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基于Lifetime控制技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品Pres...

基于Lifetime控制技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS...

2021-01-07 關(guān)鍵字: 逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBTRohm

節(jié)能性能優(yōu)異的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD83070GW...

BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不僅可通過(guò)升降壓工作最大限度地利用電池的能量,還在從輕負(fù)載到重負(fù)載的廣泛負(fù)載條件下,均實(shí)現(xiàn)了高效率和超低消耗電流,從而可大幅延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。 特別是面向電池驅(qū)動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的高效率、超低功耗DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有升壓用的BU33UV7NUX、降壓用的BD70522GUL等產(chǎn)品。升降壓用的BD83070GWL是壯大了

優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的頻率特性的電源設(shè)計(jì)方案

通過(guò)調(diào)整DC/DC轉(zhuǎn)換器的瞬態(tài)響應(yīng)特性,可以對(duì)這些項(xiàng)目進(jìn)行優(yōu)化和處理,以使電壓波動(dòng)不超過(guò)復(fù)位IC的閾值或后段元器件的電源額定值。

基于MP2672評(píng)估板的鋰電池升壓充電器方案

有鑒于可攜式產(chǎn)品大爆發(fā)的現(xiàn)今社會(huì)對(duì)于電池電量的需求急速增加,但電池的意外我們也時(shí)有耳聞,無(wú)外乎(1)電池過(guò)度充電產(chǎn)生的熱(2)電池充電的不平衡(3)系統(tǒng)無(wú)監(jiān)控保護(hù)的功能(4) 規(guī)格凌亂電池混合使用(5)或坊間黑心商品充斥,讓無(wú)辜的消費(fèi)者在未享受到科技帶來(lái)便利前卻飽受其害。況且常見(jiàn)的單節(jié)鋰電池早已無(wú)法滿(mǎn)足許多較高功率的的需求,但并聯(lián)的做法除了需要較高功率的設(shè)計(jì)外,也會(huì)因電池內(nèi)阻的關(guān)系產(chǎn)生充電不均降低電池的壽命

2021-01-07 關(guān)鍵字: 微控制器鋰電池電池充電

關(guān)于TMR磁傳感器技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用方向

針對(duì)磁傳感器的發(fā)展歷程,無(wú)論是第一代的霍爾傳感器,還是之后的AMR傳感器、GMR傳感器,包括現(xiàn)在的TMR傳感器,本質(zhì)都是對(duì)磁場(chǎng),尤其是對(duì)電磁場(chǎng)的利用。

2021-01-07 關(guān)鍵字: 磁傳感器GMR傳感器AMR傳感器

如何權(quán)衡射頻電路中電感器性能規(guī)格

偏置三通允許直流電流偏置有源器件,如二極管。直流偏置電流和AC/RF信號(hào)疊加在一起,從AC+DC輸出端口輸出。

2021-01-07 關(guān)鍵字: 電感器RFID轉(zhuǎn)發(fā)器nfc諧振器

DCDC電源實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試方案解析

本文設(shè)計(jì)了一種基于MOSFET的小功率實(shí)用電子負(fù)載。如下圖所示,該設(shè)計(jì)主要包括MOSFET,驅(qū)動(dòng)級(jí),電源軌及脈沖發(fā)生器四部分。

2021-01-07 關(guān)鍵字: DCDC電源瞬態(tài)測(cè)試

采用四象限D(zhuǎn)C-DC轉(zhuǎn)換器的電流控制解決方案

ADI LT8714 是用于四象限穩(wěn)壓器的控制器。它擁有此類(lèi)調(diào)節(jié)所需的全部功能。例如,使用該IC可以精確維持0 V的電壓。圖3顯示了帶有控制器IC和功率級(jí)的簡(jiǎn)化電路圖。

如何有效地檢測(cè)Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非??焖俚幕謴?fù)時(shí)間,這可提高開(kāi)關(guān)速率,并減小磁性元件和其它無(wú)源元件的尺寸,從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

一種波峰焊工藝陶瓷電容的失效案例

波峰焊接是否對(duì)所有規(guī)格的陶瓷電容都會(huì)產(chǎn)生影響,還是僅對(duì)此規(guī)格電容的影響較大?為驗(yàn)證以上疑問(wèn),抽取了另外三種規(guī)格的電容同樣進(jìn)行波峰焊接試驗(yàn)。

2021-01-06 關(guān)鍵字: 陶瓷電容波峰焊

偶發(fā)故障期失效率以及損耗失效期壽命的評(píng)估方案

陶瓷電容器容值的計(jì)算公式如下。式中,C為電容量,εr和ε0分別表示陶瓷介質(zhì)介電常數(shù)和真空介電常數(shù),A表示內(nèi)電極有效面積,d表示陶瓷介質(zhì)厚度,N表示內(nèi)有效內(nèi)電極層數(shù)。

2021-01-06 關(guān)鍵字: 陶瓷電容

深度解讀提高芯片計(jì)算的密度晶體管堆疊技術(shù)

兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國(guó)際等芯片代工廠量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍采用基于多柵鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)結(jié)構(gòu)。在 5 納米及以下的制程時(shí),更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的發(fā)熱和漏電將變得難以控制,人們必須尋找全新的工藝,堆疊晶體管設(shè)計(jì)正在成為重要方向。 ? NMOS 和 PMOS 組件通常是并列出現(xiàn)在芯片上的。英特爾現(xiàn)在已經(jīng)找到了讓它們彼

