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嵌入式開發(fā)中SD卡的分類及常見屬性

SD卡具有SDHC的速度等級，范圍；2級（以2 MB / s的速度運行）；4級（以4MB / s的速度運行）；6級（以最高6 MB / s的速度運行）；10級（以最高的速度運行） 10 MB /秒；...

1619次閱讀 · 0評論濾波器存儲器SD卡SPI嵌入式開發(fā)
長江存儲PC411 1TB SSD詳細評測

長江存儲晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現(xiàn)了更高的密度、更快的速度。...

3476次閱讀 · 0評論 DRAMSSDNAND閃存PCIe長江存儲
關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點

通常我們將存儲容量表示為：字數(shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，后面理解題目很有用。...

3643次閱讀 · 0評論放大器DRAM存儲器sram觸發(fā)器
MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。...

3124次閱讀 · 0評論電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲framMRAM
深入探索MRAM的原理與技術(shù)

MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。...

3016次閱讀 · 0評論存儲器sramMRAM非易失性存儲器
一文介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程

ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。...

5878次閱讀 · 0評論存儲器cpuRAM易失性存儲器隨機存取存儲器
狹義EEPROM和廣義EEPROM有什么區(qū)別？

這種ROM的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。...

1138次閱讀 · 0評論單片機EEPROM嵌入式開發(fā)NORFlash
九種計算機存儲的類型及工作原理

隨機存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進行隨機掃描以獲取適當?shù)男畔?，而不是遵循嚴格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時間。...

4148次閱讀 · 0評論 cpuPROM計算機內(nèi)存EEPROM
DDR5 dimm里為什么要設(shè)計兩個channel？

Burst Length: 突發(fā)(Burst) 是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞健＿B續(xù)傳輸?shù)闹芷跀?shù)就是突發(fā)長度 (Burst Lengths，簡稱BL)。...

4901次閱讀 · 0評論 cpu數(shù)據(jù)傳輸DIMMDDR5
常見的存儲器及其應(yīng)用

LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內(nèi)存”，是DDR的一種，以低功耗和小體積著稱。...

1707次閱讀 · 0評論 NAND存儲器固態(tài)硬盤Nand flashLPDDR
影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細評測報告

在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。...

2135次閱讀 · 0評論 ledpcb內(nèi)存SK海力士DDR5
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢

通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用，通關(guān)鍵目標之一是實現(xiàn)單片集成，讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上，不僅僅簡化了設(shè)計流程，還提升了整體系統(tǒng)性能，高度集成的電路將降低與外部組件和多個芯片相關(guān)的復(fù)雜性。...

1466次閱讀 · 0評論 BCD電源芯片reram非易失性存儲器隨機存取存儲器
服務(wù)器架構(gòu)：內(nèi)存接口及互連芯片

由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。...

2416次閱讀 · 0評論 DRAMcpu服務(wù)器PCIeDDR4
長江存儲致態(tài)TiPlus7100 4TB硬盤解析

長江存儲致態(tài)TiPlus7100 4TB固態(tài)硬盤在測試中的表現(xiàn)非常優(yōu)秀，其順序讀取速度大幅超越標稱的7000MB/s，在CrystalDiskMark中的順序讀取速度高達7436MB/s，同時其最高順序?qū)懭胨俣纫策_到了6514.01MB/s，同樣明顯超過其標稱的6000MB/s順序?qū)懭胨俣取?..

2040次閱讀 · 0評論 SSD固態(tài)硬盤長江存儲
企業(yè)存儲磁盤陣列技術(shù)分享（存儲主要協(xié)議對比）

磁盤陣列是一種企業(yè)級存儲系統(tǒng)（RAID級別和磁盤陣列可以提高數(shù)據(jù)的可靠性和性能。在選擇磁盤陣列時，需要考慮容量、性能、可靠性和可擴展性等因素，并進行定制化的配置以達到最佳性價比。...

1914次閱讀 · 0評論控制器cpu服務(wù)器磁盤陣列存儲系統(tǒng)
全面解析存儲器層次結(jié)構(gòu)原理

靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。...

2676次閱讀 · 0評論寄存器存儲器cpu計算機系統(tǒng)程序員
什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。...

5391次閱讀 · 0評論閃存EEPROMfram鐵電存儲器非易失性存儲器
大模型時代必備存儲之HBM進入汽車領(lǐng)域

大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識，存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標，甚至某些場合超越算力，是最關(guān)鍵的性能指標，而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。...

2282次閱讀 · 0評論特斯拉車載芯片HBMAI芯片大模型
全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用

電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulator-Metal, MIM)，其原理為施予電壓或電流操作，利用物質(zhì)電阻改變組件的高低電阻狀態(tài)，達成數(shù)字訊號儲存效果。...

2760次閱讀 · 0評論電阻存儲器物聯(lián)網(wǎng)存儲技術(shù)RRAM
下一代HBM技術(shù)路線選擇對行業(yè)有何影響？

HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。...

1346次閱讀 · 0評論 DRAM存儲器gpu加速處理器HBM