加利福尼亞州圣何塞 - 制造商設備供應商佳能公司的一位官員警告說，下一代平版印刷術（NGL）面臨著新的障礙，可能會威脅到IC產(chǎn)業(yè)轉向低于40納米的芯片制造業(yè)。

Current 193在65納米節(jié)點之后，-nm光學工具可能會碰壁，這促使人們需要65納米及以上的新解決方案。浸入式光刻技術仍然是當前和“干燥”193納米工具之后最有前途的技術，但評委會仍然不清楚該技術是否可以處理晶圓 - 大批量生產(chǎn)。

電子投影光刻（EPL）缺乏客戶群，而極紫外（EUV）技術顯然已經(jīng)遇到了一個新的，無法預料的障礙 - 可行的光刻膠。

EUV應該在2009年之前投入生產(chǎn)32納米節(jié)點。在EUV進入晶圓廠批量生產(chǎn)之前，該行業(yè)必須解決幾個問題，最明顯的是電源。

在最近的日本EUV活動中，平版印刷者發(fā)現(xiàn)了一個新問題。 EUV“40nm以下的化學放大抗蝕劑圖像是不可接受的，”光學設備供應商佳能（東京）的研究員Phil Ware周四（11月18日）在國際Sematech全球經(jīng)濟研討會上發(fā)表演講。

過去，EUV支持者聲稱目前的抗蝕劑適合生產(chǎn)。然而，Ware表示EUV將需要“更靈敏的抗蝕劑”，以便EUV工具處理低于40納米的晶圓。 “這是業(yè)界必須克服的問題之一，”韋爾說。

“EUV看起來不確定，”他說。 “所有與EUV相同的問題仍然在列表中，盡管所有的資金都花在了這個行業(yè)。如果EUV沒有來自32納米節(jié)點，那將是22納米的挑戰(zhàn)。”

這并不是說其他NGL候選人都是扣籃，包括EPL。 “EPL有一個不同的問題：沒有客戶，”Ware說。

甚至還有一些關于沉浸式光刻的問題，這應該在2006年和2007年的時間框架內出現(xiàn)。雖然該行業(yè)看好沉浸，但該技術尚未在生產(chǎn)工廠生產(chǎn)晶圓。 “我們正在等待的是生命的證據(jù)，”他說。

沉浸似乎也有一些理論上的限制。有些人認為沉浸可以擴展到22納米節(jié)點。 Ware指出，先進的193納米浸沒工具加上折射率為1.6的“調味水”，只能處理低至40納米的晶圓。

“你還需要（解決方案）在30納米，“他說。使用157納米工具進行浸入可能超過40納米，但該技術仍然缺乏合適的157納米鏡頭材料。他說，沒有可行的157納米浸泡液體。