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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>Nexperia推出新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率

Nexperia推出新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率

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2011-11-16 08:54:111267

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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。SL1583需要最少數(shù)量的現(xiàn)成標(biāo)準(zhǔn)外部器件,并提供6引腳SOT23-6兼容封裝。 特點(diǎn): 高效率:高達(dá)98%的600KHz頻率工作2輸出電流NoSchottky二極所需的4.0V至18V輸入電壓
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IGBT是什么

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IGBT測(cè)量好壞

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯 請(qǐng)哪位高手指點(diǎn)一下,如何測(cè)量IGBT的好壞,謝謝
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IGBT簡(jiǎn)述

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提供正負(fù)偏置電壓。主要特色雙路隔離式輸出,+15V/-9V @ 200mA,4.8W 功率, IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器的理想偏置電源小型電源模塊設(shè)計(jì),標(biāo)準(zhǔn) DIP 封裝+/-5% 交叉調(diào)節(jié),87% 峰值
2018-12-21 15:06:17

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2012-06-06 12:13:103189

客車(chē)DC600V供電電源主電路的設(shè)計(jì)

為了提高客車(chē)DC600 V供電電源的功率因數(shù),減小輸出電壓的波動(dòng),對(duì)主電路提出了基于二極不控整流+IGBT降壓斬波的設(shè)計(jì)。通過(guò)對(duì)主電路的PSIM仿真,表明該電路能夠大幅提高DC600 V電源
2012-06-06 16:29:2674

電源供電的IGBT驅(qū)動(dòng)電路在鐵路輔助電源系統(tǒng)的應(yīng)用

電源供電的IGBT驅(qū)動(dòng)電路在鐵路輔助電源系統(tǒng)的應(yīng)用
2012-06-11 10:43:163216

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB

Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體IGBT) IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533853

Imagination推出新款PowerVR高效率視頻編碼IP系列產(chǎn)品

2015年3月9日 –Imagination Technologies 宣布推出新款PowerVR高效率視頻編碼(HEVC) IP系列產(chǎn)品,她是專(zhuān)為提供最高質(zhì)量H.265編碼所設(shè)計(jì),并能優(yōu)化硅晶面積與帶寬占用。
2015-03-10 14:56:091430

ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:432436

德國(guó)馬勒推出新款48V電池 在安全和成本方面更具優(yōu)勢(shì)

據(jù)外媒報(bào)道,德國(guó)馬勒(MAHLE)全資工程服務(wù)部門(mén)馬勒Powertrain推出新款48V電池,可用于輕度混合電動(dòng)汽車(chē),將存儲(chǔ)和釋放的回收能量實(shí)現(xiàn)最大化,從而顯著提高輕混車(chē)型的效率,節(jié)省12%至15
2019-11-14 15:00:112982

如何設(shè)計(jì)600V FS結(jié)構(gòu)的IGBT

商業(yè)化正處于起步階段,F(xiàn)S技術(shù)更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國(guó)家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法,并通過(guò)
2019-12-19 17:59:0025

優(yōu)特電源推出新款600W緊湊型恒流LED驅(qū)動(dòng)電源 效率高達(dá)95%

優(yōu)特電源推出新產(chǎn)品600W緊湊型恒流LED驅(qū)動(dòng)電源,效率高達(dá)95%。該產(chǎn)品采用了最新的解決方案,尺寸僅為237x125x43mm,和市面上競(jìng)品480W一樣大小,廣泛應(yīng)用于球場(chǎng)燈,工礦燈,植物燈和高桿燈照明。
2020-03-13 13:59:541796

IGBTTRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述

TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝,電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來(lái)更高的擊穿電壓(650V)、一流的性價(jià)比和效率,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:304118

傳蘋(píng)果最早4月推出新款iPad Pro

曝蘋(píng)果最早4月推出新款iPad Pro的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注,之所以這款iPad Pro備受關(guān)注,很大一部分原因在于這將是蘋(píng)果旗下首款待在mini led屏幕的產(chǎn)品。知名分析師郭明錤給出最新判斷,曝蘋(píng)果最早4月推出新款iPad Pro,看好mini LED在蘋(píng)果產(chǎn)品線的重要度。
2021-03-19 08:59:227297