探討實(shí)時(shí)機(jī)器學(xué)習(xí)的概念及其應(yīng)用現(xiàn)狀

對(duì)于實(shí)時(shí)機(jī)器學(xué)習(xí)的含義,現(xiàn)在似乎還沒(méi)有明確的共識(shí),而且也還沒(méi)有人深入探討過(guò)產(chǎn)業(yè)界該如何做實(shí)時(shí)機(jī)器學(xué)習(xí)。

2021-01-06 關(guān)鍵字: fpga機(jī)器學(xué)習(xí)

深度解析模擬芯片信號(hào)處理原理 電源管理芯片產(chǎn)品與應(yīng)用

1.模擬芯片:處理連續(xù)函數(shù)形式模擬信號(hào)(如聲音、光線、溫度等)集成電路。 2.模擬芯片類(lèi)別: a.信號(hào)鏈類(lèi)模擬芯片產(chǎn)品:放大器芯片(包括運(yùn)算放大器、音頻放大器和視頻驅(qū)動(dòng)器等)、模擬開(kāi)關(guān)及接口電路等。 b.電源管理類(lèi)模擬芯片產(chǎn)品:LED驅(qū)動(dòng)電路以及線性穩(wěn)壓器、ADC/DAC轉(zhuǎn)換器、CPU電源監(jiān)測(cè)電路、鋰電池充電管理芯片、過(guò)壓保護(hù)電路及負(fù)載開(kāi)關(guān)等非驅(qū)動(dòng)類(lèi)電源管理產(chǎn)品。 3.應(yīng)用方向:廣泛應(yīng)用于通信、汽車(chē)、電腦周邊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域,其中消費(fèi)

2021-01-06 關(guān)鍵字: 線性穩(wěn)壓器信號(hào)處理

解讀浪涌電流測(cè)試儀技術(shù)解決方案

浪涌電流脈沖的幅度和形狀由測(cè)量單元7控制。在浪涌電流脈沖結(jié)束之后,開(kāi)關(guān)10和11由來(lái)自同步電路13的命令閉合。

“收聽(tīng)”位于0到22kHz之間頻段的無(wú)線電波解決方案

在這些低頻頻段,揚(yáng)聲器或耳機(jī)聽(tīng)不到信號(hào),或者相反,聲音可以發(fā)出,但不是主要活動(dòng),通常在其他頻率上的情況也是如此。

基于藍(lán)牙的HMI應(yīng)用可靠設(shè)計(jì)解決方案

工業(yè)設(shè)備HMI將給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。因?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格可能需要遵循標(biāo)準(zhǔn)的指導(dǎo),設(shè)備可能會(huì)受到物理尺寸的限制,并且可能需要為較大的設(shè)備配備控制裝置。工業(yè)環(huán)境中使用的產(chǎn)品代表著至關(guān)重要的資本投資,這意味著即使它們堅(jiān)固的本地接口受到各種壓力因素的影響,仍希望它們可以可靠地使用多年。安全也是另一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的因素。在連接到其他設(shè)備(例如計(jì)算機(jī))時(shí),產(chǎn)品必須保持安全運(yùn)行,這通常需要在所有外部端口上進(jìn)行電氣隔

異質(zhì)集成改變精密轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng)方案解析

系統(tǒng)架構(gòu)師和電路硬件設(shè)計(jì)人員針對(duì)最終應(yīng)用(如測(cè)試和測(cè)量、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療健康或航空航天和防務(wù))需求,往往要耗費(fèi)大量研發(fā)(RD)資源來(lái)開(kāi)發(fā)高性能、分立式精密線性信號(hào)鏈模塊,以實(shí)現(xiàn)測(cè)量和保護(hù)、調(diào)節(jié)和采集或合成和驅(qū)動(dòng)。本文將重點(diǎn)討論精密數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng),如圖1所示。 圖1. 高級(jí)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)框圖。 電子行業(yè)瞬息萬(wàn)變,隨著對(duì)研發(fā)預(yù)算和上市時(shí)間(TTM)的控制日益嚴(yán)苛,用于構(gòu)建模擬電路并制作原型來(lái)驗(yàn)證其功能的時(shí)間也越來(lái)越少。在散熱

2021-01-05 關(guān)鍵字: 模擬電路數(shù)字隔離器儀表放大器

降低空載損耗提高開(kāi)關(guān)電源效率DOE VI方案解析

六級(jí)能效對(duì)于一些產(chǎn)商既充滿(mǎn)機(jī)遇也充滿(mǎn)挑戰(zhàn)。而對(duì)于電源工程師而言,不增加成本就能提高效率無(wú)疑是最為理想的。本文中提出了能夠提高開(kāi)關(guān)電源效率還能節(jié)約成本來(lái)滿(mǎn)足DOE VI的方案。 六級(jí)能效(DOE VI)解讀 要按規(guī)則辦事,首先就要了解規(guī)則,我們需要對(duì)標(biāo)準(zhǔn)有足夠的認(rèn)識(shí)。DOE,全稱(chēng)Department Of Energy,是美國(guó)能源部頒布的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn),主要對(duì)象為適配器、充電器等外置式電源。我們可以到其官網(wǎng)來(lái)了解其規(guī)則和下載最新的能效要求文件。 ? 圖1:能效

2021-01-05 關(guān)鍵字: 變壓器開(kāi)關(guān)電源充電器

以太網(wǎng)口信號(hào)質(zhì)量測(cè)試分析 DAC驅(qū)動(dòng)偏置機(jī)理的探討

作為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員,對(duì)子系統(tǒng)功能的了解以及信號(hào)回路模型的理解是我們進(jìn)行系統(tǒng)定性分析的根本,而對(duì)于內(nèi)部電路的深入研究是我們進(jìn)行系統(tǒng)指標(biāo)設(shè)計(jì)量化的基礎(chǔ)。

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