圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)揘AND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。

NAND 閃存控制器（簡稱“控制器”）專為不同的接口（如 PCIe、eMMC、標清、SATA 和 USB）而設(shè)計，具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點是它們管理NAND閃存上的數(shù)據(jù)。在過去的十年中，這種存儲技術(shù)變得越來越流行，如果沒有它，就無法想象我們今天的世界。

在復(fù)雜的控制器和固件的幫助下，NAND閃存技術(shù)向3D結(jié)構(gòu)發(fā)展的穩(wěn)步發(fā)展，成功地取代了HDD成為使用最廣泛的大容量存儲介質(zhì)。同時，為了執(zhí)行糾錯、映射、垃圾回收和數(shù)據(jù)刷新等任務(wù)，控制器面臨的挑戰(zhàn)也越來越大。

那么，一個控制器及其固件相對于另一個控制器有什么優(yōu)勢，有什么區(qū)別呢？

控制器及其基本功能：

控制器是任何NAND閃存存儲系統(tǒng)背后的大腦。它確保從主機接收的數(shù)據(jù)被發(fā)送到閃存，并可以在以后檢索。它將主機系統(tǒng)的讀/寫/狀態(tài)命令轉(zhuǎn)換并修改為閃存組件的各種讀/寫/狀態(tài)命令。它還將主機的邏輯塊地址 （LBA） 或扇區(qū)地址（由文件系統(tǒng)管理）轉(zhuǎn)換為閃存上的地址，這些地址被組織成塊和頁面。該控制器可確保兩側(cè)的兼容性，并處理任何固有的閃光缺陷。

為什么不使用一個小程序?qū)?shù)據(jù)寫入閃存呢？當(dāng)然，這不可能那么困難！

NAND 閃存本質(zhì)上是不可靠的。這是因為半導(dǎo)體（其中NAND閃存是其中一種類型）在運行過程中產(chǎn)生的熱量會受到顯著的應(yīng)力。此外，電子在硅內(nèi)遷移，隨著時間的推移破壞內(nèi)部結(jié)構(gòu)。由于熱量會移動電子，因此隨著熱量的增加，所有老化過程都會呈指數(shù)級加速。半導(dǎo)體內(nèi)的幾何形狀或電池結(jié)構(gòu)越小，器件就越容易受到這些影響的影響。今天的半導(dǎo)體具有比以往更小的結(jié)構(gòu)，需要大量的開發(fā)才能充分解決這些影響。

同時，不同的應(yīng)用領(lǐng)域有不同的要求。用于消費產(chǎn)品的半導(dǎo)體將每天運行六小時，每周五天，主要在室溫下運行五年，其設(shè)計將與在室外環(huán)境中全天候運行十多年的工業(yè)產(chǎn)品不同。同時，每個區(qū)域需要存儲的數(shù)據(jù)量也在不斷增加。閃存開發(fā)人員對此的回答是進入第三維度。

越新越好！讓我們?nèi)?D閃光燈，它也更便宜，不是嗎？

基于NAND閃存的設(shè)備具有低功耗，高速和可靠性的優(yōu)點。硅芯片的成本與面積成正比，并且在很大程度上與它上面的內(nèi)容無關(guān)。因此，NAND閃存的每字節(jié)成本取決于在任何給定大小的芯片上可以存儲多少位。在這方面，已經(jīng)使用了幾種技術(shù)來增加NAND閃存的存儲密度。

第一種技術(shù)是減小每個細胞的大小。但是，這種大小的減小達到了其邏輯極限。它還導(dǎo)致了一些不良的副作用，例如較大的漏電流和較高的錯誤率。

另一種技術(shù)是在每個單元格中存儲更多位?，F(xiàn)代閃存不是只能存儲一位數(shù)據(jù)的單級單元（SLC），而是每個單元可以存儲兩個（MLC），三個（TLC）或四個（QLC）位，并且這種發(fā)展仍在繼續(xù)。這意味著需要精確的編程和測量。雖然此技術(shù)增加了存儲密度，但在考慮較低的性能、較短的使用壽命和較高的錯誤率時，它也只是一種妥協(xié)。

3D NAND閃存的主要優(yōu)點是降低了每字節(jié)的成本。這是因為在芯片的同一區(qū)域可以容納更多的位。3D NAND芯片中的存儲單元比2D設(shè)備中的存儲單元更緊密，2D設(shè)備中的存儲單元分布在表面的外部。現(xiàn)代閃存不是在芯片表面放置一系列存儲單元，而是創(chuàng)建多層存儲單元，以在硅內(nèi)創(chuàng)建完整的三維結(jié)構(gòu)。這允許在同一區(qū)域中具有更大的存儲容量，同樣重要的是，與數(shù)據(jù)的連接更短，這反過來又允許更快的數(shù)據(jù)傳輸。

