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飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在逆變器中的應(yīng)用

廣州飛虹半導(dǎo)體 ? 來源:廣州飛虹半導(dǎo)體 ? 2025-07-24 14:16 ? 次閱讀
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不同的逆變器對于IGBT單管使用的關(guān)注點(diǎn)會有所區(qū)別,常見使用的關(guān)注點(diǎn)會有高轉(zhuǎn)換效率(EURO≥97%)、高可靠性/短路耐受、低EMI/高開關(guān)頻率(20kHz+) 、雙向能量流動支持等。因此在選擇可以代換NCE75ED65VT型號IGBT單管時,工程師也是要考慮上述的需求點(diǎn)。

飛虹半導(dǎo)體始終在工程師角度來思考推薦,今天推薦的這一款I(lǐng)GBT單管是能代換NCE75ED65VT型號適用于各類逆變器中。

它就是FHA75T65V1DL型號IGBT單管,它具有75A、650V電流、電壓參數(shù),正滿足逆變器的電路設(shè)計(jì),而且能無縫代換NCE75ED65VTIGBT單管。

FHA75T65V1DL采用飛虹第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計(jì),使產(chǎn)品具有極低的VCE(sat)和極短的拖尾電流,為終端設(shè)計(jì)師在優(yōu)化系統(tǒng)效率時提供有力的幫助;并且產(chǎn)品擁有良好的短路性能。

在封裝上面,該IGBT單管屬于TO-247-3L外形封裝,合封了快恢復(fù)二極管,支持雙向能量流動,且適配市場大多數(shù)電路設(shè)計(jì)。

從FHA75T65V1DL的IGBT單管參數(shù)可看:Vge(th)(±V):30;IC-100℃(A):75A;V(BR)CES(V):650V。飽和壓降VCESAT(V):1.55V(Typ)、1.8V(Max);最高結(jié)溫Tjmax = 175°C。

正是上述參數(shù),讓FHA75T65V1DLIGBT單管是能更好代換NCE75ED65VT型號參數(shù)用于逆變器的電路。

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FHA75T65V1DL擁有高速開關(guān),低開關(guān)損耗;參數(shù)一致性高;正溫度系數(shù);無鉛,滿足ROHS環(huán)保要求等產(chǎn)品特點(diǎn)。讓其不僅能用于逆變器電路,還廣泛應(yīng)用于UPS、變頻器、電焊機(jī)以及所有硬開關(guān)等產(chǎn)品。

好產(chǎn)品才能占有更多市場,如研發(fā)中有選型的問題,歡迎溝通交流。需要選擇75A、650V的IGBT單管用于逆變器的選型問題,建議選用FHA75T65V1DL型號IGBT單管。

除參數(shù)適合外,飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務(wù)。飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制IGBT單管產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:逆變器常用的IGBT單管:650V、75A的FHA75T65V1DL型號性價比更高!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導(dǎo)體,微信公眾號:廣州飛虹半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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