貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB（印刷電路板）之間的接觸，利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。...
按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。...
QFN封裝（方形扁平無(wú)引腳封裝），如圖1所示，具有良好的電和熱性能、體積小、重量輕、其應(yīng)用正在快速增長(zhǎng)，采用微型引線框架的QFN封裝稱為MLF封裝（微引線框架）。...
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