現(xiàn)在仍然可以使用離散小信號MOSFET，本設計理念提供了兩個簡單的例子：AND門和幅度調(diào)制器。

圖1顯示了一個標準的雙輸入AND門及其MOSFET（和單電阻或雙電阻）實現(xiàn)。

圖1雙輸入與門（a）和MOSFET實現(xiàn)（b）

輸入-A和輸入-B在這里連接

到單極由15V電池供電的開關。輸入A連接到MOSFET的漏極端子;輸入-B到其門終端。標記為Output-C的源端子是AND門的輸出。電路中的MOSFET處于截止或飽和模式。

當柵極端子施加邏輯低電平（0V）時，MOSFET工作在截止模式，并且工作在高電平MOSFET的漏極和源極之間存在阻抗。類似地，當在柵極端子施加高電壓（15V）時，MOSFET工作在飽和模式，MOSFET的漏極和源極端之間存在低阻抗。

圖2兩個輸入的示例模擬= 1

與非門當然可以通過添加M2和R3來形成輸出反相器來實現(xiàn)。

圖3雙輸入與非門（a）和MOSFET實現(xiàn)（b）

對于更多模擬 MOSFET應用，請考慮這種簡單的AM調(diào)制器。

圖4MOSFET幅度調(diào)制器

電路由N溝道MOSFET，兩個電阻和一個肖特基二極管組成。調(diào)制信號 sig（t），連接到MOSFET的漏極端子。載波信號 v-carr（t）連接到柵極端子。幅度調(diào)制輸出信號 v-out（t）從源極端獲得。

載波信號是方波，并且由于MOSFET的柵極連接到載波，MOSFET將以該頻率接通和斷開。接通時，漏極上的任何電壓都將通過MOSFET并出現(xiàn)在源極端子上。當MOSFET關閉時，R2會將輸出拉至地。

為了正常工作，載波信號的峰峰值電壓應為調(diào)制信號的峰峰值電壓的兩倍。 。肖特基二極管可防止幅度調(diào)制輸出信號成為雙極性信號。

圖5采用25kHz 12V PP 載波和1kHz 6V PP 正弦調(diào)制的仿真結(jié)果

圖6如上所述，使用方波調(diào)制