9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:334546 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:214056 
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞，可能
2025-03-25 11:44:242594 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
AD5640BRJZ的使用壽命/年限是多少?
2023-12-11 08:18:38
巧。
合適的容量，提供128MB和512MB容量，后續(xù)推出1GB和4GB容量，可根據(jù)需求選擇。
簡(jiǎn)單易用，內(nèi)置壞塊管理、平均讀寫(xiě)、EDC/ECC等功能，降低CPU負(fù)擔(dān)，提高產(chǎn)品質(zhì)量和壽命。
長(zhǎng)壽命和穩(wěn)定性，SLC NAND具有最長(zhǎng)的使用壽命和性能穩(wěn)定性，擦寫(xiě)壽命達(dá)到10萬(wàn)次。
2024-01-24 18:30:00
DEV KIT ARRIA 10 SX SOC
2024-03-14 20:40:18
的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用的文件系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)Flash存儲(chǔ)器的損耗均衡，并且實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效管理，對(duì)于提高其使用壽命具有一定的意義。
2019-08-16 07:06:12
地位。本博客將詳細(xì)介紹Flash存儲(chǔ)芯片中的NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC，分析它們的用途、優(yōu)缺點(diǎn)，并對(duì)其進(jìn)行比較。
1.Nor Flash
1.1 用途特性
2024-04-03 12:05:59
NAND的每個(gè)擦除塊的容量也只有NOR的1/8至1/2，這就表明，每個(gè)塊的擦寫(xiě)的頻率要少于NOR閃存，從而有助于延長(zhǎng)使用壽命。在數(shù)據(jù)的保存時(shí)間上，兩者都差不多，為10年的水平。不過(guò)，由于串聯(lián)的架構(gòu)
2013-04-02 23:02:03
的每塊可擦寫(xiě)次數(shù)在10萬(wàn)至100萬(wàn)次之間，NOR則只是它的1/10，而且NAND的每個(gè)擦除塊的容量也只有NOR的1/8至1/2，這就表明，每個(gè)塊的擦寫(xiě)的頻率要少于NOR閃存，從而有助于延長(zhǎng)使用壽命
2014-04-23 18:24:52
NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.
NAND閃存類型
按照每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù)，可以將NAND閃存類型分為SLC、MLC
2025-01-15 18:15:53
認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問(wèn)，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲(chǔ)在非易失性閃存中，在加電時(shí)，ARM處理器會(huì)自動(dòng)配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
單元是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的最小單位，目前閃存已經(jīng)由數(shù)千億個(gè)存儲(chǔ)單元組成，通過(guò)將電子移入和移出封閉在絕緣體中的電荷存儲(chǔ)膜來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
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NAND Flash存儲(chǔ)器使用浮柵晶體管，它能在沒(méi)有電源的情況下存儲(chǔ)
2024-12-17 17:34:06
電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
分類
NOR和NAND是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年，東芝公司
2025-07-03 14:33:09
閃存等其他存儲(chǔ)設(shè)備更快。在使用SDIO接口時(shí)，SD NAND的速度更高。其讀取時(shí)延較低，比 SD 卡等其他媒體被訪問(wèn)時(shí)更加實(shí)時(shí)。
內(nèi)置控制器：SD NAND內(nèi)置了控制器，不必額外添置控制器，可以實(shí)現(xiàn)
2024-01-05 17:54:39
從ALtera官網(wǎng)下載了一個(gè)參考設(shè)計(jì)，其基于stratix V，但我的開(kāi)發(fā)板型號(hào)為Arria 10 SOC，做相應(yīng)修改后，編譯出現(xiàn)以下，不知道有人遇到過(guò)沒(méi)有，求幫助。Error (14566
2018-01-07 21:16:13
貼、容易脫落的問(wèn)題，同時(shí)占用更少的PCB面積。
2. 使用壽命與穩(wěn)定性
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使用SLC NAND Flash晶圓：SLC NAND Flash是NAND閃存中使用壽命最長(zhǎng)、性能最穩(wěn)定
2024-12-06 11:22:41
其他幾個(gè)領(lǐng)先的無(wú)線電SoC的藍(lán)牙信標(biāo)的預(yù)期電池使用壽命。下圖是在相同的應(yīng)用條件下繪制的，包括傳輸功率和工作周期。X軸代表電池容量（200至240毫安時(shí)，相當(dāng)于一個(gè)CR2032紐扣電池），Y軸代表預(yù)期
2022-05-10 09:53:33
如何延長(zhǎng)蓄電池的使用壽命？
2021-06-18 06:03:40
作為電子產(chǎn)品的重要部件電解電容，在開(kāi)關(guān)電源中起著不可或缺的作用，它的使用壽命和工作狀況與開(kāi)關(guān)電源的壽命息息相關(guān)。在大量的生產(chǎn)實(shí)踐與理論探討中，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中電容發(fā)生損壞，特別是電解電容冒頂，電解液外溢
2021-03-07 08:23:57
