Valley的SiC晶圓廠，并開始投產(chǎn)8英寸SiC襯底。又在今年1月份與采埃孚合作，斥資超20億歐元在德國薩爾州建廠。 在國際大廠布局的同時，國產(chǎn)碳化硅廠商也在加速追趕，爭搶當下最火熱的汽車、儲能等市場。2022年國內(nèi)已有不少SiC擴產(chǎn)項目啟動、竣工，進入2023年，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈在投
2023-02-21 16:32:21
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企業(yè)在政策支持和市場需求驅(qū)動下，正加速實現(xiàn)中低端產(chǎn)品的國產(chǎn)化替代，同時在高端領域逐步突破技術壁壘。 ? 在全球范圍內(nèi)，磷化銦襯底市場規(guī)?？焖僭鲩L。受AI算力、數(shù)據(jù)中心和6G通信驅(qū)動，Yole預測全球InP襯底市場規(guī)模將從2022年的30億
2025-05-19 02:23:003261 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸
2022-11-23 09:22:562839 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年以來國內(nèi)的SiC產(chǎn)業(yè)進展神速，除了上游廠商陸續(xù)放出8英寸襯底的進展之外，還有多家襯底廠商與海外半導體巨頭簽下供應協(xié)議。上個月，國內(nèi)SiC襯底龍頭天岳先進展示了一種
2023-07-12 09:00:191920 的發(fā)展，SiC在電動汽車領域的普及進度驚人，從過去30萬以上車型，已經(jīng)滲透至12萬左右的車型上。 ? SiC能夠在電動汽車領域快速普及，關鍵因素除了器件本身性能優(yōu)異外，還有產(chǎn)業(yè)鏈共同作用下的快速降本。自今年以來，SiC上游襯底價格開始下降，驅(qū)動下游
2024-10-24 09:04:216285 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進入8英寸時代后，業(yè)界并沒有停下腳步，開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先進率先出手，發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底；一個月后，爍
2025-05-21 00:51:007317 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年以來，各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半導體宣布成功研制出12英寸N型碳化硅單晶材料；晶越半導體也
2025-07-30 09:32:1311754 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近，湖南三安半導體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標志著國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅主驅(qū)芯片實現(xiàn)從技術攻關到規(guī)模化裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
2025-12-09 09:25:464889 碳化硅（SiC）襯底材料領域的重要技術成果，不僅將碳化硅材料實測熱導率推至 560W/(m?K) 的業(yè)界新高度，更創(chuàng)新性推出方形碳化硅散熱晶片，實現(xiàn)從材料性能標桿到應用解決方案的全維度升級，為人工智能、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等尖端領
2025-12-25 09:39:551463 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
效率，并實現(xiàn)了全球節(jié)能。事實上，有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。 就像二十世紀八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
，不需要進行電導率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
進行介紹。SiC功率元器件的開發(fā)背景之前談到，通過將SiC應用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進解決全球
2018-11-29 14:35:23
，不需要進行電導率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術的大量需求引起了對這一領域的研發(fā)熱潮?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:25:29
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:26:43
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
項目名稱：風電伺服驅(qū)動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業(yè)控制領域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動器的開發(fā)，是一個國產(chǎn)化項目，也是SiC器件應用的領域
2020-04-24 18:03:59
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導通程度怎么還會改變？導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關啊！而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時在推進
2018-11-29 14:33:47
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
,耦合器,合成實驗,突破,成功率【DOI】：CNKI:SUN:QJGY.0.2010-02-006【正文快照】：2010年1月16日,中國兵器裝備研究院大功率激光實驗室成功完成了7路光纖激光組束合成實驗,在
2010-04-22 11:37:22
激光測距原理是什么？如何實現(xiàn)激光脈沖測距雷達系統(tǒng)？
2021-04-29 06:14:35
