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SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析

碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。

2021-02-02 關(guān)鍵字: MOSFETemi緩沖器sic器件

針對(duì)低內(nèi)部電感的電解電容器優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

針對(duì)低內(nèi)部電感進(jìn)行了優(yōu)化的電解電容器可以幫助降低工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的成本,同時(shí)提高效率,性能和可靠性。 隨著在工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)等新興趨勢(shì)的推動(dòng)下,制造和裝配過程的自動(dòng)化繼續(xù)變得越來越普遍,低電感電解電容器可以幫助在機(jī)器人和其他工業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)成本節(jié)省和性能提升設(shè)備。 聚丙烯薄膜電容器和電解電容器都適合于大功率工業(yè)應(yīng)用中的去耦工作,例如在開關(guān)電源的輸出處,以及用于穩(wěn)定變頻電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和固定頻率發(fā)電機(jī)的

電動(dòng)汽車電池中的電池單元被動(dòng)平衡原理解析

溫度升高會(huì)導(dǎo)致鋰電池結(jié)構(gòu)變化并在電極上形成表面膜,使鋰電池衰減速度更快。

福祿克低功耗數(shù)字式萬用表內(nèi)部電路拆解

萬用表又稱為復(fù)用表、多用表、三用表、繁用表等,是電力電子等部門不可缺少的測(cè)量?jī)x表,一般以測(cè)量電壓、電流和電阻為主要目的。萬用表按顯示方式分為指針萬用表和數(shù)字萬用表。是一種多功能、多量程的測(cè)量?jī)x表,一般萬用表可測(cè)量直流電流、直流電壓、交流電流、交流電壓、電阻和音頻電平等,有的還可以測(cè)交流電流、電容量、電感量及半導(dǎo)體的一些參數(shù)(如β)等。 萬用表的外觀: 萬用表測(cè)量電壓、電流和電阻功能是通過轉(zhuǎn)換電路部分實(shí)現(xiàn)

DP711單通道可編程線性直流電源內(nèi)部拆解

DP711為單通道可編程線性直流電源,是為需求成本更低、尺寸更小的高可靠性電源用戶設(shè)計(jì)的一款基礎(chǔ)電源產(chǎn)品,具有低紋波噪聲,快速瞬態(tài)響應(yīng),優(yōu)秀的電源和負(fù)載調(diào)節(jié)率等特性,并具備強(qiáng)大的定時(shí)輸出功能以及完備的保護(hù)功能。下面我們一起來看一下這款直流電源。 普源DP711直流電源 內(nèi)部結(jié)構(gòu): 直流穩(wěn)壓電源是能量轉(zhuǎn)換電路,將220V、50Hz的交流電轉(zhuǎn)換為直流電,是構(gòu)成電子電路的重要組成部分。在大多數(shù)情況下,直流電源的能量來自供電電網(wǎng)的交流

基于Arduino UNO和HC-05藍(lán)牙模塊的伺服電機(jī)控制

控制線用于傳達(dá)角度。該角度由施加到控制線的脈沖的持續(xù)時(shí)間確定。這稱為脈沖編碼調(diào)制

2021-02-01 關(guān)鍵字: Android伺服電機(jī)Arduino

基于Linux內(nèi)核實(shí)現(xiàn)高效、快速、簡(jiǎn)單的VPN方案

OpenVPN 一種使用較為廣泛的 VPN,其基于 OpenSSL 提供多種加密方案,采用 TCP 或者 UDP 作為傳輸層協(xié)議,具有非常高的靈活性。

2021-02-01 關(guān)鍵字: 服務(wù)器TCPUDPOpenSSL

未來半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具 機(jī)器學(xué)習(xí)為EDA帶來什么...

在20/22nm引入FinFET以后,先進(jìn)工藝變得越來越復(fù)雜。在接下來的發(fā)展中,實(shí)現(xiàn)“每?jī)赡陮⒕w管數(shù)量增加一倍,性能也提升一倍”變得越來越困難。摩爾定律的發(fā)展遇到了瓶頸,先進(jìn)制程前進(jìn)的腳步開始放緩。 但是由于當(dāng)今先進(jìn)電子設(shè)備仍需求先進(jìn)工藝的支持,因此,還有一些晶圓廠還在致力于推動(dòng)先進(jìn)制程的繼續(xù)發(fā)展。這些晶圓廠與EDA企業(yè)之間的合作,推動(dòng)了先進(jìn)制程的進(jìn)步。從整體上看,當(dāng)先進(jìn)制程進(jìn)入到14nm/7nm時(shí)代后,EDA工具的引入可以縮短研發(fā)

2021-02-06 關(guān)鍵字: 晶圓edaFinFET

通過四個(gè)異步振蕩器的真實(shí)隨機(jī)數(shù)生成器骰子設(shè)計(jì)

熵發(fā)生器由四個(gè)異步振蕩器組成。其中兩個(gè)是使用具有延遲(1 MHz和6.5 MHz)的反向閉環(huán)LUT構(gòu)建的。

Buck 電路自舉電容推導(dǎo)及RTQ6363內(nèi)部電路框圖解析

在實(shí)際的電路中,當(dāng)由 CBOOT 向上橋開關(guān)的輸入電容充電時(shí),內(nèi)部穩(wěn)壓電路仍然在向 CBOOT 供電,也在向上橋的驅(qū)動(dòng)電路供電。

