電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近日，繼閃迪、長江存儲向渠道發(fā)布了漲價通知后，美光科技向客戶發(fā)出的漲價函在渠道曝光。漲價函顯示，美光觀察到各個業(yè)務(wù)部門的需求顯著增加，美光決定將面向渠道合作伙伴提高產(chǎn)品價格。據(jù)CFM閃存市場的消息，美光此次漲價幅度將在10%-15%。另電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到，此前市場傳出美光要求NAND閃存芯片漲價約為11%。

此番漲價普遍認為是原廠減產(chǎn)疊加終端回升助推了閃存的需求。另一方面，HBM高帶寬存儲在AI時代得到廣泛應(yīng)用，HBM成為存儲芯片大廠的投入重點。據(jù)集邦咨詢早前預(yù)測，預(yù)計到2025 年HBM的價格將上漲5-10%。同時，我們可以看到，DeepSeek帶動端側(cè)AI需求，也將加速DDR5等內(nèi)存產(chǎn)品的市場滲透。

近日，美光再次表示，在同一節(jié)點生產(chǎn)同等容量的情況下，最先進的HBM3E內(nèi)存對晶圓量的消耗是標準DDR5內(nèi)存的三倍。無疑對HBM的投入將可能進一步導(dǎo)致常規(guī)DRAM出現(xiàn)供應(yīng)短缺。

據(jù)韓媒報道，SK海力士CEO郭魯正在股東大會上表示，盡管人工智能（AI）公司調(diào)整投資速度，以及出現(xiàn)中國DeepSeak等低成本AI模型，但HBM市場的增長仍將保持不變。SK海力士今年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄，明年產(chǎn)能計劃將在上半年完成與客戶的最終協(xié)商。

HBM高帶寬內(nèi)存即將進入HBM4時代，存儲芯片廠商正加速這一進程。近期，SK海力士宣布了12層HBM4開始向客戶送樣。美光也表示2025年HBM已售罄，并且HBM4的推出時機與客戶需求高度契合，將于2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。

SK海力士HBM4

SK海力士實際上是比原計劃提早實現(xiàn)12層HBM4的樣品出貨，并已開始與客戶的驗證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準備。

SK海力士表示，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。
此產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬。其相當于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。

同時，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)品獲得競爭力認可的Advanced MR-MUF工藝，實現(xiàn)了現(xiàn)有12層HBM可達到的最大36GB容量。通過此工藝控制芯片的翹曲現(xiàn)象，還有效提升散熱性能，由此最大程度地提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

美光HBM3E和HBM4

美光FY2025Q2財季(2024年12月-2025年2月)業(yè)績顯示，其Compute and Networking（CNBU）營收45.64億美元，環(huán)比增長4%，占總收入的57%。得益于HBM收入環(huán)比增長超50%，CNBU收入連續(xù)第三個季度創(chuàng)下季度新高。

HBM市場需求依然強勁，美光預(yù)計2025日歷年HBM總市場規(guī)模將達350億美元以上，比之前預(yù)估的300億美元有所提高，并預(yù)計2025年第四季度有望HBM份額達到與整體DRAM供應(yīng)份額相當?shù)乃健?br />
美光表示，2025日歷年HBM已售罄，而2026年HBM市場需求將保持強勁態(tài)勢，目前，正在與客戶就2026日歷年HBM需求協(xié)議進行討論。

美光HBM3E與競品相比功耗可降低30%，且美光12層堆疊HBM3E（HBM3E 12H）比競爭對手的8層堆疊產(chǎn)品的功耗降低了20%，同時內(nèi)存容量提高了50%。目前美光已開始批量生產(chǎn)HBM3E 12H，并專注于提高產(chǎn)能和良率，預(yù)計2025年下半年，HBM3E 12H將占HBM總出貨量的絕大部分。

美光HBM3E 12H提供了36GB容量，比當前的HBM3E8-high產(chǎn)品增加50%，允許更大的AI模型，如具有700億個參數(shù)的Llama2在單個處理器上運行。這種容量的增加避免了CPU卸載和GPU-GPU通信延遲，從而加快了運行時間。

