作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車(chē)高端車(chē)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。

時(shí)隔不到2年，比亞迪半導(dǎo)體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創(chuàng)新高！

“模”力超群 匹配更高功率新能源汽車(chē)平臺(tái)應(yīng)用

相較于市場(chǎng)主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變?cè)心K封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設(shè)計(jì)、高散熱設(shè)計(jì)及車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證等技術(shù)難題，充分發(fā)揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢(shì)。

1200V 1040A高功率SiC模塊

作為比亞迪半導(dǎo)體當(dāng)前最高功率的SiC模塊，這款產(chǎn)品充分展現(xiàn)了比亞迪半導(dǎo)體對(duì)高效率的極致追求，后續(xù)也將匹配更高功率新能源汽車(chē)平臺(tái)應(yīng)用，充分發(fā)揮其大功率優(yōu)勢(shì)。

雙面燒結(jié)工藝助力功率提升

1200V 1040A SiC功率模塊，采用了雙面燒結(jié)工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結(jié)工藝進(jìn)行連接，具備更出色的工藝優(yōu)勢(shì)與可靠性。

? 芯片下表面燒結(jié)工藝，連接層導(dǎo)熱率與可靠性提高

SiC MOSFET芯片下表面采用燒結(jié)工藝，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，連接層導(dǎo)熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；

? 芯片上表面燒結(jié)工藝，提升模塊工作結(jié)溫

芯片上表面采用燒結(jié)工藝，因燒結(jié)層具有的高耐溫特性，SiC 模塊工作結(jié)溫可提升至175℃，試驗(yàn)證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。

功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優(yōu)劣對(duì)比

高效率、高集成、高可靠性方向不斷前進(jìn)

比亞迪半導(dǎo)體致力于共同構(gòu)建車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新生態(tài)，助力實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自主安全可控的目標(biāo)。公司不斷加強(qiáng)科技創(chuàng)新能力，重視基礎(chǔ)科學(xué)研究和工藝創(chuàng)新，上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同合作實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性能最優(yōu)比，以車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體為核心持續(xù)拓展下游應(yīng)用場(chǎng)景。

車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體整體解決方案

在功率半導(dǎo)體方面，經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累及發(fā)展整合，比亞迪半導(dǎo)體已成為國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體量產(chǎn)裝車(chē)的IDM廠商之一，形成了包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝與測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)比亞迪半導(dǎo)體擁有突出的科技創(chuàng)新能力，所生產(chǎn)的車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體已在新能源汽車(chē)廠商中得到充分驗(yàn)證并進(jìn)行了批量應(yīng)用，在車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控及重大突破。

自2005年布局功率半導(dǎo)體領(lǐng)域以來(lái)，比亞迪半導(dǎo)體篳路藍(lán)縷，一步一個(gè)腳印，先后在功率芯片發(fā)布完全自主研發(fā)的2.5代、4.0代、5.0代車(chē)用IGBT技術(shù)，并于2022年自主研發(fā)出最新一代精細(xì)化溝槽柵復(fù)合場(chǎng)終止IGBT6.0技術(shù)，產(chǎn)品性能及可靠性大幅提升，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

IGBT晶圓

此外，在模塊封裝方面，比亞迪半導(dǎo)體也勤勤懇懇、不懈努力，迄今已成功開(kāi)發(fā)出一系列擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的功率模塊，累計(jì)裝車(chē)量和國(guó)內(nèi)市占率遙遙領(lǐng)先。

作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并批量應(yīng)用車(chē)規(guī)SiC功率模塊的半導(dǎo)體公司，比亞迪半導(dǎo)體以高效為核心，重點(diǎn)提升功率半導(dǎo)體效率，降低功率損耗；以智能、集成為核心，重點(diǎn)提高關(guān)鍵芯片智能化程度，滿足車(chē)規(guī)級(jí)高控制能力需求，最終達(dá)到集成化方案和協(xié)同化應(yīng)用的高度融合，使整車(chē)在定義智能化汽車(chē)當(dāng)中實(shí)現(xiàn)所有的功能協(xié)同應(yīng)用。

后續(xù)，比亞迪半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)深耕，在提高產(chǎn)品技術(shù)、完善產(chǎn)品系列等加強(qiáng)自身能力技術(shù)的基礎(chǔ)上同步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的優(yōu)化升級(jí)，不斷優(yōu)化提升功率器件及模塊性能，向高效率、高集成、高可靠性方向繼續(xù)前行。