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可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案

電子設(shè)計(jì) ? 來源:powerelectronicsnews ? 作者:Guy Moxey ? 2021-03-12 11:42 ? 次閱讀
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風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲結(jié)合使用,是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員已經(jīng)確定,SiC功率半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)比硅(Si)更高效,更小且更具成本效益的解決方案。SiC組件在處理電網(wǎng)級電壓方面具有更高的可靠性,并具有超凡的性能。

可再生能源系統(tǒng)中的SiC與Si器件

Wolfspeed致力于SiC領(lǐng)域,經(jīng)過30多年的廣泛研究,擁有適用于所有功率應(yīng)用的寬帶隙SiC器件產(chǎn)品組合,這些器件均重視效率,功率密度和整體系統(tǒng)成本。

圖1:Wolfspeed SiC可以實(shí)現(xiàn)太陽能DC / DC和DC / AC功率轉(zhuǎn)換。

由于結(jié)果,可再生能源領(lǐng)域的硬件設(shè)計(jì)人員(例如太陽能或儲能)已經(jīng)利用碳化硅。SiC可以進(jìn)行高頻開關(guān)而不會降低效率;簡單來說,這意味著較小的電路磁通量和在整個溫度范圍內(nèi)更平坦的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),從而在真實(shí)工作條件下降低了傳導(dǎo)損耗。SiC既是從PV面板上增加功率,又是將功率轉(zhuǎn)換回電網(wǎng),是一個明確的選擇,因?yàn)镾iC可通過提高功率密度,減小系統(tǒng)的尺寸和重量以及平衡系統(tǒng)成本來實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)。

Wolfspeed SiC的真正設(shè)計(jì)影響

目前,SiC被證明比傳統(tǒng)使用的硅更有效。太陽能串系統(tǒng)在一系列面板和并網(wǎng)逆變器之間實(shí)現(xiàn)最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)。MPPT本質(zhì)上是一個升壓轉(zhuǎn)換器,其中效率和功率密度對于系統(tǒng)設(shè)計(jì)的性能至關(guān)重要。在過去的設(shè)計(jì)中,升壓器將基于IGBT,器件的開關(guān)頻率為15–30 kHz,效率在?97%的范圍內(nèi)。

通過與Wolfspeed C3M MOSFET和C4D二極管實(shí)現(xiàn)相同的升壓電路,系統(tǒng)級效率現(xiàn)已達(dá)到99.5%的峰值,總體MPPT尺寸和成本得到了顯著改善(圖2)。

圖2:與Wolfspeed的SiC 60kW MPPT增壓器(右)相比,IGBT 50kW MPPT增壓器(左)的物理尺寸

Wolfspeed SiC的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)非常簡單:提高SiC MOSFET的開關(guān)頻率,并利用SiC升壓二極管的接近零的反向恢復(fù)特性。這有助于實(shí)現(xiàn)最低的電路損耗,同時最大程度地減小升壓電感器電容器和冷卻系統(tǒng)的尺寸,從而降低成本。

性能比較

為什么增加開關(guān)頻率如此有影響?因?yàn)槭褂肳olfspeed SiC器件,該系統(tǒng)可以以IGBT的3倍至4倍的開關(guān)頻率工作,同時提高了整體效率。

圖3并排比較了硅IGBT和Wolfspeed SiC MOSFET之間的器件開關(guān)頻率,以及對升壓器無源元件和冷卻設(shè)計(jì)的相關(guān)系統(tǒng)級影響??梢郧宄乜吹剑S著SiC MOSFET開關(guān)頻率增加到60 kHz或更高,可以將體積龐大且成本高的升壓電感器,電容器和散熱片降至最低。

圖3:SiC開關(guān)頻率效應(yīng)

從圖4可以看出,增加開關(guān)頻率對升壓電感的值和尺寸的實(shí)際影響。升壓扼流圈的尺寸可以減小到16kHz IGBT解決方案的一半,成本可以降低約40%。


圖4:采用IGBT和SiC MOSFET的升壓電感器選擇(SiC MOSFET = 47 kHz,140 μH)

結(jié)論

Wolfspeed SiC當(dāng)前正在實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用,因?yàn)槭聦?shí)證明,基于SiC的解決方案比傳統(tǒng)的基于Si的解決方案具有更高的效率,功率密度和系統(tǒng)成本效益。設(shè)計(jì)人員可以利用SiC MOSFET的更高開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗來減小電路磁性元件和其他無源元件的尺寸和成本,從而實(shí)現(xiàn)功率密度的顯著提高,而不會影響效率和成本。

注意:以上列出的所有數(shù)字均為近似值,可能會根據(jù)應(yīng)用程序而更改。

編輯:hfy

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