本文系中興通訊股份有限公司投稿的論文。

作者：楊航，唐丹，任曉琳，王波。

1. 前言

陶瓷貼片電容作為應用最廣泛且最重要的被動元器件之一，在通信和電子設備中大量使用，尤其是隨著5G以及汽車行業(yè)的興起，陶瓷電容的使用量逐年增長。

陶瓷電容在使用過程中，常見的失效原因有內部缺陷（裂紋、空洞、內電極結瘤等）、機械應力、電應力和熱應力等。隨著陶瓷電容在供應商生產端自動化能力的提升和篩選手段的加嚴，以及在用戶應用端對電容在PCB上布局的規(guī)范以及電子裝聯(lián)技術的提升，以往常見的機械應力和焊接熱應力等生產過程中的早期失效情況已經大大減少。近年來，筆者接觸到陶瓷電容失效最多且影響較大的都為電容服役一段時間后發(fā)生的失效。為減少電容在終端用戶處服役階段的失效，使陶瓷電容失效率水平和壽命能夠達到用戶需求，如何有效的評估陶瓷電容在服役過程中的失效率以及極限壽命就顯得尤其重要。

本文結合浴盆曲線，分別提出了偶發(fā)故障期失效率以及損耗失效期壽命的評估方法。失效率和壽命相結合，將能有效對陶瓷電容實際使用能力進行最大程度的評估，為用戶選型以及使用作出指導。

2. 陶瓷電容發(fā)展現狀與趨勢

陶瓷電容自誕生以來，就朝著小尺寸、大容量的趨勢發(fā)展。近年來，0201和0402封裝已成為行業(yè)主流，這兩種封裝的需求量已超過總需求的70%；01005、008004等更小封裝產品也相繼面世，且需求量逐年增加。在容值方面，100μF、220μF、330μF等大容量產品已在行業(yè)內大量使用，日本太陽誘電在19年宣布了可量產1000μF陶瓷電容。

陶瓷電容器容值的計算公式如下。式中，C為電容量，εr和ε0分別表示陶瓷介質介電常數和真空介電常數，A表示內電極有效面積，d表示陶瓷介質厚度，N表示內有效內電極層數。

（1）

由公式1可知，為實現小封裝和大容量特點，就必須在相同尺寸的電容內堆疊盡可能多的層數（增大N值），且需要降低介質層的厚度（減小d值），目前日系廠家介質厚度已經能實現0.3μm以下。層數的增加以及介質層厚度的減小，都對陶瓷電容原材料和制造工藝提出了巨大的挑戰(zhàn)，生產過程中細小的異物或空洞都將造成致命的影響。同樣，由于小封裝和大容量的發(fā)展，陶瓷電容設計的余量越來越小，對用戶提出的要求越來越高，在選型時對陶瓷電容失效率和極限壽命的評估也顯得十分必要。

3. 浴盆曲線

實踐證明大多數設備的故障率是時間的函數，典型故障曲線由于形狀呈現出兩頭高，中間低，所以被稱為“浴盆曲線”。浴盆曲線同樣適用于表示陶瓷電容的故障率。

浴盆曲線中第一階段為早期失效，如前所述，陶瓷電容早期失效多數在廠家生產過程中的電性能加嚴篩選階段被剔除，或發(fā)生在客戶焊接電容過程中，如生產撞件和單板彎曲應力；第二階段為偶然失效期，此階段失效率較低且處于平穩(wěn)期，此階段失效常見的原因為零星的電容內部存在無法剔除的細微缺陷，在損耗失效期前提前暴露；第三階段為損耗失效期，主要由于電容的老化造成，即接近到達了電容的壽命終點，此階段隨著時間的變化故障率呈現出迅速上升趨勢[1,2]。對于陶瓷電容，第一階段失效能夠被有效剔除和及時發(fā)現，所以重點關注的是第二階段的失效率，以及進入第三階段的時間，即極限壽命。

圖1 浴盆曲線

4. 陶瓷電容加速壽命換算與失效率計算公式

陶瓷電容一般通過加速試驗的方法對壽命進行換算。常見的計算公式是基于Arrhenius加速模型得到，Mogilevsky和Shirn在陶瓷電容加速壽命試驗文章中提出的公式為[3,4]：

（2）

式中，L1為需要換算條件下的壽命，L2為實際加速試驗結果的壽命；V1和V2分別為需換算條件下的電壓和實際加速試驗條件的電壓；T1和T2分別為需換算條件下的溫度和實際加速試驗條件的溫度（開爾文溫度）；n為電壓加速因子，通常取3~5；Ea為活化能，通常取1.1~1.3eV；KB為玻爾茲曼常數（8.62×10-5eV/K）。

失效率可用Fit來進行表示，計算公式如下：

FR=（r/T）×K×109（Fit） (3)

公式中，r表示試驗過程中電容的失效數量（如果無失效，則式中r×K=0.917）；T表示試驗樣品數量與試驗時間（或換算時間）的乘積；K為60%置信度下的常數，具體取值見下表1。

表1 不同失效數量對應K值

5. 偶發(fā)失效期失效率評估方法

為評估陶瓷電容在正常服役條件下偶發(fā)失效期的失效率，一般采用大樣品量（1000~10000顆）、低加速應力（1~1.5倍額定電壓）、長時間（1000~2000h）的試驗方案，根據試驗結果計算評估實際使用條件下的Fit值。

