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摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)。基于HF二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機(jī)制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解是在集成電路制造的一個(gè)基本步驟。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高頻溶液中的蝕刻速率作為濃度、溫度、氧化物生長過程和溶液攪拌的函數(shù)。 ? 介紹 稀釋度高頻解中的平衡點(diǎn) ?在稀高頻溶液中，高頻=H++F([3]HF+F-=；對于平衡常數(shù)(反應(yīng)r~和r2的1和K2，其值分別為6.8510 4 工具

VCC 去耦電容 芯片內(nèi)置的微型變壓器的頻率高達(dá)約 70MHz，短時(shí)間內(nèi)如此大頻率的切換，將引起較大的 dv/dt 及di/dt，將產(chǎn)生一定的電磁輻射。 微型變壓器的原副邊電流路徑的環(huán)路面積影響著輻射干擾的強(qiáng)弱，電流環(huán)路越大，輻射越強(qiáng)。 PCB 布線時(shí)需要最大程度地縮小電流路徑的環(huán)路面積。 輸入 VCC 及輸出側(cè) VISO 的儲(chǔ)能電容及耦合電容位置放盡可能擺放在靠近芯片的管腳位置， 以減少環(huán)路面積和 PCB 走線的寄生電感， 一般應(yīng)控制在 2mm 以內(nèi)。 儲(chǔ)能電容 10μ

川土微隔離電源的輻射抑制設(shè)計(jì)參考（一）...

引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究了IPA蒸汽干燥后異丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。結(jié)果表明，在這些實(shí)驗(yàn)條件下，定性和定量的微量雜質(zhì)小至單分子吸附層的1/10。結(jié)果證實(shí)，濕化學(xué)過程和干燥方法對晶片表面條件的影響。 本文介紹在硅片上吸附分子的分析結(jié)果。為了估計(jì)濕式化學(xué)處理后的微污

通常工程師在設(shè)計(jì)SAR ADC時(shí)，通常需要注意以下三個(gè)方面：ADC前端驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，參考電壓設(shè)計(jì)，數(shù)字信號輸出部分設(shè)計(jì)。本文將介紹ADC的前端驅(qū)動(dòng)所需要的注意的一些要素。

引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項(xiàng)研究中，銅在50℃用兩種不同的蝕刻劑(氯化鐵和氯化銅)進(jìn)行化學(xué)蝕刻。研究了選擇的蝕刻劑和加工條件對蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明，氯化鐵產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快，但氯化銅產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快最光滑的表面質(zhì)量。 關(guān)鍵詞:化學(xué)蝕刻；銅

引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附力以及添加劑對顆粒粘附和去除的作用。清潔溶液。加入檸檬酸后，由于檸檬酸鹽的吸附作用，二氧化硅和銅的ζ電位略有增加。檸檬酸被吸附在二氧化硅和銅表面，導(dǎo)致這些表面上有更多的負(fù)電荷。二氧化硅顆粒對銅的附著力隨著檸檬酸濃度的增加而降低，這是

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 解了什么樣的雜質(zhì)會(huì)給半導(dǎo)體器件帶來什么樣的壞影響。 作為半導(dǎo)體器件制造中的雜質(zhì)，大致可以分為粒子、殘?jiān)?、金?、有機(jī)物。粒子會(huì)妨礙布線圖案的正常形成，引起信號開路不 良和短路不良。另外，干蝕刻生成的聚合物生成物等殘?jiān)?，?果沒有完全除去，同樣會(huì)引起信號開路不良、短

在設(shè)計(jì)可靠的伺服驅(qū)動(dòng)控制模塊時(shí)，精度和保護(hù)特性對于確保可靠運(yùn)行至關(guān)重要。如果在設(shè)計(jì)過程中沒有重視這些特性，可能會(huì)導(dǎo)致讀數(shù)錯(cuò)誤或者模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）或微控制器損壞，從而降低系統(tǒng)效率或?qū)е峦C(jī)。

引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕，并用D2400剪切測試儀測量界面粘合。在同一樣品的不同部分發(fā)現(xiàn)不同的粘合強(qiáng)度。在基材的中心觀察到比旋涂粘合膜的其他位置更高的粘合強(qiáng)度。在沉積和固化的粘合劑層受熱后也測量粘合強(qiáng)度，以評估粘合劑膜的耐熱性。在熱暴露之后，由于熱降解，粘附強(qiáng)度從基底的所有位置顯著降低。同樣，對于不同的等離子體處理