650V混合SiC的開(kāi)關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160

Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗特性,能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026

IGBT參數(shù)解析-上

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件,本文基于英飛凌IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT
2023-02-07 15:36:5912542

IGBT參數(shù)解析-下

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件,本文基于英飛凌IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:2812543

igbtigbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

IGBT的封裝形式比較簡(jiǎn)單,只有一個(gè)IGBT晶體,一個(gè)反向恢復(fù)二極和一個(gè)可選的溫度傳感器,而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701

逆變H橋IGBT驅(qū)動(dòng)+保護(hù)

大家都知道,IGBT相當(dāng)?shù)拇嗳?,同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說(shuō),在逆變H橋 里頭,MOSFET上去沒(méi)有問(wèn)題,但是IGBT上去,可能開(kāi)機(jī)帶載就炸了
2023-02-22 15:09:122

FGH60N60SMD 60A600V IGBT在工業(yè)逆變應(yīng)用的解決方案

場(chǎng)截止IGBT 60A600VFGH60N60SMD 采用新型場(chǎng)截止 IGBT技術(shù),為太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊接機(jī)、電信、ESS 和 PFC 等低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用。
2023-02-24 09:58:530

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V
2023-04-20 15:55:362348

Nexperia | USB4 ESD 二極實(shí)現(xiàn)了保護(hù)和性能的出色平衡

Nexperia | USB4 ESD 二極實(shí)現(xiàn)了保護(hù)和性能的出色平衡
2023-05-24 12:17:54899

安世半導(dǎo)體推出新款600 VIGBT

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體(IGBT)市場(chǎng),而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮
2023-07-05 16:34:292114

Nexperia憑借600 V器件進(jìn)入IGBT市場(chǎng)

除了這些新材料外,絕緣柵雙極晶體(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場(chǎng),推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
2023-07-18 15:35:531322

Nexperia (安世半導(dǎo)體)推出新款600 VIGBT,可在電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)出色效率

IGBT是一項(xiàng)相對(duì)成熟的技術(shù)。盡管如此,這些器件的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將隨著太陽(yáng)能面板和電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電器的日益普及而有所增長(zhǎng)。Nexperia600 V IGBT采用穩(wěn)健、經(jīng)濟(jì)高效的載流子儲(chǔ)存溝槽柵場(chǎng)
2023-08-14 09:34:51966

600 VIGBT,可在電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)出色效率

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體(IGBT)市場(chǎng),而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮
2023-08-14 16:00:49965

igbt和雙管的區(qū)別

小、開(kāi)關(guān)速度快、耐高壓等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設(shè)備。在IGBT被廣泛應(yīng)用的同時(shí),許多工程師也對(duì)其進(jìn)行了深入研究,一般認(rèn)為IGBT和雙管在性能上有所不同,接下來(lái)我們將詳細(xì)講解IGBT和雙管的區(qū)別。 1.定義: IGBT指的是僅具有一個(gè)MOS和一個(gè)BPT(雙極晶體)的I
2023-08-25 15:11:226357

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT,產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:573361

新款600 VIGBT,可在電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)出色效率

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體(IGBT)市場(chǎng),而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮
2023-09-19 02:43:54960

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)20A600Vigbt規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600Vigbt,提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關(guān)鍵參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:29:481

ups逆變器igbtSGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)ups逆變器igbtSGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書(shū)參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:345

igbt芯片、igbt、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么?

