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英飛凌科技推出650V H7型號,擴展第七代TRENCHSTOP IGBT系列

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2023-08-29 11:06 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體芯科技編譯

來源:ee News

H7 IGBT器件采用EC7復(fù)合封裝二極管,采用先進的發(fā)射極控制設(shè)計,再加上高速技術(shù),可滿足對環(huán)保和高效電源解決方案不斷增長的需求。

IGBT7 H7采用最新的微圖案溝槽技術(shù)來改善器件的控制和性能,從而顯著降低損耗、提高效率和更高的功率密度。該器件是針對組串式逆變器、儲能系統(tǒng) (ESS)、電動汽車充電應(yīng)用以及工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。

在分立封裝中,H7可應(yīng)用于40 A至150 A的電流,提供四種不同的封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。

H7的TO-247-3 HCC型號具有高爬電距離。為了提高性能,TO-247 4-pin開爾文封裝不僅降低了開關(guān)損耗,而且還提供了額外的優(yōu)勢,例如更低的電壓過沖、最小化的傳導(dǎo)損耗和最低的反向電流損耗。這簡化了設(shè)計并最大限度地減少了并聯(lián)設(shè)備的需要。

650V H7 IGBT還具有強大的防潮性能,可在惡劣環(huán)境下可靠運行。根據(jù)JEDEC47/20/22的相關(guān)測試,其符合工業(yè)用途,特別是HV-H3TRB,非常適合戶外應(yīng)用。

審核編輯:湯梓紅
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