5.1 試驗方法與結果

選取市場上某品牌溫度特性：X7S，電壓：6.3V，容值：47μF±20%，封裝：1216（X7S-6.3V-47μF±20%-1210）的陶瓷電容，數量1000顆，將電容焊接在測試板上，在上限工作溫度125℃、1.5倍額定電壓9.45V條件下試驗2000h。實時監(jiān)控電容的IR值，當IR下降至一定程度后判定為失效。

在此條件下此次試驗完成2000h試驗后該規(guī)格電容失效數量為2顆。

5.2 失效率計算

假設此規(guī)格電容在用戶處正常工作條件為100℃、3.3V，要計算此條件下偶然失效期的失效率，首先通過公式2將試驗條件125℃、9.45V的2000h換算得到100℃、3.3V條件下的時間（取電壓加速因子為3，Ea為1.1）：

計算結果L1=402000h，即電容在125℃、9.45V試驗2000h，相當于在100℃、3.3V下工作約402000h。得到此時間后，再根據公式3來計算電容在100℃、3.3V條件下的偶發(fā)失效率：

FR=（2/1000*402000）×1.56×109（Fit）=7Fit

綜合以上計算，可得到這個規(guī)格電容在100℃、3.3V下工作，偶然失效期的失效率約為7Fit。當然，根據實際情況，如果電容在不同的條件下工作，通過以上公式也能得到不同實際使用條件下的失效率。

值得注意的是，此試驗中失效電容是處于偶然失效期，因此得到的試驗結果只能用來評估失效率，而不能用于來衡量損耗失效期的壽命。另外，失效率計算結果可能會隨著試驗樣本量、試驗時間以及試驗條件變化而變化，試驗樣本量越大、試驗時間越長、試驗條件越接近于實際使用條件，得到的結果越真實，但是受到試驗設備和時間的限制，不能無限的增大數量和延長時間，所以可以根據實際情況調整樣本量和試驗條件。

6. 損耗失效期壽命評估方法

僅僅評估電容在偶然失效期的失效率還是不夠的，失效率雖低但如果在短短兩三年時間內就進入了磨損失效那同樣也是不能滿足要求的。因此，用戶還希望知道電容的使用壽命，知道電容在什么時候會進入到損耗失效期。為評估電容的損耗期壽命，一般通過高加速應力試驗（150℃或以上高溫，3~5倍額定電壓），使電容進入到損耗失效階段發(fā)生大量失效，再根據試驗結果結合韋伯分布擬合，評估電容在實際使用條件下的壽命。

6.1 試驗方法

同樣取某品牌規(guī)格為X7S-6.3V-47μF±20%-1210的陶瓷電容，數量20顆，焊接在測試板上，在150℃、20V電壓下進行試驗，實時監(jiān)控每一顆電容的漏電流值，當在高溫下漏電流超過一定值后判定為失效，試驗持續(xù)進行直至20顆電容完全失效。

圖2 測試電容焊接在測試板上

6.2 試驗結果與壽命評估

記錄此規(guī)格在150℃、20V下20顆樣品失效時間如下表2。

表2 試驗樣品失效時間

韋伯分布是瑞典物理學家Weibull教授提出的一個數學模型，是近年來在壽命可靠性分析中使用最廣泛的模型之一。根據測試結果，通過韋伯分布擬合得到如下圖3曲線。

圖3 試驗結果韋伯擬合曲線

在此類試驗中，通常情況下陶瓷電容行業(yè)內日系品牌取B1時間（1%失效率時間）來換算實際使用條件下壽命，此試驗結果通過韋伯分布擬合得到B1為337min。同樣，假設此規(guī)格電容在用戶處正常工作條件為100℃、3.3V，那么通過公式2和B1可得到在此條件下此電容的壽命約8.12年（取電壓加速因子為3，Ea為1.1）。同樣，如果電容在其他條件下工作，也可以通過同樣的方法計算不同條件下對應的壽命。

綜合以上結果，該規(guī)格為X7S-6.3V-47μF±20%-1210的電容，如在100℃、3.3V下工作，運用以上兩種方法，通過計算得到偶然失效期失效率約為7Fit，工作大約8.12年后會進入到磨損失效期。通過以上實驗，不僅能評估電容在服役期間的偶發(fā)失效率，還能夠評估電容的進入損耗失效期的時間。更重要的是，通過試驗可以為用戶提供選型指導，如此使用條件下（100℃、3.3V）計算得到的失效率或壽命不能滿足產品需求，用戶可以進行更大程度的降額，從而降低失效率和延長壽命。

7. 結束語

本文結合浴盆曲線，分別介紹了陶瓷電容在偶然失效期的失效率，以及在損耗失效期的壽命計算方法，并提出運用兩種方法同步進行評估，綜合兩個試驗結果對選型進行指導。運用此方法能夠對陶瓷電容的整體性能有全面的把控，用戶也可以根據試驗結果調整降額條件，使電容在適當的環(huán)境下長期穩(wěn)定的工作，避免電容在服役過程中發(fā)生高比率失效或過早進入損耗期。

參考文獻

[1] 朱曉燕，曹晉紅. 浴盆曲線在可靠性設計與管理中的應用[J]. 中國質量,7(2):47-51,2007.

[2] 賀國芳. 可靠性數據的收集與分析[M]. 北京:國防工業(yè)出版社,1995.

[3] Minford, W.J. Accelerated life testing and reliability of high K multilayer ceramic capacitors[C]. IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, CHMT-5,297-300,1982.

[4] Mogilevsky, B.M. and Shirn, G.A. Accelerated life tests of ceramic capacitors[C]. IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, CHMT-11,351-357,1988.
編輯：hfy