大功率應(yīng)用,如電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT、IGBT模塊和IGBT器件之前,我們先來(lái)了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點(diǎn)。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:284750

如何用無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實(shí)現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

如何用無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實(shí)現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-06 15:52:181151

英飛凌IGBT命名規(guī)則

英飛凌IGBT命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:352305

高速風(fēng)筒igbt模塊方案設(shè)計(jì)

一、引言 高速風(fēng)筒是一種廣泛應(yīng)用于家庭和商業(yè)領(lǐng)域的小型電器設(shè)備,用于快速干燥和造型吹風(fēng)。在高速風(fēng)筒的電路設(shè)計(jì),IGBT(絕緣柵雙極晶體)模塊扮演著重要的角色。該文章將詳細(xì)介紹高速風(fēng)筒IGBT
2023-12-01 14:34:471284

安世半導(dǎo)體宣布推出新款GaN FET器件

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝,為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:171650

IGBT和模塊的對(duì)比和分析

最近很多朋友和我聊到IGBT和模塊的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余,對(duì)和模塊都有一定的應(yīng)用,開(kāi)發(fā)過(guò)的產(chǎn)品包括工頻塔式機(jī)UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電
2024-01-09 09:04:352780

介紹一款用于光伏儲(chǔ)能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT;
2024-03-15 14:26:0746430

微半導(dǎo)體推出新款車(chē)規(guī)級(jí)SoC BAT32A6700

近日,微半導(dǎo)體(深圳)股份有限公司進(jìn)一步擴(kuò)展了其產(chǎn)品線,宣布推出新款車(chē)規(guī)級(jí)SoC芯片BAT32A6700。這款新型SoC芯片集成了MCU(微控制器)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)、LIN收發(fā)器以及CAN控制器,展現(xiàn)出了其全面的功能性和高度的集成度。
2024-05-06 15:35:531192

Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT

陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT,產(chǎn)品型號(hào)為YGW60N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO247-3L封裝
2024-07-14 11:29:231713

igbt在高頻電源的作用有哪些

IGBT(絕緣柵雙極晶體)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源,IGBT具有許多重要作用,以下是對(duì)這些作用的分析: 高效率IGBT具有較高的導(dǎo)通電阻和較低的開(kāi)關(guān)損耗,因此在
2024-08-07 17:08:401826

IGBT芯片//模塊/器件的區(qū)別

在電力電子技術(shù)的快速IGBT(絕緣柵雙極型晶體)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)步的使命。下面,我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。
2024-10-15 15:23:452471

陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT,產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

Nexperia推出新款汽車(chē)級(jí)SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車(chē)級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體,SiCMOSFET),這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)
2025-05-08 11:09:50620

ADUM4135電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

。 ADuM4135提供米勒箝位,可在柵極電壓低于2 V(典型值)時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的IGBT單軌電源關(guān)斷。使用或不使用米勒箝位電路,都可以采用單極或雙極次級(jí)電源供電。
2025-06-04 09:52:241083

Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912

飛虹IGBTFHA75T65V1DL在逆變器的應(yīng)用

不同的逆變器對(duì)于IGBT使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有所區(qū)別,常見(jiàn)使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有高轉(zhuǎn)換效率(EURO≥97%)、高可靠性/短路耐受、低EMI/高開(kāi)關(guān)頻率(20kHz+) 、雙向能量流動(dòng)支持等。因此在選擇可以代換NCE75ED65VT型號(hào)IGBT時(shí),工程師也是要考慮上述的需求點(diǎn)。
2025-07-24 14:16:302063

飛虹IGBTFHA75T65V1DL在戶外儲(chǔ)能電源的應(yīng)用

戶外儲(chǔ)能電源的DC-AC逆變模塊(放電)、AC-DC整流模塊(充電)都會(huì)使用到IGBT。而從設(shè)計(jì)的專(zhuān)業(yè)角度可了解到,不同戶外儲(chǔ)能電源對(duì)于代換SGT75T65SDM1P7型號(hào)IGBT使用的關(guān)注點(diǎn)都會(huì)有所區(qū)別。
2025-07-30 15:33:152131

飛虹IGBTFHA75T65V1DL在電焊機(jī)的應(yīng)用

相信很多電子工程師都會(huì)有設(shè)計(jì)疑問(wèn),比如電焊機(jī)電路IGBT該如何選擇才會(huì)擁有更高性價(jià)比的型號(hào)參數(shù)呢?尤其是要考慮如何能代換JT075N065WED型號(hào)IGBT的產(chǎn)品。
2025-08-04 17:30:582072

揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT

揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái),極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類(lèi)中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:392486

Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141110

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