雖然3D NAND閃存在存儲容量和每字節(jié)成本方面可能是正確的選擇，但3D NAND閃存的有效使用在很大程度上取決于閃存控制器?？刂破髦行枰獜?fù)雜的機制來有效管理大內(nèi)存容量，最大限度地減少單元編程的影響，并確保高架單元結(jié)構(gòu)內(nèi)的最大使用壽命和可靠性。

那么，一個好的控制器的特征是什么呢？

控制器的功能和特性范圍有許多不同之處。您基本上可以將控制器分為兩類：基于 DRAM 的控制器和無 DRAM 的控制器。

無 DRAM 控制器非常適合用于需要絕對數(shù)據(jù)可靠性的工業(yè)環(huán)境或應(yīng)用（醫(yī)療技術(shù)設(shè)備或移動無線電臺）。帶有DRAM的控制器可以實現(xiàn)更高的性能，但是，在可靠性方面，無DRAM控制器是更好的選擇，因為它們可以保證將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絅AND閃存上。如果突然斷電，通過基于DRAM的控制器處理的數(shù)據(jù)將在不再供電后立即丟失通過DRAM緩存的數(shù)據(jù)。此外，少一個組件也少了一個成本、考慮和潛在的并發(fā)癥。

電池隨著時間的推移而老化并失去其充電狀態(tài);單元格的值“翻轉(zhuǎn)”，并且會發(fā)生所謂的位翻轉(zhuǎn)?？刂破骺梢詸z測這些不正確的位，并借助糾錯進行補償。但是，如果這些位錯誤累積，控制器必須采取對策。大多數(shù)閃存控制器包括刷新算法，用于檢測數(shù)據(jù)何時變舊并因此不穩(wěn)定，例如，通過時間戳或記錄位錯誤統(tǒng)計信息。較便宜的控制器僅在讀取數(shù)據(jù)時才檢測和檢查數(shù)據(jù)，即僅在主機請求讀取時。更復(fù)雜的控制器將所有數(shù)據(jù)的驅(qū)動器掃描安排為另一個后臺維護操作。

隨著時間的推移，讀取頁面中的塊也會對相鄰頁面的物理數(shù)據(jù)質(zhì)量產(chǎn)生負面影響。為了解決這個問題，控制器具有讀取干擾管理功能，可監(jiān)控閃存中的讀取并根據(jù)需要更新周圍的數(shù)據(jù)。

自我監(jiān)控、分析和報告技術(shù) （SMART） 提供有關(guān) NAND 閃存的運行狀況和使用壽命的信息。它允許用戶根據(jù)各種屬性監(jiān)控閃存設(shè)備的壽命。例如，可以對備用塊、擦除操作、讀取總數(shù)或 ECC 錯誤總數(shù)進行計數(shù)，如果可以從閃存中檢索到相應(yīng)的數(shù)據(jù)，則可以準確估計壽命。此功能是 ATA 接口的標準功能。但是，在設(shè)計用于 Hyperstone 控制器的其他要求苛刻的應(yīng)用中，此功能也相應(yīng)地用于其他接口，例如 USB 或 SD 和 dem。根據(jù)對特定用例的了解，基于SMART數(shù)據(jù)，設(shè)計也可以相應(yīng)地進行調(diào)整。根據(jù)要求，控制器和固件可以在成本、性能或可靠性方面進行優(yōu)化。

這些高端功能是否也適用于 SD 卡或 USB 驅(qū)動器？

是的，事實上，特別是對于這些產(chǎn)品，這些產(chǎn)品被設(shè)計得很便宜，有一個平行宇宙，一個由控制器，固件，制造和存儲提供商組成的生態(tài)系統(tǒng)，其重點是可靠性和長期可用性。

超石的新型標清控制器 S9 采用交鑰匙固件設(shè)計，可滿足最苛刻應(yīng)用的需求。為了延長使用壽命和高數(shù)據(jù)完整性，該控制器包括閃存 XE? ECC 和可靠性?功能。hyMap? 閃存轉(zhuǎn)換層僅確保最小的寫入放大和最高的耐用性。結(jié)果：有效利用 NAND 閃存，將故障降至最低。功能范圍由hySMART?監(jiān)控工具補充。其他安全功能，可以使用應(yīng)用程序編程接口 （API） 在 S9S 版本的超石控制器中實現(xiàn)。

在存儲系統(tǒng)和控制器方面，在接口選項和質(zhì)量方面都有很多選擇。為了實現(xiàn)一個考慮性能和可靠性以及成本和收益之間權(quán)衡的設(shè)計，需要大量的洞察力和經(jīng)驗。Hyperstone不僅可以從設(shè)計和咨詢的角度提供幫助，還可以通過一系列控制器和完整的解決方案提供幫助，例如針對特殊應(yīng)用進行固件定制的μSD卡。如果數(shù)據(jù)存儲對您的應(yīng)用程序至關(guān)重要，或者故障會導(dǎo)致代價高昂的停機時間，那么仔細選擇控制器和存儲技術(shù)是關(guān)鍵。

審核編輯：郭婷