本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng)，利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對晶片形成圖案，并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽極位置優(yōu)化、多步驟TSV填充過程、添加劑濃度和電鍍電流密度優(yōu)化，在保持無空隙填充輪廓的同時(shí)提高填充效率，通過tsv的晶片段電鍍,驗(yàn)證了其可用性。利用線性掃描伏安法(LSV)、計(jì)時(shí)安培法和數(shù)值模擬方法研究了其作用機(jī)理。 對于本文開發(fā)的原型器件，設(shè)計(jì)了四種圖案晶片，其中包括050μmx 150μm,040μm

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物，還可以消除包含特征的蝕刻金屬的表面腐蝕。此外，我們還利用聚對苯二甲酸乙二 醇酯(PET)通過將薄膜從親水改性為疏水來修復(fù)低k損傷和防止薄膜表面氧化膜的形成，特別是對于低k、超低k介電工藝。結(jié)果表明，聚酯在可靠性性能方面的實(shí)際效果高度依賴于特定的蝕

摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文討論了表面處理參數(shù)的特點(diǎn)及其影響。硅技術(shù)中RCA濕化學(xué)處理的特性基于SC-1和QDR的處理時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率。提出了一種通過增加濕法清洗化學(xué)過程的變量來改進(jìn)晶片表面制備的方法。 介紹 對SC-1和QDR的加工時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率的影響進(jìn)行了廣泛的研究.這些研究表明，對顆粒

由于集成磁力計(jì)的快速發(fā)展，測量電機(jī)周圍的雜散磁場是另一種對旋轉(zhuǎn)機(jī)器進(jìn)行狀態(tài)監(jiān)控的頗有前景的方法。測量采用非接觸式；也就是說，機(jī)械和傳感器之間不需要直接連接。與振動(dòng)傳感器一樣，磁場傳感器也有單軸和多軸版本。

引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發(fā)光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1分鐘)會(huì)立即去除自然氧化 膜。然而，SE數(shù)據(jù)表明，自然氧化膜不能被完全蝕刻去除。這是因?yàn)槲g刻后的樣品一暴露在空氣中，氧化 物就開始重新生長。SE估計(jì)粗糙度約為1納米，而原子力顯微鏡粗糙度值約為0.3納米。XPS光譜證實(shí)了自- 然氧化物的去除以及HF蝕刻的GaP表面上再生長氧化物的

電池供電電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案通常可以用非常低的工作電壓提供數(shù)百瓦的功率。在這些應(yīng)用中，為確保整個(gè)系統(tǒng)的能效和可靠性，必須正確管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流 。

FPGA 的 TLS 處理功能是 TCP 卸載引擎的擴(kuò)展，其中 TCP 有效載荷的加密與解密在 FPGA 中執(zhí)行。TSL 會(huì)話的發(fā)起與認(rèn)證在軟件中執(zhí)行（CPU）。在建立安全連接時(shí)，由 FPGA 執(zhí)行后續(xù)的 TLS 記錄處理。

在環(huán)境溫度變化為±5°C時(shí)，設(shè)備的電流和電壓控制精度需要優(yōu)于滿量程的±0.02%。精度在很大程度上取決于電流感應(yīng)電阻器和放大器的溫漂。

2021年6月學(xué)子專區(qū)文章中提出的關(guān)于硬件限制問題的說明對本次實(shí)驗(yàn)也是有效的。通過提高信號電平，然后在波形發(fā)生器輸出和電路輸入之間放置衰減器和濾波器（參見圖1），可以改善信噪比。

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對顆粒去除非常有效，但去除機(jī)制仍不清楚。對于去，除重有機(jī)污染物，piranha清洗是一個(gè)有效的過程；然而，piranha后殘留物頑強(qiáng)地粘附在晶片表面，導(dǎo)致顆粒生長現(xiàn)象。已經(jīng)進(jìn)行了一系列實(shí)驗(yàn)來幫助理解這些過程與硅的相互作用。