美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:233979 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r候，流過電流的時候會產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個壓降和正向電流以及溫度有關。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶〒p耗?！ 〉栊ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導通狀態(tài)電阻很大，開關損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強等關鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級電流測試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復電流比硅快恢復二極管小，有利提升產(chǎn)品效率。 硅快速恢復二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
一步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種?！ 》桨敢唬簩GBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可應用更高的開關頻率，因而可以實現(xiàn)體積更小，更加緊湊的電源轉(zhuǎn)換器設計?！ ]有免費的午餐 當然，世上是沒有免費午餐的，在內(nèi)部體二極管和寄生參數(shù)方面
2023-03-14 14:05:02
，減少了不必要熱阻的增加。 05 總結(jié) 基本半導體推出的內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，從優(yōu)化安裝工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導熱痛點。原作者：基本半導體
2023-02-28 17:06:57
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應用SiC肖特基二極管可廣泛應用于開關電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護最短時間限制在1.5μs左右?！ ?）高dv/dt及di/dt對系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進行開關動作時，器件開關會產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D02120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:25:12
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D02120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:29:57
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D05120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:35:42
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D08120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:44:47
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D08120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:48:49
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D10120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:54:09
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:14:54
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:25:26
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120H好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:30:26
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120H好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:01:56
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:07:00
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:12:16
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
碳化硅(SiC)功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:401701 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355264 據(jù)外媒報道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上，英飛凌（Infineon）推出了首款車用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 因為本征載流子激發(fā)導致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:071866 Littelfuse， Inc.今日宣布推出兩款二極管，進一步擴大了其二代650V、符合AEC-Q101標準的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器件，兩個系列均為電力電子系統(tǒng)設計人員提供多種
2019-03-27 18:13:111632 碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規(guī)格硅基MOSFET的5
2019-04-28 15:11:4910932 碳化硅肖特基
二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基
二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基
二極管具有理想的反向恢復特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056966 碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm.k
2021-01-13 09:42:412238 森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。
2021-03-10 16:24:213243 領域商用的大門。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點，碳化硅功率器件領先企業(yè)基本半導體在國內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰姷忍攸c，能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:023697 
二次側(cè)整流二極管通常使用FRD（快速恢復二極管）和SBD（肖特基勢壘二極管）等，本文提到的基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車載充電機實際的效率。
2022-07-26 14:43:341889 碳化硅肖特基功率二極管G4S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 15:10:172 碳化硅肖特基功率二極管G5S06508AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:40:440 碳化硅肖特基功率二極管G5S06502AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:39:090 采碳化硅肖特基功率二極管GAS06520A產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:38:073 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520H產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:36:530 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520P產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:35:231 碳化硅肖特基功率二極管G52YT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:39:150 碳化硅肖特基功率二極管G4H06510AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:38:320 碳化硅肖特基功率二極管G5S06520AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:09:480 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030BH產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:39:580 碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 09:55:104 高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:592272 碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度針對電源開關個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關鍵優(yōu)點取決于它具有極快的電源開關速率且無反向恢復電流量，與硅元器件對比，它可以大幅度降低開關損耗并完成非凡的能耗等級。
2023-02-09 10:05:521325 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當電壓通過碳化硅二極管時，電子會從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:421713 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:401511 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管，具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強度和抗壓強度等特性，可以用于電路中的放大、檢測、控制等功能。
2023-02-16 14:40:561939 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu)，針對278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:113177 
驅(qū)動、不間斷電源和電動車電路的效率和穩(wěn)定性。拿慧制敏造半導體的碳化硅二極管來分析，碳化硅二極管在600V到1200V的電壓范圍內(nèi)采用單二極管和雙二極管（封裝尺寸從DPAK到TO-247），包括陶瓷絕緣型TO-220，
2023-02-21 10:06:421980 
TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065F（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065E（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-263-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D06065N（650V碳化硅
2023-02-21 10:12:244172 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720 ，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢。那么各個碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應用中。
2023-02-21 13:38:163523 
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數(shù)校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。
2023-04-17 16:36:421137 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優(yōu)點，廣泛應用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:004307 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:342338 7.2肖特基勢磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-09 09:27:531337 
7.4結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術
2022-02-15 11:20:415478 7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-10 09:18:151371 碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導體材料，材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類二極管由于反向恢復時間短，可提高系統(tǒng)效率，因此市面上的應用非常廣泛。本文重點提到
2022-08-16 10:14:232554 
今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術指標上都優(yōu)于普通雙極二極管技術。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:052133 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:05:26864 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:21:401182 
碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:274769 在當今快速發(fā)展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:291624 選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
2024-09-29 14:33:141653 
SiC（碳化硅）肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD（快恢復二極管），成為新一代電力電子設備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應用方面的優(yōu)勢。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管
2025-02-06 11:51:051090 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 16:09:580 結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">效率和電壓降額性能，同時具有硅二極管的價格優(yōu)勢和供應保證。
2025-03-27 13:46:55864 
碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093156 
第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業(yè)森國科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求，提供7種封裝形態(tài)，靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費電子三大領域。通過
2025-08-16 15:55:442377 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數(shù)和應用。
2025-12-01 15:55:06207 
作為電子工程師，我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在當今電子設備對電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下，碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借其卓越的性能，逐漸成為電源設計領域的熱門選擇。本文將詳細介紹安森美（onsemi）的一款40 A
2025-12-05 10:52:49341 
LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V，每路20A的碳化硅肖特基勢壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝，這種封裝形式在實際應用中較為常見，方便
2025-12-15 16:10:20275 
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