超低功耗內(nèi)存專家sureCore正在招聘在內(nèi)存設(shè)計(jì)方面擁有10年或以上經(jīng)驗(yàn)的工程師。其嵌入式 SRAM IP 面向服務(wù)于可穿戴和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用且對(duì)功耗、散熱和電池壽命敏感的片上系統(tǒng)
2021-12-14 07:54:06
延長(zhǎng)鋰電池使用壽命的方法常常會(huì)有人問(wèn)，“鋰電池為什么比鉛酸電池好？”“延長(zhǎng)鋰電池使用壽命的方法”下面莊文展手機(jī)維修培訓(xùn)學(xué)校就針對(duì)以下的兩點(diǎn)內(nèi)容，給您進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的解答。希望您可以在了解鋰電池的基礎(chǔ)上
2017-09-15 14:42:40
影響CLL電容使用壽命的因素有哪些？
2021-09-23 07:44:52
中絕大多數(shù)仍可正常運(yùn)行很多年。如果電表的使用壽命可以延長(zhǎng)，直至精度下降之前才及時(shí)更換，該有多好？ 延長(zhǎng)電表的使用壽命可帶來(lái)驚人的高回報(bào)。假設(shè)有一家電力公司，其花在單只電表及其安裝上的成本為100歐元
2018-07-24 08:15:18
如題，如何去計(jì)算正要研發(fā)的一款產(chǎn)品的使用壽命，是不是應(yīng)該從使用的電子元器件的使用壽命去整體權(quán)衡，有沒(méi)有什么手冊(cè)可以查詢，或者有沒(méi)有什么軟件可以輸入所使用的電子元器件，然后能計(jì)算出理論上這款產(chǎn)品的使用壽命？
2015-06-06 16:26:56
如題，如何去計(jì)算正要研發(fā)的一款產(chǎn)品的使用壽命，是不是應(yīng)該從使用的電子元器件的使用壽命去整體權(quán)衡，有沒(méi)有什么手冊(cè)可以查詢，或者有沒(méi)有什么軟件可以輸入所使用的電子元器件，然后能計(jì)算出理論上這款產(chǎn)品的使用壽命？
2015-06-06 16:28:36
產(chǎn)生過(guò)壓將泄壓部件產(chǎn)生不可逆轉(zhuǎn)泄壓動(dòng)作造成電解液泄漏，使電解電容器永久性的損壞。因此電解電容器的存儲(chǔ)和使用溫度絕不可超過(guò)額定溫度。相反，若降低工作溫度則可以使電解電容器壽命大大增加。 在實(shí)際使用中常
2017-03-06 16:10:44
使用壽命危害的要素： （1）溫度，溫度過(guò)高能夠迅速使其損壞?！ 。?）自然環(huán)境的ph酸堿度，立即浸蝕電阻造成其毀壞?！ 。?）外力作用，超出一定的力的程度，電阻馬上會(huì)破裂?！ ∫虼艘闺娮?b class="flag-6" style="color: red">使用壽命
2020-07-03 17:31:07
10 SoC (片內(nèi)系統(tǒng)) 開(kāi)發(fā)板。這些開(kāi)發(fā)板由 Altera 進(jìn)行了測(cè)試和驗(yàn)證，并舉例說(shuō)明了布局、信號(hào)完整性和電源管理方面的最佳設(shè)計(jì)方法。圖 1：Arria 10 GX FPGA 開(kāi)發(fā)套件板圖 2
2018-10-29 17:01:56
。這款所謂的“液流電池”基于一種中性PH水溶液中的有機(jī)分子發(fā)電，使用壽命預(yù)計(jì)超過(guò)10年，較當(dāng)前的電池技術(shù)取得巨大進(jìn)步。雖然并非首款液流電池，但它修復(fù)了此前設(shè)計(jì)的許多問(wèn)題，例如容量退化過(guò)快。其竅門(mén)是，通過(guò)
2017-02-24 18:25:11
由于Nand Flash 寫(xiě)之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對(duì)Nand Flash 存儲(chǔ)塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對(duì)其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 如何延長(zhǎng)干電池使用壽命干電池快用完了，可以用充電的方法來(lái)延長(zhǎng)其使用壽命。雖然干電池不能象蓄電池（或充電電池）那樣永久地使用下去，但是還是可以反復(fù)
2009-11-07 14:25:3141 采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:0326 MTFC32GAKAEEF-AIT 產(chǎn)品概述 MTFC32GAKAEEF-AIT是Micron推出的一款高性能NAND閃存存儲(chǔ)器，具有32GB的存儲(chǔ)容量。該器件設(shè)計(jì)用于滿足各種嵌入式
2024-10-15 23:15:35
延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)囂使用壽命的研究
引 言 隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器
2009-12-15 17:13:071616 
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 日立鋰離子電池突破使用壽命高達(dá)10年的技術(shù)
日立實(shí)現(xiàn)了一項(xiàng)鋰離子電池設(shè)計(jì)的技術(shù)突破。這項(xiàng)技術(shù)突破將降低生產(chǎn)成本并且把電池使用壽命延長(zhǎng)到
2010-04-09 10:26:291315 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動(dòng)并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)計(jì)所關(guān)注的問(wèn)題如壞塊處理從NAND 啟動(dòng)當(dāng)前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:1076 現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長(zhǎng)。延長(zhǎng) NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。
2012-12-03 13:49:501040 20 nm工藝技術(shù)，Arria 10 FPGA和SoC性能比目前的高端FPGA高出15%，功耗比以前的中端器件低40%，重塑了中端FPGA和SoC。客戶現(xiàn)在可以在熟悉而且成熟的Quartus II設(shè)計(jì)環(huán)境中，開(kāi)始開(kāi)發(fā)基于Arria 10 FPGA和SoC的系統(tǒng)，而且其編譯時(shí)間是業(yè)界最短的。
