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• 7款業(yè)界主流企業(yè)級SSD測評分析

  在混合70/30 4k配置（70%讀，30%寫）中，R5100遠遠超過其他競爭對手，在88.7μs的延時下實現(xiàn)了701K IOPS的峰值性能，Solidigm和Memblaze排名第二和第三。...

  4266次閱讀 · 0評論 SSDER5100

• Rambus推出DDR5系列產(chǎn)品：串行檢測集線器和溫度傳感器

  Rambus是DDR5 RCD領域的領導者，從2016年就開始了DDR5相關的研發(fā)，擁有豐富的經(jīng)驗。RCD位于DIMM的中心位置，接收來自內存控制器的命控制和地址總線上的信號。...

  2105次閱讀 · 0評論 溫度傳感器

• 致態(tài)TiPlus7100 PCIe 4.0 SSD硬件解析

  盡管致態(tài)TiPlus7100 PCIe 4.0 SSD沒有配備獨立緩存，其閃存規(guī)格其實已經(jīng)領先很多高端產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品的最高標稱順序讀寫速度可以達到7000MB/s、6000MB/s。而長江存儲自己的致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版采用的都是接口速度為1600MT/s的3D NAND顆粒。...

  4480次閱讀 · 0評論 SSD長江存儲

• 全面解析“半導體存儲”的技術

  半導體存儲器也是一個大類，它還可以進一步劃分，主要分為：易失性（VM）存儲器與非易失性（NVM）存儲器。...

  2068次閱讀 · 0評論 存儲器半導體存儲器易失性存儲器

• 談談新型存儲

  存儲器是半導體的重要市場之一，其約占據(jù)了半導體近1/3的市場份額。其中，從存儲芯片細分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額，NOR閃存占比1%，其他存儲芯片份額較小。...

  1583次閱讀 · 0評論 DRAMNANDFlaSh存儲器

• 研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內存解決方案

  研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件，可以實時監(jiān)控DRAM，提供有用的信息，包括動態(tài)內存速度、溫度和高級過熱警報，以告知用戶內存系統(tǒng)的運行健康狀態(tài)。...

  1157次閱讀 · 0評論 DRAM內存研華

• DNA存儲技術如何實現(xiàn) DNA數(shù)字數(shù)據(jù)存儲的主要步驟

  用DNA存儲信息的想法可以追溯到分子生物學出現(xiàn)的時期。生物化學家Frederick Sanger發(fā)明了Sanger測序法讓DNA序列可以測量，從此人類可以讀出以代號為A、T、C、G，排列組合而成的核苷酸序列。...

  3001次閱讀 · 0評論 存儲技術數(shù)據(jù)存儲DNA存儲

• 基于CXL技術的大內存池化方案解析

  如果 FaceBoo k平臺創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個不同的內存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務器主板之外有大量池化內存而帶來的稍高的延遲。...

  3279次閱讀 · 0評論 DRAMcpu人工智能機器學習

• 隨機存儲器RAM的工作過程及類型

  　　隨機存儲器RAM是指存儲單元的內容可按需隨意取出或存入。...

  6042次閱讀 · 0評論 DRAM存儲器sramRAM
  

• ROM只讀存儲器的優(yōu)點及類型

  　　地址譯碼器根據(jù)地址信號總線，選中相應的存儲單元。假設譯碼器有j條地址輸入線，則可以尋址2的j次方個存儲器單元，則存儲矩陣由2的j次方個存儲器單元組成，每個存儲單元為k位。...

  7030次閱讀 · 0評論 存儲器ROMEPROM只讀存儲器
  

• 存儲器的常見種類

  存儲器是計算機結構的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。基本的存儲器種類見圖基本存儲器種類。...

  9647次閱讀 · 0評論 DRAMSDRAMFlaSh存儲器
  

• DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術的區(qū)別

  相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉變——例如結晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉變——以及相關的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。...

  4378次閱讀 · 0評論 相變存儲器DRAMNand flash

• 致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版SSD實戰(zhàn)測試

  從致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版的設計上，我們也能看到致態(tài)的努力，它不是簡單地僅僅刻上《三體》的經(jīng)典名句而已，其散熱器由厚達5毫米的鋁制材質打造，全封閉設計，散熱器每一面都鋪設了0.5毫米厚的導熱膠，可以快速導出SSD兩面產(chǎn)生的熱量。...

  1834次閱讀 · 0評論 處理器SSDZen4PCIe5.0

• 基于三維阻變存儲器的存算一體技術

  近年來，隨著芯片工藝制造的進步，工藝制程逐漸接近物理極限，深度神經(jīng)網(wǎng)絡的發(fā)展使得計算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升。具有高密度，非易失，易加工等優(yōu)點的阻變存儲器(RRAM)，被認為是最具代表性的新型存儲器之一，是低功耗，低成本、高算力兼?zhèn)涞睦硐脒x擇。...

  1734次閱讀 · 0評論 三維阻變存儲器存算一體

• 新型非易失存儲器硬件損耗均衡算法簡介

  需要設計一些算法使得能對整個存儲器做均衡的訪問，而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入，將對某些塊的操作分布到整片存儲器上，實現(xiàn)各塊寫入的平衡，這類算法就稱為損耗均衡（wear leveling）算法。...

  1428次閱讀 · 0評論 PCM寄存器RRAM

• 新型非易失存儲器靜態(tài)損耗均衡算法

  動態(tài)損耗均衡：這些算法通過重復使用擦除次數(shù)較少的塊來實現(xiàn)損耗平衡[1]。即當下寫入地址的被寫入量超過規(guī)定的閾值時就讓其與一個認為的寫入次數(shù)不大的地址做交換。...

  1215次閱讀 · 0評論 PCM存儲器

• 一種新的內存計算 (CIM) 架構原理分析

  傳統(tǒng)上，計算主要依賴于基于馮諾依曼架構的互連設備。在此架構的簡化版本中，存在三個計算構建塊：內存、輸入/輸出 (I/O) 接口和中央處理單元 (CPU)。...

  3921次閱讀 · 0評論 神經(jīng)網(wǎng)絡晶體管人工智能內存計算

• 非易失性存儲器是如何發(fā)展起來的？

  DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內存。今天，我們再來看看半導體存儲的另一個重要領域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。...

  3046次閱讀 · 0評論 DRAMSSD易失性存儲器

• 存儲器的工作原理

  我們來思考一個問題，當我們在編程器中把一條指令寫進單片機內部，然后取下單片機，單片機就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機的某個地方，并且這個地方在單片機掉電后依然可以保持這條指令不會丟失，這是個什么地方呢?這個地方就是單片機內部的只讀存儲器即ROM(READ ONLY MEMORY)。為...

  1920次閱讀 · 0評論 單片機存儲器ROM

• 內存芯片的發(fā)展史 DRAM技術的現(xiàn)狀

  當時，半導體存儲技術被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器，存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失，也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器，用于存儲運算數(shù)據(jù)，斷電后，數(shù)據(jù)會丟失，也稱內存。...

  5926次閱讀 · 0評論 集成電路DRAM德州儀器內存芯片
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