TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應用于風電、電機驅(qū)動和靜態(tài)無功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:15
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英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品，其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產(chǎn)品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標竿，繼續(xù)在效率
2012-11-16 08:55:052814 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改進型TO-247封裝的汽車級FRED Pt?和HEXFRED?極快和超快整流器和軟恢復二極管。
2013-01-10 11:21:351672 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。
2013-05-20 11:31:282996 針對工業(yè)驅(qū)動應用的技術需求，在最新一代模塊中，與IGBT7搭配使用的續(xù)流二極管（FWD），也已進行了優(yōu)化。
2020-01-06 16:53:072172 相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現(xiàn)對電機驅(qū)動應用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00986 新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 08:03:433581 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)（cos φ）范圍內(nèi)工作而設計，它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261773 英飛凌推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP? 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:194704 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優(yōu)化，進一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:042272 
的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。 ? 文：英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降
2023-05-23 17:14:181389 
【 2023 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56898 
封裝二極管，先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、電動汽車充電應用
2023-11-03 11:40:491464 
【 2023 年 12 月 7 日， 德國慕尼黑訊】 數(shù)據(jù)中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼
2023-12-12 18:04:371464 
，進一步擴展了其第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1 系列基于最新的TRENCHSTOP IGBT7 1200 V和快速二極管EmCon 7技術。由于采用了最新的微
2024-08-12 16:35:02998 
采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術的半導體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
EAK封裝的TO-247功率電阻器為設計工程師提供穩(wěn)定的晶體管式封裝的大功率電阻器件，功率為100W-150W。這些電阻器專為需要精度和穩(wěn)定性的應用而設計。該電阻器采用氧化鋁陶瓷層設計，可將電阻元件
2024-03-15 07:11:45
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導。
2018-04-17 15:27:54
二極管本器件采用了最新的半導體技術［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應用滿足
2018-12-07 10:23:42
;>TO-247封裝圖</font><br/></p><p><a
2008-06-11 13:24:17
看B1M080120HK的總損耗降低是非常明顯的。因此，采用TO-247-4封裝，對碳化硅MOSFET這種快速開通關斷的器件來說，是非常有吸引力的?！ ?3 TO-247-4輔助源極引腳引入的優(yōu)勢 下面以
2023-02-27 16:14:19
大家對TO-247有沒有好的測試方法。
2015-04-24 20:52:11
封裝在開關速度、效率和驅(qū)動能力等方面的有效性。最后，第四節(jié)分析了實驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
[tr][td]英飛凌IGBT應用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個問題，，已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-10 09:31 編輯
英飛凌IKW系列 IGBT采用TrenchStop?和Fieldstop技術，可提供卓越的開關性能，極低
2019-06-10 09:23:54
IGBT系列器件采用改進的門控制來降低開關損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術的溝槽，TJmax等于175℃。獨立的發(fā)射器驅(qū)動引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對高速
2020-07-07 08:40:25
而已。比如現(xiàn)在的手機MP3越做越薄，越做越小，那么上面的芯片只能采用小型外形的，所以就要求同樣的功能下的IC外形要小?！ O-220封裝和TO-247封裝的區(qū)別 TO247封裝腳距：5.56mm
2020-09-24 15:57:31
Viking直插功率電阻-TO-220封裝電阻的簡介直插功率電阻又名：TO-220 Power Resistor，TO-247 Power Resistor，TO-220封裝電阻，TO-247封裝
2019-03-13 17:57:51
供應英飛凌的模塊，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
發(fā)揮重要作用?！彪妱咏煌?b class="flag-6" style="color: red">技術的量產(chǎn)在很大程度上取決于是否能推出經(jīng)濟、可靠的功率電子器件。從IGBT 芯片、分立驅(qū)動芯片到功率模塊，英飛凌的產(chǎn)品組合旨在幫助開發(fā)適用于混合動力汽車和電動汽車的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。為
2018-12-06 09:57:11
currentSmall form factor: size and pin-compatible and smaller than TO-247 (15mmx20mm)Less than 30
2018-09-21 08:49:22
IGBT模塊回收德國英飛凌模塊回收歐派克模塊回收EUPEC模塊 回收可控硅回收整流橋回收韓國LS模塊回收逆變焊機模塊回收大封裝IGBT小封裝IGBT模塊回收西門康(賽米控)IGBT回收SEMIKRON功率
2022-01-04 20:52:15
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產(chǎn)和封裝技術的革命性發(fā)展，拓寬了這種主力電源開關技術的應用范圍。IGBT的基本概念是雙極性（高電流密度）的開關器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗柵極。盡管人們早在
2018-12-03 13:47:00
品牌英飛凌封裝TO-247批次21+數(shù)量12000制造商Infineon產(chǎn)品種類IGBT 晶體管RoHS是技術Si封裝 / 箱體TO-247-3安裝風格Through Hole配置Single集電極
2022-04-18 15:57:51
品牌ON封裝TO-247批次2020數(shù)量10000制造商ON Semiconductor產(chǎn)品種類IGBT 晶體管RoHS是技術Si封裝 / 箱體TO-247安裝風格Through Hole配置
2022-09-05 16:06:10
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 09:50:06
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。 產(chǎn)品特點 ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:473227 英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開關損耗和傳導損耗，并且減小了永磁電機驅(qū)
2011-05-31 09:00:422070 2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049179 ，采用了該公司自主技術“TRENCHSTOP”。英飛凌表示，“此次的產(chǎn)品面向開關頻率低、要求低導通損失的用途優(yōu)化了特性。另外，成本方面，也面向要求低中價位的用途實現(xiàn)了優(yōu)化”。主要用于感應加熱（IH）烹飪爐、感應加熱電飯煲及微波爐等。
2016-11-14 14:51:361744 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002707 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅(qū)動應用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關特性。
2018-06-21 10:10:4413292 TO-247封裝TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標準的序號。常見的TO-247AC和TO-247AD應該都是vishay的名稱。TO-247封裝尺寸介于模塊與單管之間
2018-12-07 16:52:2612731 
英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394969 TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標準的序號。常見的TO-247AC和TO-247AD應該都是vishay的名稱。
