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要想掌握差分放大電路，首先就要知道什么是差分放大電路以及它的作用。差分放大電路是模擬集成運(yùn)算放大器輸入級(jí)所采用的的電路形式，差分放大電路是由對(duì)稱的兩個(gè)基本放大電路，通過(guò)射極公共電阻耦合構(gòu)成的，對(duì)稱的意思就是說(shuō)兩個(gè)三極管的特性都是一致的，電路參數(shù)一致，同時(shí)具有兩個(gè)輸入信號(hào)。...
晶體三極管是控制電流的半導(dǎo)體器件，工作原理是通過(guò)在三極管的兩端施加合適電壓來(lái)控制三極管另一端的電流，主要作用是用于開(kāi)關(guān)、放大等。...
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。...
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，來(lái)自巴西坎皮納斯州立大學(xué)（State University of Campinas）以及巴西國(guó)家生物分析科學(xué)技術(shù)研究所（National Institute of Science and Technology of Bioanalytics）的研究人員在Micromachin...
TVS(Transient Voltage Suppressors)二極管，是在齊納二極管工藝基礎(chǔ)上發(fā)明的一種新型高效電路保護(hù)元器件，亦稱TVS管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)電壓抑制器、雪崩擊穿二極管等，有單向和雙向之分。當(dāng)TVS二極管的兩端經(jīng)受瞬間高能量沖擊時(shí)，它以PS秒級(jí)的速度把兩...
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。...
集成元器件，顧名思義就是其內(nèi)部是由各類功能模塊電路組成，功能簡(jiǎn)單一點(diǎn)的集成芯片集成的模塊少一點(diǎn)，功能復(fù)雜的就集成多一點(diǎn)，我們這節(jié)內(nèi)容的主角運(yùn)算放大器就是一個(gè)小小的集成芯片，我們前面內(nèi)容里說(shuō)到三極管時(shí)講了它具有電流放大的特性，想想，如果用多個(gè)三極管做成一個(gè)特定的放大電路是不是就可以用在特定場(chǎng)合了呢？...
場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：field-effect transistor，縮寫(xiě)：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。...
雙極性晶體管的全稱為雙極性結(jié)型晶體管，也就是我們常說(shuō)的三極管。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。...
二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。...
“軌到軌（rail-to-rail）是一個(gè)用來(lái)描述運(yùn)算放大器（op amp）術(shù)語(yǔ)，指運(yùn)放輸入或者輸出信號(hào)可以接近于運(yùn)放供電電源的極值。軌到軌可以指輸出，也可以用來(lái)指輸入和輸出。...
在我們的控制系統(tǒng)中需要使用一個(gè)"模數(shù)轉(zhuǎn)換"的功能。所謂“模數(shù)轉(zhuǎn)換”，就是將模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，也就是我們經(jīng)常說(shuō)的ADC采集，其中ADC的全稱為：“Analog to Digital Converter”。我們的電路設(shè)計(jì)中，采用的電源是3S鋰電池，其電壓最大值為12.6v，最小值為...
ADC芯片首先會(huì)對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行采樣。采樣是將連續(xù)的模擬信號(hào)在一定時(shí)間間隔內(nèi)測(cè)量或記錄一組離散的樣本值。通常情況下，采樣會(huì)按照一定的采樣定理進(jìn)行，以保證采樣信號(hào)能夠準(zhǔn)確還原模擬信號(hào)。...
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。...
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體...
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)復(fù)合而成 BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :雙極性晶體管(晶體三極管)，“雙極性"是指工作時(shí)有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電。...
TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種，按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的專用型器件。如：各種交流電壓保護(hù)器、 4~200mA電流環(huán)保器、數(shù)據(jù)線保護(hù)器、同軸電纜保護(hù)器、電話機(jī)保護(hù)器等。若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為：軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列（適用多線保護(hù)）、貼片式、組件式...
三極管（BJT）是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，由兩個(gè)PN結(jié)組成，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。...
目前大家設(shè)計(jì)得最多的莫過(guò)于高速數(shù)字芯片及相關(guān)電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用，對(duì)模擬的電路部分的設(shè)計(jì)涉及得很少。這里簡(jiǎn)單介紹一下高帶寬低噪聲跨阻放大器（TIA）應(yīng)用電路的噪聲估算方法，主要涉及的參數(shù)有帶寬、增益及噪聲。...
Near Field Communication，簡(jiǎn)稱：NFC，中文名稱：近場(chǎng)通信，是一種短距離高頻的無(wú)線電技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)近距離無(wú)線通訊和數(shù)據(jù)交換...
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