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
的發(fā)展中，Si功率器件已趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會對于高 頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的 第三代半導體材料憑借其優(yōu)異屬性，將成為突破口，正在迅速
2017-07-22 14:12:43
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本，在小型家電中實現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。
突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對家電與工業(yè)驅(qū)動領域?qū)Ω咝省O致緊湊、超強可靠性與成本控制的嚴苛需求，深愛半導體重磅推出
2025-07-23 14:36:03
隨著國家對節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場的逐步啟動，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術成為大眾熱點，下面簡要概述LED襯底技術。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
激光跟蹤儀是建立在激光和自動控制技術基礎上的一種高精度三維測量系統(tǒng)，主要用于大尺寸空間坐標測量領域。它集中了激光干涉測距、角度測量等先進技術，基于球坐標法測量原理，通過測角、測距實現(xiàn)三維坐標的精密
2023-06-15 10:29:00
。廣泛應用于數(shù)控機床、激光打標/切割、三坐標、影像儀、精密測量、自動化、機器人、3D打印等領域。中圖國產(chǎn)激光干涉儀sj6000結(jié)合不同的光學鏡組，可實現(xiàn)線性測長、角度、直
2023-09-28 09:12:11
國產(chǎn)機床激光干涉儀sj6000除了環(huán)境適應能力好，還可以進行動態(tài)高速測量，選配相應的功能模塊元件后還可以測量振動幅度、平面度、線速度、角速度等。產(chǎn)品簡介國產(chǎn)機床激光干涉儀sj6000具有測量精度高
2024-01-11 09:12:25
目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281907 
隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升，國產(chǎn)襯底的應用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關心的問題做了全面的評估，包括物理參數(shù)、電參數(shù)、圓片合格率，以及大規(guī)模生產(chǎn)的工程能力指數(shù)。評估結(jié)果說明國產(chǎn)襯底在品質(zhì)上已經(jīng)完全能夠媲美進口襯底，滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。
2018-04-22 09:53:4911290 、機械應力和熱預算等方面都有獨特的要求，因此確定合適的剝離技術比較困難。這里只是枚舉了幾個例子，實際情況更為復雜。我們將在本文中重點討論激光剝離（laser debonding）：如抗高溫更兼容的材料可應用于哪些情況，激光剝離的特性適于哪些應用等。
2018-07-10 09:27:009864 大族顯視與半導體從2013年便開始對激光剝離（Laser Lift Off，簡稱LLO）技術進行研發(fā)及技術儲備，針對GaN基Micro LED和垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓藍寶石襯底的剝離，成功研發(fā)并推出全自動LLO激光剝離設備。
2019-05-07 10:21:2815466 LED襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)的基礎材料，其決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 高功率激光器國產(chǎn)化加快 發(fā)展瓶頸亟待突破 高功率激光器具有體積小、重量輕、電光轉(zhuǎn)換效率高、性能穩(wěn)定、可靠性高和壽命長等特點。目前低功率激光器和中功率激光器正在逐步實現(xiàn)國產(chǎn)化,高功率激光器國產(chǎn)
2019-12-02 23:09:00691 全球SiC的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司占據(jù)了全球SiC市場約70%的份額，其中科銳、羅姆實現(xiàn)了從SiC襯底、外延、設計、器件及模塊制造的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。
2020-09-26 10:14:562775 全球新一輪動力電池產(chǎn)能擴充釋放巨大的鋰電材料、設備市場需求空間，國產(chǎn)鋰電設備迎來新的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)。 在銳科激光冠名的智能制造升級專場，銳科激光副董事長閆大鵬作了“國產(chǎn)光纖激光器的現(xiàn)狀及未來”的主題
2020-12-23 17:54:424071 同時，伴隨著我國產(chǎn)業(yè)制造升級，芯片和半導體產(chǎn)業(yè)把握住需求和供給的矛與盾，在外部環(huán)境和內(nèi)部大循環(huán)的推動下，正在實現(xiàn)國產(chǎn)化突破。
2021-01-19 15:30:144097 日本關西學院大學和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動態(tài)AGE-ing”技術，這是一種表面納米控制工藝技術，可以消除使SiC襯底上的半導體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083930 來探討一下碳化硅襯底的國產(chǎn)化進程。 ◆ 碳化硅襯底類型 碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類共 260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價值。另碳化硅根據(jù)電學性能的不同主要可分