2013-12-03 10:48:472106 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:131080 2014年，12月16號(hào)，北京——Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天發(fā)布其Quartus? II軟件v14.1，擴(kuò)展支持Arria? 10 FPGA和SoC——FPGA業(yè)界唯一具有硬核浮點(diǎn)DSP模塊的器件，也是業(yè)界唯一集成了ARM處理器的20 nm SoC FPGA。
2014-12-16 13:48:531710 北京時(shí)間2月14日晚間消息，據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果公司（以下簡(jiǎn)稱“蘋(píng)果”）正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判，希望采購(gòu)其NAND閃存芯片用于iPhone。
2018-07-19 11:46:001229 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167 本文介紹了Arria 10 SoC FPGA主要特性，框圖以及Arria 10 SoC開(kāi)發(fā)板主要特性，電源分布網(wǎng)絡(luò)圖和電路圖。
2018-06-16 06:31:0011630 
DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門(mén)，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 Arria 10混合存儲(chǔ)器立方體控制器演示第二部分
2018-06-22 02:59:004005 
Arria 10混合存儲(chǔ)器立方體控制器演示第一部分
2018-06-22 01:02:004132 
Arria? 10 用戶控制刷新
2018-06-26 00:14:003288 
Arria 10外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)工具包
2018-06-11 17:10:203003 
東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:002440 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:181033 Dual-pool算法是比較經(jīng)典的磨損平衡算法，目的是為了延長(zhǎng)閃存的使用壽命。它實(shí)現(xiàn)了兩方面解決：第一是存儲(chǔ)冷數(shù)據(jù)來(lái)防止塊被磨損，因?yàn)轭l繁更新的熱數(shù)據(jù)會(huì)是磨損增加；第二是直到磨損平衡生效時(shí)，先不要去管這些被處理的塊。
2019-01-29 11:42:524291 
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢(shì)必會(huì)取而代之。 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:435407 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-11 09:02:314918 近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?b class="flag-6" style="color: red">10年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:366430 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 英特爾的SoC開(kāi)發(fā)套件提供了開(kāi)發(fā)定制ARM快速和簡(jiǎn)單的方法*處理器的SoC設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)生產(chǎn)率是Arria 10 SoC架構(gòu)的驅(qū)動(dòng)理念之一。Arria 10 SoC提供與上一代SoC的完全軟件兼容性
2020-05-20 14:05:561847 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1021165 即將發(fā)布的Windows 10更新預(yù)計(jì)將解決影響優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器工具的錯(cuò)誤，該漏洞可能會(huì)損害固態(tài)硬盤(pán)SSD的使用壽命。
2020-08-28 10:15:013723 
通常情況下，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:461284 
對(duì)于許多小的、便攜式物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用，“圣杯”是無(wú)線聯(lián)接使用的紐扣電池使用壽命達(dá)10年。
2020-09-03 10:14:544949 
記錄數(shù)據(jù)的可靠性，通常只考慮到突然掉電、寫(xiě)入不完全等，往往忽略了存儲(chǔ)器件的使用壽命。存儲(chǔ)器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí)，工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范，以免過(guò)快損耗擦寫(xiě)壽命。
2020-10-08 14:34:004705 
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152718 據(jù)悉，SK海力士將收購(gòu)所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國(guó)大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Optane存儲(chǔ)部門(mén)。對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)，剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:573105 eMMC模塊因?yàn)槭且?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)，他們也必須預(yù)見(jiàn)到同一系統(tǒng)隨著時(shí)間的推移必須應(yīng)對(duì)不斷增加的工作負(fù)載挑戰(zhàn)。
