3開(kāi)關(guān)頻率與開(kāi)關(guān)損耗

對(duì)于相同的磁芯尺寸132kHz 的設(shè)計(jì)相對(duì)于66kHz 的設(shè)計(jì)，其效率相近

工作于較高的工作頻率，開(kāi)關(guān)損耗相對(duì)于整個(gè)MOSFET 的損耗所占比例會(huì)有所增加，但僅僅適用于使用相同大小變壓器的情況

如果對(duì)于132kHz 和66kHz工作都采用相同的變壓器尺寸，通常變壓器損耗的降低可以彌補(bǔ)開(kāi)關(guān)損耗方面的增加

所有方案都具有過(guò)溫度、輸出過(guò)壓、過(guò)流和短路保護(hù)功能！

HFC0100— QR模式的控制方式

主要特性：

準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)控制方式，具有開(kāi)關(guān)損耗小，輕載高效的特點(diǎn)

具有高壓啟動(dòng)電流源及各種保護(hù)功能

HFC0500—多功能反激控制器

主要特性：

輕載降頻，提高輕載效率

輸入欠壓保護(hù)

定頻抖頻功能，可獲得較好的EMI效果

X電容掉電放電功能

計(jì)時(shí)管腳可實(shí)現(xiàn)豐富的保護(hù)

4鉗位電路的設(shè)計(jì)（工作原理及設(shè)計(jì)步驟）

MOSFET 關(guān)斷

次級(jí)二極管仍處于開(kāi)路狀態(tài)

勵(lì)磁電流給漏極電容進(jìn)行充電

繞組電壓達(dá)到 VOR

次級(jí)二極管開(kāi)通；

勵(lì)磁能量轉(zhuǎn)移至次級(jí)；

漏感能量轉(zhuǎn)而對(duì)變壓器電容進(jìn)行充電，直到變壓器電容的電壓等于箝位電容兩端的電壓。

繞組電壓超過(guò) VCLAMP_MIN

阻斷二極管開(kāi)通

箝位電容充電，電壓上升

阻斷二極管維持導(dǎo)通

能量恢復(fù)

箝位能量耗散

阻斷二極管關(guān)斷

箝位電容通過(guò)箝位電阻放電

設(shè)計(jì)步驟

5二極管的設(shè)計(jì)

選擇輸出二極管 – 肖特基或超快恢復(fù)二極管

電壓額定值為峰值反向電壓，可依據(jù)下式來(lái)計(jì)算：

VPIV=VMAX x (NS/NP)+VO

電流額定值應(yīng)高于平均輸出電流值至少兩倍：

IRATED>=2IO

為達(dá)到更好的散熱性能及效率，可以考慮2個(gè)二極管并聯(lián)

當(dāng)輸出電流達(dá)到3A以上，肖特基或快恢復(fù)二極管的損耗超過(guò)1.5W，建議使用同步整流方案來(lái)處理。

MPS 同步整流方案----MP6905

芯片特點(diǎn)：

1. 30mV Vf判定電壓，可獲得更高的效率

2. 輕載條件下靜態(tài)電流為<300uA?

3. 支持低端和高端兩種電路設(shè)計(jì)

4. 超快的關(guān)斷延時(shí)20ns

當(dāng)VDS 達(dá)到-30mV時(shí), 這時(shí)電流下降到比較低的程度，芯片驅(qū)動(dòng)Mos的門(mén)極為低，這樣避免了過(guò)早關(guān)斷導(dǎo)致的較大的損耗。

>3A條件下，相對(duì)于二極管損耗極小，Mos導(dǎo)通的Rdson <20mohm。