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遇到一個(gè)比較有意思的問題。一個(gè)朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。...
做高速鏈路的小伙伴都知道，Stub總是會(huì)帶來各種影響，或者導(dǎo)致阻抗突變，或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振，等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)。下面是論文的全文。...
在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前，我們應(yīng)該警告你，一體FLASH器件焊接的整個(gè)過程很復(fù)雜，需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。 如果您之前從未嘗試過焊接一體FLASH器件，那么最好在一些數(shù)據(jù)不重要的配件在設(shè)備上嘗試您的技能。...
磁盤陣列是一種企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)，可以提供更高的可靠性和性能。選擇適合自己需求的RAID級(jí)別和磁盤陣列可以提高數(shù)據(jù)的可靠性和性能。在選擇磁盤陣列時(shí)，需要考慮容量、性能、可靠性和可擴(kuò)展性等因素，并進(jìn)行定制化的配置以達(dá)到最佳性價(jià)比。...
SK hynix面臨的問題是這樣的：生成式人工智能推理的成本非常高昂，不僅僅涉及到人工智能計(jì)算，還包括功耗、互聯(lián)和內(nèi)存，這些因素也在很大程度上推動(dòng)了成本的增加。...
在Hot Chips 2023上，三星展示了內(nèi)存技術(shù)，內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。...
對(duì)于DIYer、硬件愛好者而言，最近一年顯然是愉快的一年，往日價(jià)格高高在上的大容量SSD，現(xiàn)在只需數(shù)百元就能買到。而為了讓用戶獲得更好的使用體驗(yàn)，長江存儲(chǔ)在近期帶來了致態(tài)Ti600 SSD。其最低容量500GB產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀取速度就高達(dá)6000MB/s，大容量產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀取速度更達(dá)到了7000...
近日長江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)家族再添新成員Ti600.Ti600是致態(tài)推出的首款QLC SSD。SSDFans第一時(shí)間體驗(yàn)這款產(chǎn)品性能，并對(duì)Ti600(2T)做了相關(guān)測試。...
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。...
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。...
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。...
致態(tài)Ti600系列SSD采用了長江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)， 再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達(dá)到7000MB/s的讀取速度和6000MB/s的寫入速度，而實(shí)測數(shù)據(jù)比這還要更高一些。...
Ti600的推出豐富了致態(tài)固態(tài)硬盤產(chǎn)品系列。至此，致態(tài)固態(tài)硬盤涵蓋了入門級(jí)Ti系列、主流級(jí)Plus系列、以及旗艦級(jí)Pro系列全系列產(chǎn)品。在未來致態(tài)品牌也將持續(xù)聆聽用戶聲音，關(guān)注用戶體驗(yàn)，進(jìn)一步完善和豐富產(chǎn)品線，為廣大用戶提供更好產(chǎn)品和服務(wù)。...
DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異...
我們?cè)谫IDDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。...
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM使用的熟練情況，直接關(guān)系到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)劣。本文試著用比較通俗系統(tǒng)的圖片和文字來解說，DRAM中一個(gè)基本電路...
首先，我要用這張圖來說明存儲(chǔ)器近70年的發(fā)展歷程，縱觀這70年的發(fā)展，可以發(fā)現(xiàn)主要是在容量，速度以及壽命等方面出現(xiàn)了飛躍式增長。...
硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒能說出來。...
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。...
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。...
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