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• JesFS Flash文件系統(tǒng)：高效管理小型控制器大數(shù)據(jù)存儲新方案

  CC13xx/26xx系列處理器的Launchpad開發(fā)平臺物美價廉，配備TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以進行源代碼調(diào)試。CC13xx/26xx開發(fā)平臺配備了一片1MB的串行Flash存儲器，大小只有2mmx3mm!...

  2155次閱讀 · 0評論 控制器FlaSh數(shù)據(jù)存儲文件系統(tǒng)
  

• RDMA在高速網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用及其實現(xiàn)策略

  在大型模型應(yīng)用領(lǐng)域，要獲得最佳性能，關(guān)鍵在于精密配置，特別是當GPU與InfiniBand網(wǎng)卡協(xié)同工作時。這里參考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系統(tǒng)，它倡導了一種GPU與InfiniBand網(wǎng)卡一對一配對的設(shè)計理念，并樹立了行業(yè)標桿。...

  2404次閱讀 · 0評論 cpugpu適配器計算機網(wǎng)絡(luò)RDMA
  

• 什么是相變存儲器？如何表征相變材料及器件電學性能？

  相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。...

  2443次閱讀 · 0評論 存儲器非易失性存儲器
  

• DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

  DDR內(nèi)存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。...

  3794次閱讀 · 0評論 DRAMSDRAM存儲器DDR內(nèi)存
  

• 企業(yè)存儲設(shè)備資源劃分之存儲基礎(chǔ)實驗探究

  1.web訪問存儲管理頁面 2.創(chuàng)建硬盤域 根據(jù)業(yè)務(wù)需求調(diào)整硬盤域 3.在硬盤域之上創(chuàng)建存儲池，分別創(chuàng)建一個文件及存儲StoragePool002和塊級存儲StoragePool001...

  697次閱讀 · 0評論 Web文件系統(tǒng)塊存儲
  

• 3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時，3D DRAM開發(fā)路線圖

  目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構(gòu)都在進行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。...

  1962次閱讀 · 0評論 處理器DRAM三星電子晶體管3D DRAM
  

• 存算一體架構(gòu)的優(yōu)勢及分類

  存內(nèi)計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術(shù)。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。...

  2835次閱讀 · 0評論 芯片DRAM邏輯電路存儲器存算一體
  

• 先進工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

  隨著AI設(shè)計對內(nèi)部存儲器訪問的要求越來越高，SRAM在工藝節(jié)點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。...

  2297次閱讀 · 0評論 CMOSDRAMsram數(shù)據(jù)中心人工智能

• 如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新

  正如我們在最初涉足Celestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時所討論的那樣，該公司的零件分為三大類：小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學旋轉(zhuǎn)，稱為OMIB。...

  1297次閱讀 · 0評論 芯片交換機HBMDDR5

• 韓國研究團隊開發(fā)新型超低功耗存儲設(shè)備

  DRAM是最常用的存儲器之一，速度非?？欤哂幸资蕴匦?，當電源關(guān)閉時，數(shù)據(jù)會消失。NAND閃存是一種存儲設(shè)備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時也能保存數(shù)據(jù)。...

  769次閱讀 · 0評論 閃存DRAMNAND存儲器
  

• 一文解析NAND的閃存接口ONFI

  ONFI 由100多家制造、設(shè)計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺以及其他需要大容量固態(tài)存儲的應(yīng)用程序中的過程。...

  11952次閱讀 · 0評論 控制器NAND閃存芯片閃存接口
  

• DDR SDRAM和SDRAM功能及結(jié)構(gòu)差異

  在計算機運算速度發(fā)展的過程中，需要提高內(nèi)存的讀寫速率，只能通過提高時鐘頻率來提高SDRAM的讀寫速率。由于溫度等因素的影響，SDRAM的內(nèi)核時鐘頻率受限，無法進一步提升。...

  3757次閱讀 · 0評論 SDRAM寄存器接收器時鐘信號DDR SDRAM
  

• 工業(yè)級存儲：工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵要素與挑戰(zhàn)解析

  工業(yè)級存儲的廣泛應(yīng)用范圍涵蓋了工業(yè)PLC、工業(yè)HMI、工業(yè)網(wǎng)關(guān)、電力數(shù)據(jù)采集器、電力通訊管理器、工業(yè)控制、能源電力、軌道交通、電力DTU、運動控制器等多個領(lǐng)域，并在這些領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。...

  1625次閱讀 · 0評論 風力發(fā)電機工業(yè)控制存儲芯片
  

• 超快移動固態(tài)硬盤是什么極速體驗？

  如果選擇常規(guī)的 USB?C 接口，那么速度將限制在 1000MB/s 左右。例如體驗期間同時使用了 MacBook?Pro?16 (M1?Pro，2021) 進行測試，英睿達 X10?Pro 的順序讀取速度在 900MB/s，寫入速度在 850MB/s，性能與英睿達 X9?Pro 基本一致。...

  1867次閱讀 · 0評論 usb移動硬盤固態(tài)硬盤英睿達

• 一文解析DARM工藝流程

  DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的工藝流程包括多個關(guān)鍵步驟。...

  11705次閱讀 · 0評論 電容晶圓存儲單元光刻晶圓制備
  

• NAND存儲種類和優(yōu)勢

  非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。...

  2297次閱讀 · 0評論 閃存NAND非易失性存儲器快閃存儲器
  

• 什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

  Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。...

  5223次閱讀 · 0評論 處理器DRAM人工智能內(nèi)存控制器HBMHBM3E
  

• 3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

  溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導電材料，它們在每個存儲層之間形成導電通道，從而使電子能夠在在存儲單元間移動，進行讀取、寫入和擦除操作。...

  2842次閱讀 · 0評論 刻蝕3d nand
  

• 3D NAND的主要制作流程

  SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數(shù)。...

  3725次閱讀 · 0評論 3d nand芯片制程
  

• JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專供顯卡與GPU使用

  三星電子和SK海力士計劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。...

  2200次閱讀 · 0評論 DRAM三星電子內(nèi)存JEDEC圖形處理
  
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