此外，其功耗顯著低于競爭對手的 HBM3E8-high24GB解決方案。美光 HBM3E12高速36GB提供超過每秒1.2太字節(jié)(TB/s)的內(nèi)存帶寬，引腳速度超過9.2Gb/s。美光HBM3E的這些綜合優(yōu)勢提供了最高吞吐量和最低功耗，可以確保對電力需求大的數(shù)據(jù)中心獲得最佳結(jié)果。

美光HBM平臺和客戶認證取得了良好進展，HBM3E 8H已應(yīng)用于英偉達GB200，HBM3E 12H將應(yīng)用于GB300。第二財季，美光開始向第三大HBM3E客戶批量出貨，并會有更多的客戶。預(yù)計在2025財年HBM收入將達到數(shù)十億美元。

隨著美光繼續(xù)專注于擴展其行業(yè)領(lǐng)先地位，公司已經(jīng)著眼于未來的HBM4和HBM4E路線圖。
美光HBM4將于2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。HBM4與HBM3E相比其帶寬增加了60%以上。HBM4的推出時機與客戶需求高度契合，美光將專注于向市場提供能效、質(zhì)量與性能等方面最優(yōu)的HBM4產(chǎn)品。

美光預(yù)計FY25Q3凈資本支出將超過30億美元。美光2025財年全年資本支出計劃仍為約140億美元。其中，絕大部分資本支出將用于支持高帶寬內(nèi)存（HBM）業(yè)務(wù)，以及設(shè)施建設(shè)、后端制造和研發(fā)投資。

美光正專注于在現(xiàn)有制造設(shè)施中提升HBM產(chǎn)能，以滿足至2026年的市場需求。今年1月，美光在新加坡的HBM先進封測工廠破土動工，這項投資將使美光自2027日歷年開始顯著提升總先進封裝產(chǎn)能。與此同時，其在愛達荷州新建的DRAM工廠在本季度完成了關(guān)鍵里程碑節(jié)點，成功獲得CHIPS法案對該項目的首筆資金撥付。這座全新的愛達荷州工廠預(yù)計將于2027財年開始貢獻可觀的DRAM產(chǎn)量。

2026年英偉達RubinGPU搭載8個36GB HBM4

臺媒宣稱，英偉達將于2026 年推出的下一代 AI GPU產(chǎn)品Rubin將導(dǎo)入多制程節(jié)點芯粒（Chiplet）設(shè)計，其中計算芯片采用臺積電N3P制程，對PPA要求較低的I/O芯片則會使用 N5B節(jié)點。

每個Rubin GPU將包含2顆計算芯片和1顆I/O芯片，整體采用SoIC三維垂直堆疊先進封裝工藝集成，然后再使用CoWoS工藝連接8個36GB HBM4 片外內(nèi)存堆棧。

美光表示，近期大型超大規(guī)?？蛻糁厣炅似湓?025日歷年資本投資將實現(xiàn)同比強勁增長。預(yù)計 2025 年服務(wù)器出貨量將實現(xiàn)中個位數(shù)百分比增長，傳統(tǒng)服務(wù)器和AI服務(wù)器均將實現(xiàn)增長?？梢钥吹?，需求的穩(wěn)健增長進一步支撐了HBM市場的發(fā)展。


小結(jié)：

HBM配合GPU應(yīng)用于AI訓(xùn)練，在數(shù)據(jù)中心市場獲得成功。從目前各家存儲芯片廠商適配英偉下一代GPU來看，最先進HBM產(chǎn)品仍然有著樂觀的前景。另一方面，隨著AI推理在更多新興應(yīng)用場景落地，HBM有望跟隨GPU下沉至一體機等終端，且具有相當可觀的規(guī)模。屆時HBM的成本是否會進一步下降，從而可應(yīng)用于更多端側(cè)推理場景。