7.4 結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管

第７章單極型和雙極型功率二極管

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

往期內(nèi)容：

7.3.4 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3.3 “i”區(qū)的電勢下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3.2 “i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3.1 大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3 pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.2 肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

第７章單極型和雙極型功率二極管

6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.7 電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.3 熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.2.1 反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

第６章碳化硅器件工藝

5.4 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.1.2 雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.3 SiC中的點(diǎn)缺陷

5.2.3 擴(kuò)展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.2.1 SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2 雙極退化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.2 SiC的擴(kuò)展缺陷

5.1.6.2 電子順磁共振∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.6.1 深能級瞬態(tài)譜∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.5.3 光致發(fā)光映射/成像、5.1.5.4 表面形貌的高分辨映射

5.1.5.2 X射線形貌∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.5.1 化學(xué)腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.4.4 襯底和表面處的載流子復(fù)合效應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.4.3 反向恢復(fù)（RR）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.4.2 光電導(dǎo)衰減（PCD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.3 霍爾效應(yīng)及電容-電壓測試∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.2 拉曼散射∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.1.5 本征點(diǎn)缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.1.4 其他雜質(zhì) ∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.1.3 施主-受主對的復(fù)合 ∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.1.2 束縛于中性摻雜雜質(zhì)的激子 ∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1.1光致發(fā)光 ∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

5.1 表征技術(shù)

第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)

4.8 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.7.2 3C-SiC在六方SiC上的異質(zhì)外延生長∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.7.1 3C-SiC在Si上的異質(zhì)外延∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.6 其他SiC同質(zhì)外延技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.5.3 SiC嵌入式同質(zhì)外延∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.5.2 SiC在非基矢面上的同質(zhì)外延∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.5.1 SiC在近正軸{0001}面上的同質(zhì)外延∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.4 SiC快速同質(zhì)外延∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.3.2 深能級缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.3.1.4 次生堆垛層錯∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.3.1.3 位錯∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.3.1.2 微管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.3.1.1 表面形貌缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.2.3 p型摻雜∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.2.2 n型摻雜∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.2.1 背景摻雜∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.1.5 SiC外延的反應(yīng)室設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.1.4 表面形貌及臺階動力學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.1.3 生長速率及建?！省短蓟杓夹g(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.1.2 SiC同質(zhì)外延的理論模型∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

4.1.1 SiC外延的多型體復(fù)制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

第４章碳化硅外延生長

3.9 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.8 切片及拋光∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.7 化學(xué)氣相淀積法生長3C-SiC晶圓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.6 溶液法生長∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.5 高溫化學(xué)氣相沉淀∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.4.3 p型摻雜/3.4.4 半絕緣型∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
3.4.2 n型摻雜∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.4.1 雜質(zhì)摻雜∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
3.3.5 減少缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.3.4 貫穿刃型位錯及基矢面位錯∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.3.3 貫穿螺型錯位∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.3.2 微管缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.3.1 堆垛層錯∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.2 升華法生長中多型體控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.1.3 建模與仿真∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.1.2 .1 熱力學(xué)因素、3.1.2.2 動力學(xué)因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

3.1.2 升華（物理氣相運(yùn)輸）法過程中的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》3.1.1 Si-C相圖∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

第３章碳化硅晶體生長

2.4 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
2.3 熱學(xué)和機(jī)械特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.2.6 擊穿電場強(qiáng)度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.2.5 漂移速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.2.4 遷移率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.2.3 雜質(zhì)摻雜和載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.2.2 光吸收系數(shù)和折射率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.2.1 能帶結(jié)構(gòu)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

2.1 晶體結(jié)構(gòu)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

第２章碳化硅的物理性質(zhì)

１.３本書提綱∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

１.2碳化硅的特性和簡史∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

１.１電子學(xué)的進(jìn)展∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

第１章導(dǎo)論

國產(chǎn)碳化硅（SiC）器件替代進(jìn)口：

SiC SBD(MPS-PIN)-混合PiNSchottky(MPS)二極管

SiC MOSFET

鏈接：MCR：MOS Controlled Rectifier，MOS控制的二極管/整流器，超低反向漏電、175°結(jié)溫、高浪涌

鏈接：MCR二極管、SBD二極管、FR-MOS管晶圓選型說明