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E5052B 的相位噪聲測(cè)量性能：對(duì)自由振蕩 VCO 參數(shù)的信號(hào)源表征的描述，以及瞬態(tài)響應(yīng)參數(shù)測(cè)試能力，在微波組件評(píng)估中提供了最精確和最可靠的測(cè)量結(jié)果。

作者：Eric Braun，Jinghai Zhou等 作為開關(guān)電源損耗的一部分，印刷電路板（PCB）主回路紋波電流阻抗的損耗常被忽略不計(jì)。然而，對(duì)于采用大電流核心電壓和高紋波電流工作的應(yīng)用而言，這種損耗卻不容忽視。使用Ansys Q3D，可以提取典型核心電壓功率級(jí) PCB 布局中主回路紋波電流的頻變電阻參數(shù)，還可以看出這一損耗成分是如何顯著改善建模與測(cè)量總損耗之間的相關(guān)性（開關(guān)頻率函數(shù)）。為了在負(fù)頻率系數(shù)PCB與無源元件損耗和正頻率系數(shù)MOSFET常規(guī)開關(guān)損耗之

為降壓穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)可能很繁瑣，可能需要多次迭代才能優(yōu)化解決方案。擁有優(yōu)化的控制回路，可以在保持適當(dāng)穩(wěn)定性的同時(shí)實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)，已成為一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)隨著新應(yīng)用程序的出現(xiàn)，例如ADAS和快速瞬態(tài)響應(yīng)要求。為了解決這些問題，已經(jīng)開發(fā)了帶有內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的降壓調(diào)節(jié)器，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過程。盡管具有內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢(shì)，但可用于調(diào)節(jié)/改善外部瞬態(tài)性能的旋鈕卻更少了。主要的挑戰(zhàn)是如何評(píng)估內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，以確保它們適合特定的

在最新的GaN和SiC組件的推動(dòng)下，功率電子模塊的尺寸在不斷縮小，與此同時(shí)，散熱也在不斷增加。因此，在許多應(yīng)用中，工程師正在將主動(dòng)（抽水）水冷卻作為看似顯而易見的解決方案。利用回路熱管（LHP）技術(shù)，Calyos提供了一種被動(dòng)的，可持續(xù)的替代方案，可以應(yīng)用于不同行業(yè)的許多熱問題。 在接受《電力電子新聞》采訪時(shí)，本·薩頓（Calyos的市場(chǎng)經(jīng)理）解釋說，回路熱管是一種被動(dòng)的兩相傳熱設(shè)備。這些系統(tǒng)可以將多個(gè)熱源與低質(zhì)量解決方案結(jié)合在

作者：Akshat JAIN， Fabrizio DI FRANCO 近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子等各種應(yīng)用場(chǎng)景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，這是一個(gè)關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個(gè)以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。 圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個(gè)數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級(jí)和DC-DC功率級(jí)(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整

反激式SR控制器用于驅(qū)動(dòng)AC / DC適配器中的次級(jí)MOSFET開關(guān)。這里，反激控制器可以在臨界導(dǎo)通模式（CrM），連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）或斷續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）下運(yùn)行

為滿足有源功率管理的增長(zhǎng)需求，很多新系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向采用PMBus技術(shù)，因?yàn)槠涔╇姼屿`活。PMBus 可以簡(jiǎn)化配置、時(shí)序以及電源檢測(cè)功能，同時(shí)還能測(cè)定和響應(yīng)警報(bào)及故障。

脈寬調(diào)制（PWM）開關(guān)本身就能很好地模擬一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器。由Dr. Vatché Vorpérian于90年代提出，最簡(jiǎn)單的模擬一個(gè)工作于CCM模式的雙開關(guān)電壓模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的大信號(hào)響應(yīng)和固定開關(guān)頻率如圖3 。

本文將重點(diǎn)介紹智能照明（尤其是智能燈泡）的電源解決方案。 政府部門安裝智能照明系統(tǒng)的舉措、無線控制的普及和人們負(fù)擔(dān)能力的增長(zhǎng)，以及人們不斷認(rèn)識(shí)到智能照明系統(tǒng)的益處，這些也是推動(dòng)全球智能照明解決方案需求不斷增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。 根據(jù)Research and Markets在2017年的一項(xiàng)研究，全球智能照明市場(chǎng)總規(guī)模2017年為68億美元，到2022年，預(yù)計(jì)將以25.44％的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)到212億美元（2）。 參考一些商用智能燈泡的拆解報(bào)告（例如Cree Connected Bulb（