2021-01-18 16:21:042658 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(mén)（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:144995 
??所有東西都是有使用壽命的，只是時(shí)間長(zhǎng)短不一樣罷了。工業(yè)平板電腦也是一樣，也有著一定的使用壽命，大概在8-10年，但這是正常老化的使用壽命。因?yàn)橛泻芏嗟囊蛩貢?huì)影響著工業(yè)平板電腦的使用壽命，致使工業(yè)平板電腦的使用壽命會(huì)很大程度的降低。那要如何保持工業(yè)平板電腦的使用壽命呢?下面就來(lái)了解一下吧。
2021-11-04 16:37:13986 有幾種方法可以保持電池壽命（以充電/放電循環(huán)次數(shù)計(jì)）。換句話說(shuō)，電池達(dá)到其使用壽命之前的使用壽命，而不是該循環(huán)充電的使用壽命。
2022-03-10 17:25:084342 專有的Sub-GHz無(wú)線電旨在用于更長(zhǎng)距離的無(wú)線傳輸。憑借153 db（16 dbm Tx功率和-135 Rx靈敏度）的鏈路預(yù)算，AXM0F24窄帶SoC可以傳輸37公里或23英里（915MHz，30db衰減余量）的距離。對(duì)于1.1公里的距離，AXM0F243超過(guò)了所需的10年實(shí)際電池使用壽命。
2022-05-07 15:58:372835 
因此，英特爾 Arria 10 SoC 為嵌入式外設(shè)、硬核浮點(diǎn) DSP 模塊、嵌入式高速收發(fā)器、硬核存儲(chǔ)器控制器和協(xié)議 （IP） 控制器提供了具有廣泛功能范圍的處理器。
2022-06-08 09:50:571973 
滑環(huán)為一種工作于旋轉(zhuǎn)部件的零件，其必定是有損耗的，因此其使用壽命也是由年限的，本文將介紹延長(zhǎng)滑環(huán)使用壽命的方法。
2022-06-28 10:55:441860 借助 Arria 10 SoC，您可以通過(guò)將 GHz 級(jí)處理器、FPGA 邏輯和數(shù)字信號(hào)處理 （DSP） 集成到單個(gè)可定制的片上系統(tǒng)中來(lái)減小電路板尺寸，同時(shí)提高性能。
2022-06-30 09:50:091638 因此，英特爾 Arria 10 SoC 為嵌入式外設(shè)、硬核浮點(diǎn) DSP 模塊、嵌入式高速收發(fā)器、硬核存儲(chǔ)器控制器和協(xié)議 （IP） 控制器提供了具有廣泛功能范圍的處理器。
2022-08-15 11:31:53863 
存儲(chǔ)背后的大腦：NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí) ， 只會(huì)談?wù)?NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:552559 蘋(píng)果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋(píng)果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23995 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:322425 
這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏?b class="flag-6" style="color: red">NAND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度，以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:343462 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:152049 
ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及其他需要大容量固態(tài)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中的過(guò)程。
2024-04-03 12:26:2411350 
NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 固態(tài)電池的使用壽命是一個(gè)受到多方因素影響的復(fù)雜問(wèn)題，以下是對(duì)其使用壽命的詳細(xì)分析：
2024-09-15 11:53:0012720 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，
存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，
存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)
存儲(chǔ)需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和
NAND閃存是兩種廣泛使用的
存儲(chǔ)技術(shù)，它們?cè)?/div>
2024-12-25 09:37:204674 影響HT25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031430 影響25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來(lái)談?wù)動(dòng)绊憣?xiě)入速度九個(gè)方面：存儲(chǔ)容量和架構(gòu)：存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜，從而影響寫(xiě)入速度。較大的閃存芯片在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，需要更多時(shí)間來(lái)定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲(chǔ)架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化，同樣會(huì)限制寫(xiě)入速度。
2025-01-22 16:48:251105 
NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)、USB閃存盤(pán)和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫(xiě)和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145331 
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