2021-07-29 11:01:185164 而此次他們通過實驗證明，該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄，該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:555781 雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其沉積材料的抗蝕劑掩模。
2022-05-12 15:42:443519 
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術節(jié)點的關注。對于Ge或GeOI CMOS，必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝，因為鍺
2022-05-25 16:43:16983 
作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)模化應用。
2022-06-21 14:40:572382 在圖案化的抗蝕劑上濺射或蒸發(fā)金屬，然后剝離金屬，傳統(tǒng)上用于在砷化鎵晶片處理中定義互連，在剝離工藝中，首先在襯底上沉積并圖案化諸如光致抗蝕劑的犧牲材料，然后將金屬沉積在頂部，隨后通過暴露于溶劑浸泡
2022-06-27 17:21:551602 構(gòu)認為，化合物半導體近期在多個領域應用獲得突破，如功率領域的 SiC 和 GaN、射頻領域的 GaN 和 GaAs、光子領域的 GaAs 和 InP，以及顯示領域的 LED 和 μLED 都形成了發(fā)展
2022-11-21 10:31:392027 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸
2022-11-23 07:20:032710 使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單晶襯底。使用拉曼光譜儀、高分辨 X-射線衍射儀
2022-12-20 11:35:504028 使用 SiC 實現(xiàn)更快的 EV 充電
2022-12-29 10:02:501245 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:574999 根據(jù)《2022碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，目前全球已有超14家企業(yè)在8吋碳化硅襯底方面實現(xiàn)突破，而Wolfspeed已于去年實現(xiàn)生產(chǎn)。謝明凱指出，在8吋方面，盛新材料與Wolfspeed的距離只有一年之遙。
2023-03-17 10:55:071951 解決方案的領先供應商，今宣布首次獲得Ultra C SiC 碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。該平臺還可配置盛美上海自主研發(fā)的空間交變相位移（SAPS）清洗技術，在不損傷器件的前提下實現(xiàn)更全面的清洗。該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，
2023-03-28 17:17:11805 重磅突破:鳳凰動力高速AGV舵輪,較傳統(tǒng)AGV舵輪5倍速度提升,意味著客戶提升5倍運轉(zhuǎn)效率,明智之選鳳凰動力真給力
2023-04-12 15:15:381349 
以砂漿線切割為例，多達40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費掉，而且切割線的高速行走過程還會造成20~50μm的粗糙起伏與表面/亞表面結(jié)構(gòu)損傷，據(jù)分析，碳化硅多線切割技術的總材料損耗量高達30%~50%。
2023-05-24 17:03:182860 
研究機構(gòu)TECHCET日前預測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強勁增長。
2023-06-08 10:12:341118 
SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:522521 
度亙激光重磅發(fā)布通信級單模980nm半導體激光芯片與模塊產(chǎn)品
2022-11-23 10:29:161692 
導電型襯底Wolfspeed一家獨大，絕緣型襯底天岳先進入圍前三。2020年全球?qū)щ娦?b class="flag-6" style="color: red">SiC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷，CR3高達90%，其中Wolfspeed市占率高達62
2023-09-07 16:26:324319 
SiC襯底，產(chǎn)業(yè)瓶頸亟待突破
2023-01-13 09:06:23
3 市場空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢加速
2023-01-13 09:07:052 2023年國產(chǎn)SiC上車
2023-10-31 23:02:000 高功率超快激光器應用于先進制造、信息、微電子、醫(yī)療、能源、軍事等領域，相關科技應用研究對推進國家戰(zhàn)略發(fā)展至關重要。激光增益器件是高功率超快激光器的核心基礎材料，受到世界各國的高度關注。
2023-11-21 10:52:441070 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:401429 
在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。
2023-12-19 10:09:181547 
海目星激光重磅推出高智能雙層寬幅高速涂布機，具備更精密的工藝制程、更智能的生產(chǎn)過程、更高的生產(chǎn)效率，突破鋰電高端產(chǎn)能。
2024-01-18 10:36:291454 
對于一線SiC廠商掀起“價格戰(zhàn)”、SiC襯底降價近三成等說法，業(yè)內(nèi)持有不同觀點。
2024-02-23 11:14:581026 近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占比最高，達到50%左右。
2024-03-08 14:24:322127 
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。
2024-03-28 12:19:541861 
4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
2024-04-14 09:12:391976 據(jù)了解，世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術。