2021-02-01 關(guān)鍵字: BUCK自舉電容

關(guān)于華為存儲(chǔ)控制器的內(nèi)部拆解案例

存儲(chǔ)控制器是按照一定的時(shí)序規(guī)則對(duì)存儲(chǔ)器的訪問進(jìn)行必要控制的設(shè)備,包括地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)以及各種命令信號(hào)的控制,使主設(shè)備(訪問存儲(chǔ)器的設(shè)備)能夠根據(jù)自己的要求使用存儲(chǔ)器上的存儲(chǔ)資源。 存儲(chǔ)控制器外觀: 存儲(chǔ)控制器拆解: 存儲(chǔ)控制器的作用主要就是進(jìn)行接口的轉(zhuǎn)換,將主設(shè)備發(fā)出的讀、寫等命令轉(zhuǎn)換成存儲(chǔ)器能夠識(shí)別的信號(hào),還要完成主設(shè)備與存儲(chǔ)器之間地址譯碼、數(shù)據(jù)格式的轉(zhuǎn)換(比如數(shù)據(jù)位寬)。 存儲(chǔ)控制器,多作為可在微處

采用AM2302溫濕度傳感器的二氧化碳監(jiān)測(cè)器設(shè)計(jì)方案

采用AM2302溫濕度傳感器的二氧化碳監(jiān)測(cè)器設(shè)計(jì)方案...

2021-02-01 關(guān)鍵字: 微控制器傳感器顯示器濕度傳感器

使用WEMOS開發(fā)板的IOT漏水檢測(cè)器設(shè)計(jì)方案

該程序?qū)⑼ㄟ^在D6引腳上使用digitalRead來檢查運(yùn)算放大器的輸出電壓是否高(d),以及是否是否有水(避免錯(cuò)誤復(fù)位)。

AD5423和ADG5401F相互配合的精密模擬輸出模塊方案

工業(yè)過程需要對(duì)執(zhí)行器進(jìn)行精準(zhǔn)而穩(wěn)健的控制,以便管理流量、溫度和壓力等過程參數(shù)。精密模擬輸出模塊,即所謂可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS),可產(chǎn)生用于控制此類執(zhí)行器的電壓或電流輸出。這些模塊需要在惡劣的工業(yè)環(huán)境中提供穩(wěn)定、可靠、精確的輸出。 ADI公司的單通道16位I/V輸出DAC AD5423 和過壓保護(hù)SPST開關(guān) ADG5401F 的組合,符合此類控制需求,能夠滿足模擬輸出模塊的要求。 精密 精密是AD5423的一個(gè)主要特性。在電壓輸出模式

針對(duì)MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案

通過對(duì)PFC MOS管進(jìn)行測(cè)試和深入分析發(fā)現(xiàn),MOS管的寄生參數(shù)對(duì)振蕩起著關(guān)鍵作用。

2021-02-07 關(guān)鍵字: 振蕩器MOS管PFC寄生電容電路仿真

探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)

原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng),提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度,比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納米級(jí)到原子級(jí)工藝的門檻。工程師現(xiàn)在必須關(guān)注結(jié)構(gòu)的尺寸變化,僅相當(dāng)于幾個(gè)原子大小。由于多重圖案模式等復(fù)雜集成增加了工藝數(shù)量,進(jìn)一步限制了每個(gè)

2021-02-08 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體行業(yè)3d nand

如何使用示波器進(jìn)行小信號(hào)測(cè)量

中國(guó)在推動(dòng)新能源汽車的發(fā)展力度上,無疑是全球最為積極的國(guó)家。

全新的冗余SCADA系統(tǒng)——VTScada

SCADA(數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控)系統(tǒng)是工業(yè)領(lǐng)域最常見的控制系統(tǒng)之一,在電力、冶金、石油、化工、燃?xì)夂蛙壍澜煌ǖ缺姸嘈袠I(yè)不可或缺。為了保障高度的可靠性與穩(wěn)定性,SCADA系統(tǒng)一般都會(huì)從硬件、軟件、通信鏈路等方面采用冗余設(shè)計(jì)。 由于幾乎需要增加一倍的軟硬件投入,SCADA冗余系統(tǒng)往往需要很高的投資,而且會(huì)使得整個(gè)控制系統(tǒng)變得異常龐大和復(fù)雜。 那隨著技術(shù)的進(jìn)步,有沒有一種全新的冗余技術(shù),能夠大幅度減少軟硬件投入并簡(jiǎn)化系統(tǒng)呢?今天,

早期階段芯片級(jí)物理驗(yàn)證同步 SoC 設(shè)計(jì)方案解析

鑒于先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)的規(guī)模和復(fù)雜性,而且各方為 搶先將產(chǎn)品推向市場(chǎng)而不斷競(jìng)爭(zhēng),片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)沒有時(shí)間等到所有芯片模塊都全 部完成后才開始組裝芯片。因此,SoC 設(shè)計(jì)人員 通常會(huì)在模塊開發(fā)的同時(shí)開始芯片集成工作,以 便在設(shè)計(jì)周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī), 從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時(shí)間。錯(cuò)誤在早期 階段更容易修復(fù),而且對(duì)版圖沒有重大影響,設(shè) 計(jì)人員在此階段消除錯(cuò)誤,可以減少實(shí)現(xiàn)流片所 需的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC)

2021-01-30 關(guān)鍵字: soc晶圓代工芯片分析

臺(tái)積電5nm與三星5nm的本質(zhì)差異 三星5LPE與臺(tái)積電N5...

臺(tái)積電提到對(duì)于包含60%邏輯單元、30% SRAM,以及10%模擬I/O的移動(dòng)SoC而言,其5nm工藝能夠縮減芯片35%-40%的尺寸——這樣的值是更具參考價(jià)值的。

2021-01-30 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電晶體管5nm麒麟9000驍龍888

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如何選用元器件實(shí)現(xiàn)精密直流電源的設(shè)計(jì)

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電池測(cè)試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測(cè)試等測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±5°C時(shí),設(shè)備的電流和電壓控制精度需要...

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