2020-10-02 18:02:0035206 
TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現(xiàn)簡單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:304119 IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅(qū)動中的測試，得到了相同工況下
2021-10-26 15:14:496071 
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅(qū)動中的測試，得到了相同工況下
2021-10-26 15:41:193924 
電機驅(qū)動系統(tǒng)的獨特和特定要求需要一種新的 IGBT 設計方法。使用正確的 IGBT 技術，可以創(chuàng)建更適合滿足這些需求的模塊。這是英飛凌采用其最新一代 IGBT 技術 IGBT7 所采用的方法。在
2022-08-05 09:52:511978 
封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發(fā)射極控制二極管和PressFIT壓接技術,模塊內(nèi)集成有NTC。 產(chǎn)品特性 低通態(tài)電壓VCE（sat）和Vf 過載時Tvjop=175°C 增強dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:042142 英飛凌IGBT模塊開關狀態(tài)下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。
2023-02-06 14:30:242044 
幾乎所有應用。市場知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK?和XHP?系列功率模塊都采用了最新的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六
2023-02-16 16:30:582132 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:49
6 具有優(yōu)異的高頻特性，在高頻應用中，傳統(tǒng)的TO-247封裝會制約其高頻特性。瑞森半導體因應客戶需求及為進一步提升碳化硅MOS性能，特開發(fā)出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產(chǎn)品。 ?
2023-02-20 16:02:420 編輯-Z AIGW40N65H5用的TO-247封裝，是英飛凌一款汽車級IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）為250W，集電極截止電流（ICES）為40uA，G?E漏電流（IGES
2023-02-24 09:40:031 英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:271227 英飛凌通過改善IGBT芯片的結構和工藝，大大降低了器件的開關損耗。下圖展示了不同技術的分立50AIGBT的開關損耗的比較。圖的底部顯示了IGBT和二極管技術，以及它們進入市場的年份。圖中的開關損耗
2022-02-11 09:21:323295 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:582171 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產(chǎn)品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:071468 針對光伏+ 儲能（發(fā)電）以及電機驅(qū)動（用電）兩個維度展開，給大家重點介紹英飛凌新一代IGBT7產(chǎn)品特點以及如何利用新的IGBT7產(chǎn)品設計出高效率，高可靠性，高性價比的逆變器系統(tǒng)
2023-04-19 15:26:591037 
/引言/近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247
2023-06-13 09:39:582424 JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓撲如下圖所示。
2023-08-25 15:40:573361 
H7 IGBT器件采用EC7復合封裝二極管，采用先進的發(fā)射極控制設計，再加上高速技術，可滿足對環(huán)保和高效電源解決方案不斷增長的需求。
2023-08-29 11:06:421622 封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:101726 從一開始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián)，到單管電流等級需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián)，到如今的TPAK封裝，可以說將單管并聯(lián)方式發(fā)揮的淋漓盡致。
2023-09-20 15:59:4428274 
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:221072 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:061085 采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:062055 
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:081454 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業(yè)自動化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領域。在電力管理領域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:212367 我們已經(jīng)介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7
2023-12-11 17:31:131209 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN
2024-01-18 14:12:111332 英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產(chǎn)品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號選擇，總有一款適合你
2024-02-23 08:13:151162 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:271350 的改進型號。HIP247封裝比TO-247封裝更小巧，因此可以增加元件的密度和模塊的功率。HIP247封裝采用
2024-03-12 15:34:435624 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術，通過優(yōu)化元胞結構，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:541110 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內(nèi)半導體功率器件領軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 TO-247封裝80A/1200VIGBT單管；
2024-04-03 10:19:202049 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 科技最近發(fā)布的全新一代HPT Pro 3~15kW三相并網(wǎng)逆變器系列產(chǎn)品提供1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列，業(yè)內(nèi)領先的1200V CoolSiC?? MOSFET功率器件，以及配套
2024-05-30 13:49:30447 
的基于英飛凌IGBT7技術的新一代高功率密度2MW儲能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
2024-06-14 08:14:242480 
英飛凌科技股份有限公司近期宣布，其電機驅(qū)動解決方案再添新成員——低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊(IPM)系列，該系列作為第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品家族的擴展，專為高效能電機控制而生。
2024-08-14 11:27:271705 新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二極管
2024-10-09 08:04:051202 新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術的優(yōu)勢
2024-11-23 01:04:061262 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCB50A-1200V(TO-247)單向可控硅手冊.pdf》資料免費下載
2024-12-17 17:16:520 ?BTA60ABTB60A (TO-247)雙向可控硅手冊
2024-12-16 18:02:220 670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進行了優(yōu)化。它是TRENCHSTOPIGBT5
2025-01-09 17:06:511233 ，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設計，并且
2025-01-15 18:05:212265 英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正（PFC）評估板，展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動器和碳化硅二極管，專為電源電子工程師設計，用于評估4針封裝在效率和信號質(zhì)量上的優(yōu)勢。
2025-05-19 13:49:001208 
揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
2025-09-18 18:01:392486 
在電焊機應用中，IGBT單管的耐壓能力、開關特性、導通損耗和可靠性直接影響整機的焊接性能、能耗水平和使用壽命。飛虹半導體推出的FHA25T120A（TO-247封裝）是一款專為電焊機優(yōu)化的場溝槽柵
2025-11-28 13:50:051597 
1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號上
2026-01-05 17:14:21517
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