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美光推出了業(yè)界首款第二代HBM3，該產(chǎn)品已出樣給客戶；人工智能需求拉動下，擴產(chǎn)HBM、開發(fā)更高性能的產(chǎn)品，已經(jīng)成為存儲巨頭們的共同選擇；封裝、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)隨之受益。

當?shù)貢r間周四（7月27日），存儲芯片大廠美光科技（MU.US）漲超5%，單日漲幅創(chuàng)6月以來新高。同日費城半導體指數(shù)漲1.86%。

消息面上，7月26日，美光宣布推出業(yè)界首款8層24GB HBM（高帶寬內(nèi)存）3 Gen2內(nèi)存芯片，它是HBM3的下一代產(chǎn)品，采用1β工藝節(jié)點。這意味著美光成為業(yè)界第一個制造出第二代HBM3內(nèi)存的廠商。

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這款內(nèi)存芯片總帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。

在官網(wǎng)產(chǎn)品頁，美光著重強調(diào)了這款芯片對生成式AI的幫助作用——美光HBM3 Gen2專為人工智能和超級計算而構(gòu)建，“解鎖了生成式AI的世界”可提供更高的內(nèi)存容量，可提高性能并減少CPU負載，從而在大模型（例如ChatGPT）進行推理時更快、更精確。

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美光表示，24GB HBM3 Gen2內(nèi)存已經(jīng)出樣給客戶。

人工智能的發(fā)展離不開強大存力，存儲芯片承擔著提升整體AI服務器的系統(tǒng)運算效能，以及存儲器傳輸帶寬等的重擔。

隨著人工智能需求激增，兩大高性能存儲芯片HBM和DDR5的價格和需求都在增長，在最近一次非公開企業(yè)說明會上，SK海力士預計，2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。

相較而言，HBM是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，其技術(shù)門檻更高、性能提升空間更大，相應地溢價更高，其價格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍。

TrendForce集邦咨詢發(fā)表研報稱，目前高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流，預計2023年全球HBM需求量將增近六成，達到2.9億GB，2024年將再增長30%。

這一背景下，一方面，AI芯片公司正積極開拓新的HBM供應商。

從第四季度開始，三星將向英偉達供應HBM3，目前后者的HBM由SK海力士獨供；另一方面，擴產(chǎn)HBM、開發(fā)更高性能的產(chǎn)品，已經(jīng)成為存儲巨頭們的共同選擇，以兩大韓國廠商為例：

三星稱，看到超大規(guī)?？蛻魧BM的高需求。計劃在2024年將高帶寬內(nèi)存（HBM）供應能力同比翻倍。

有消息稱SK海力士目標將HBM產(chǎn)能擴大2倍，另外，SK海力士繼4月份開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3后又提出2026年生產(chǎn)HBM4。

從產(chǎn)業(yè)鏈上看，HBM市場火熱也讓封裝、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)隨之受益。

封裝環(huán)節(jié)：由于HBM需要集成多個芯片，因此封裝成為制造該產(chǎn)品的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。譬如三星與SK海力士無法將HBM以成品形式供給客戶，而是需要經(jīng)過臺積電集成。臺積電之外，三星和SK海力士也在考慮增加封裝生產(chǎn)線。

材料端：HBM多層堆疊對于制造材料尤其是前驅(qū)體的用量成倍提升，制造材料核心廠商包括雅克科技、神工股份等；對于封裝材料：HBM將帶動TSV和晶圓級封裝需求增長，而且對封裝高度、散熱性能提出更高要求，封裝材料核心廠商包括聯(lián)瑞新材、華海誠科、飛凱材料等。

設(shè)備端：由于獨特的3D堆疊結(jié)構(gòu)，HBM芯片為上游設(shè)備帶來了新的增量——前道環(huán)節(jié)，HBM需要通過TSV來進行垂直方向連接，增加了TSV刻蝕設(shè)備需求；中段環(huán)節(jié)，HBM帶來了更多的晶圓級封裝設(shè)備需求；后道環(huán)節(jié)，HBM的多芯片堆疊帶來diebond設(shè)備和測試設(shè)備需求增長。

天風國際證券表示，存儲芯片片巨頭正在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM，但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，所以這或許也是中國彎道超車的好時機。

審核編輯：劉清