2024-04-23 09:43:422111 SiC晶圓片。該設備可以實現(xiàn)6寸和8寸SiC晶錠的全自動分片，包含晶錠上料，晶錠研磨，激光切割，晶片分離和晶片收集的全自動工藝流程，晶片拋光后的形貌可以達到LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10μm，Warp≤20μm。 ? 圖：8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備 通用半
2024-07-15 15:50:041665 
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來振奮人心的消息，其8英寸導電型4H-SiC（碳化硅）襯底項目已圓滿實現(xiàn)全線貫通，標志著公司在第三代半導體材料領域的研發(fā)與生產(chǎn)邁出了歷史性的一步，成功躋身行業(yè)頂尖行列。
2024-09-12 17:20:471622 近日，中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息，兩家新的SiC（碳化硅）襯底工廠正式落成或正在積極推進中，合計年產(chǎn)能將達到7.2萬片。
在中國臺灣，SiC新玩家格棋化合物半導體于10月23日舉行
2024-10-25 11:20:281364 近期，碳化硅（SiC）領域迎來了多項合作突破，涉及國產(chǎn)SiC半橋模塊的量產(chǎn)上車、超充技術的實際應用，以及激光切割技術和相關設備的采購等。以下是具體詳情：
悉智科技SiC-DCM量產(chǎn)，搭載
2024-11-06 11:47:022045 SiC內(nèi)卷和洗牌加速，目前國產(chǎn)SiC器件性能與國際大廠相比是否還有差距？車載SiC國產(chǎn)化何時才能實現(xiàn)？SiC產(chǎn)業(yè)未來的方向又在哪里？ 2024年10月22日，由EEVIA主辦的第12屆中國硬科技產(chǎn)業(yè)
2024-11-14 14:23:131303 
一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn)
激光退火是一種先進的熱處理技術，通過局部高溫作用，能夠修復碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而
2024-12-24 09:50:49483 
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩(wěn)定性，在半導體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料，其生產(chǎn)過程復雜
2025-02-03 14:21:001981 中國碳化硅襯底材料從受制于人到實現(xiàn)自主突破的歷程，以及由此對國產(chǎn)碳化硅功率半導體企業(yè)的啟示，可以歸納為以下幾個關鍵點：? 一、從壟斷到突破：中國碳化硅材料的逆襲之路 CREE（Wolfspeed
2025-03-05 07:27:051295 
質(zhì)量亂象：未通過可靠性關鍵實驗的國產(chǎn)SiC功率模塊應用隱患與后果 國產(chǎn)SiC（碳化硅）功率模塊在APF（有源電力濾波器）和PCS（儲能變流器）等電力電子設備中的應用趨勢日益顯著，主要受益于技術性
2025-04-02 18:24:49826 
引言：政策東風助力，國產(chǎn)化替代勢在必行? 隨著國家“國產(chǎn)化替代”戰(zhàn)略深入推進，關鍵領域信息技術自主可控已成為時代使命。廣東蝶云智控積極響應政策號召，深耕國產(chǎn)化硬件研發(fā)，重磅推出搭載 國產(chǎn)飛騰騰銳
2025-05-13 15:59:38861 
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911 干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時對襯底的損傷風險。例如，針對特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 
陶瓷的熱導率由之前的170W/m·K提升至當前的230W/m·K，仍成為制約芯片出光功率突破的"絆腳石"。度亙核芯全流程自主研發(fā)生產(chǎn)的單晶SiC熱沉，為行業(yè)帶來了顛覆性的散熱解決方案
2025-08-01 17:05:171699 
摘要
本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題，深入分析影響測量精度的因素，從設備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升策略，旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測量準確性
2025-08-12 13:20:16778 
18 億元），主要用于擴張 8 英寸及更大尺寸碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)能，以滿足市場對高性能半導體材料日益增長的需求。 ? 天岳先進是國內(nèi)碳化硅襯底龍頭企業(yè)，2023年其全球市占率排名第二，在國產(chǎn)廠商中位居首位。自2010年成立以來，天岳先進始終專注于碳化硅襯底的研
2025-08-13 17:04:22805 本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設備提供科學依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 了國內(nèi)相關技術應用的空白，更為第三代半導體關鍵制造裝備的國產(chǎn)化進程注入了強大動力，同時也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前，該激光剝離技術已在6英寸、8英寸碳化硅晶圓加工領域通過了多家行
2025-09-10 09:12:481432 SiC晶圓廠，也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點以及技術難點，目前國內(nèi)廠商的進度又如何？近期包括天科合達、爍科晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:004657 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 2024年，國產(chǎn)SiC模塊上車加速。據(jù)電子發(fā)燒友不完全統(tǒng)計，2023年公開的國產(chǎn)SiC車型合計142款，乘用車76款，僅僅在2023年新增加的SiC車型合計45款。業(yè)內(nèi)專家
2024-11-01 00:16:008061 
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