多年來，功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱，能夠可靠地提供大電流。然而，隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步，需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達(dá)到功率水平要求，而一個(gè)MOSFET的實(shí)現(xiàn)已不再足夠，這迫使設(shè)計(jì)人員不得不將MOSFET并聯(lián)放置。 并聯(lián)MOSFET的問題和解決方案 為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上是通過篩選來選擇MOSFET的，因?yàn)樗鼈兊拈撝惦妷合嗨?，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。但是，屏蔽的MOSFET會(huì)增加成本和復(fù)雜度，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定的影響。因此

無人機(jī)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是能夠控制電動(dòng)機(jī)的速度和旋轉(zhuǎn)。大多數(shù)無人機(jī)由無刷直流電動(dòng)機(jī)提供動(dòng)力，這需要不斷調(diào)節(jié)速度和旋轉(zhuǎn)方向。電子速度控制（ESC）模塊執(zhí)行這些功能，并包括電源級(jí)，電流感測(cè)電路，微控制器以及與飛行控制系統(tǒng)的通信接口，因此使其成為無人機(jī)的基礎(chǔ)。本文介紹了在設(shè)計(jì)ESC以及市場(chǎng)開發(fā)解決方案時(shí)要考慮的重要因素。 電機(jī)控制 ESC的設(shè)計(jì)需要對(duì)特性進(jìn)行仔細(xì)的評(píng)估和分析，總結(jié)如下： 無人機(jī)上安裝的電池 馬達(dá) 可用預(yù)算 電磁兼容性

5G主流迫在眉睫。業(yè)界的重點(diǎn)已轉(zhuǎn)移到一致性和驗(yàn)收測(cè)試上。這些測(cè)試對(duì)于擴(kuò)展5G是必不可少的，也是必不可少的。他們還提出了重大的技術(shù)和業(yè)務(wù)挑戰(zhàn)。

TL431（如圖一）是最常用的三端可調(diào)電流基準(zhǔn)源之一，熱穩(wěn)定性能好，性價(jià)比高，被廣泛應(yīng)用于運(yùn)放電路，比較器電路，ADC基準(zhǔn)源，可調(diào)壓電源，開關(guān)電源等。在隔離開關(guān)電源電路中尤為常見，TL431常被用做運(yùn)放配合線性光耦來完成電壓環(huán)的補(bǔ)償。如圖二所示（圖中L是為了降低輸出電壓紋波加的小電感）。 ? ? 圖二 簡(jiǎn)要介紹反激電源閉環(huán)反饋回路原理：線性光耦只適合傳輸?shù)皖l信號(hào)且在傳輸過程中會(huì)產(chǎn)生較大的傳輸誤差，為了消除光耦的傳輸誤差將TL

作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使用不當(dāng)，工程師會(huì)很快發(fā)現(xiàn)自己對(duì)設(shè)備故障感到沮喪。與客戶的看法形成鮮明對(duì)比的是，這些故障通常不是SiC MOSFET技術(shù)的固有弱點(diǎn)，而是圍繞柵極環(huán)路的設(shè)計(jì)選擇。特別是，對(duì)高端設(shè)備和低端設(shè)備之間的導(dǎo)通交互作用缺乏關(guān)注會(huì)導(dǎo)致因錯(cuò)誤的電路選擇而引發(fā)的災(zāi)難性故障。在本文中，我們表明，在柵極電路環(huán)路中使用柵極源電容器進(jìn)行經(jīng)典的阻尼工作

在轉(zhuǎn)換器的每個(gè)端口上，都使用雙有源橋（DAB）轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器使用變壓器的漏電感作為轉(zhuǎn)換器電感。

與功率MOSFET相比，功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢(shì)，例如更高的電導(dǎo)率，更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗[1] [2]-[6]。

根據(jù)柵極電壓，觀察負(fù)載R1上流過的電流，看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對(duì)圖如圖3所示。對(duì)于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓，該組件均保持關(guān)斷狀態(tài)（開關(guān)斷開）。從

風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用，是該行業(yè)增長(zhǎng)最快的行業(yè)之一，寬帶隙碳化硅（SiC）技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員已經(jīng)確定，SiC功率半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)比硅（Si）更高效，更小且更具成本效益的解決方案。SiC組件在處理電網(wǎng)級(jí)電壓方面具有更高的可靠性，并具有超凡的性能。 可再生能源系統(tǒng)中的SiC與Si器件 Wolfspeed致力于SiC領(lǐng)域，經(jīng)過30多年的廣泛研究，擁有適用于所有功率應(yīng)用的寬帶隙SiC器件產(chǎn)品

隔離噪聲信號(hào)的最佳方法是實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)腜CB層疊。也就是說，所有高頻（＞100kHz）數(shù)字信號(hào)的走線都應(yīng)與實(shí)心返回平面相鄰。這就可以抑制電磁波。

由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載，在硬開關(guān)以及布局限制的情況下，功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。