日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

賽靈思推出世界最大FPGA芯片 擁有多達(dá)350億個(gè)晶體管

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:工程師吳畏 ? 2019-08-22 16:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

賽靈思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”,擁有多達(dá)350億個(gè)晶體管,密度在同類(lèi)產(chǎn)品中也是最大的,相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍,而功耗降低了60%。

雖然具體面積沒(méi)有公布,和日前那個(gè)1.2萬(wàn)億晶體管、46225平方毫米、AI計(jì)算專(zhuān)用的世界最大芯片不在一個(gè)數(shù)量級(jí),但在FPGA的世界里,絕對(duì)是個(gè)超級(jí)龐然大物,從官方圖看已經(jīng)可以蓋住一個(gè)馬克杯的杯口。

相比之下,AMD 64核心的二代霄龍為320億個(gè)晶體管,NVIDIA GV100核心則是211億個(gè)晶體管。

VU19P FPGA采用臺(tái)積電16nm工藝制造(上代為20nm),基于ARM架構(gòu),集成了16個(gè)Cortex-A9 CPU核心、893.8萬(wàn)個(gè)系統(tǒng)邏輯單元、2072個(gè)用戶(hù)I/O接口、224Mb(28MB)內(nèi)存,DDR4內(nèi)存帶寬最高1.5Tbps(192GB/s),80個(gè)28G收發(fā)器帶寬最高4.5Tbps(576GB/s),支持PCIe 3.0 x16、PCIe 4.0 x8、CCIX。

該芯片采用Lidless無(wú)頂蓋封裝,優(yōu)化散熱,可讓設(shè)計(jì)者發(fā)揮最極致的性能。

這是一顆“Chip Maker‘s Chip”(芯片廠(chǎng)商的芯片),主要面向最頂級(jí)ASIC、SoC芯片的仿真和原型設(shè)計(jì),以及測(cè)試、測(cè)量、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、航空、國(guó)防等應(yīng)用領(lǐng)域。

它還支持各種復(fù)雜的新興算法,包括人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、視頻處理、傳感器融合等。

VU19P FPGA將在2020年秋季批量供貨。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 賽靈思
    +關(guān)注

    關(guān)注

    33

    文章

    1798

    瀏覽量

    133682
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10443

    瀏覽量

    148707
  • FPGA芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    250

    瀏覽量

    41124
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    影響晶體管飽和電流的各項(xiàng)因素

    芯片性能的比拼中,有一個(gè)參數(shù)幾乎成了晶體管速度的代名詞——飽和電流(IdSAT)。它衡量的是晶體管完全導(dǎo)通時(shí),從漏極流向源極的最大電流。I
    的頭像 發(fā)表于 04-21 10:24 ?190次閱讀
    影響<b class='flag-5'>晶體管</b>飽和電流的各項(xiàng)因素

    FPGA電源解決方案全解析

    個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。本文將深入探討(Xilinx)FPGA的電源解決方案,為電子工程師們提供全面的參考。 文件下載: MAX17017
    的頭像 發(fā)表于 04-02 15:45 ?243次閱讀

    揭秘芯片測(cè)試:如何驗(yàn)證數(shù)十億個(gè)晶體管

    微觀(guān)世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數(shù)十億甚至上百億個(gè)晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800
    的頭像 發(fā)表于 03-06 10:03 ?380次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>芯片</b>測(cè)試:如何驗(yàn)證數(shù)十億<b class='flag-5'>個(gè)</b><b class='flag-5'>晶體管</b>

    國(guó)內(nèi)哪家 SLIC 芯片支持定制?電子脫穎而出

    ,就讓我們一同聚焦電子科技。電子:自主研發(fā)的堅(jiān)實(shí)后盾電子作為國(guó)內(nèi)知名的數(shù)?;旌?/div>
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:49 ?1499次閱讀
    國(guó)內(nèi)哪家 SLIC <b class='flag-5'>芯片</b>支持定制?<b class='flag-5'>賽</b><b class='flag-5'>思</b>電子脫穎而出

    Diodes公司推出DXTN/P 78Q與80Q系列雙極型晶體管

    Diodes 公司(Diodes)(Nasdaq: DIOD)宣布推出 DXTN/P 78Q 與 80Q 系列,擴(kuò)充符合汽車(chē)規(guī)范的雙極型(Bipolar)晶體管產(chǎn)品組合。這兩個(gè)系列是超低 VCE
    的頭像 發(fā)表于 01-07 18:08 ?1704次閱讀

    詳解NMOS晶體管的工作過(guò)程

    在每一顆芯片的內(nèi)部,數(shù)十億個(gè)晶體管如同高速開(kāi)合的微型水閘,構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例,我們將揭開(kāi)它如何依靠電場(chǎng)控制電子流動(dòng),在“關(guān)斷”與“導(dǎo)通”之間瞬間切換,并以此寫(xiě)下
    的頭像 發(fā)表于 12-10 15:17 ?1348次閱讀
    詳解NMOS<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作過(guò)程

    基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析

    在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天,我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字
    的頭像 發(fā)表于 12-02 15:46 ?709次閱讀
    基于偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)的數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>系列MUN2231等產(chǎn)品解析

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?978次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)
    發(fā)表于 11-17 07:42

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    內(nèi)建電場(chǎng)來(lái)控制晶體管對(duì)電壓的選擇性通斷,如圖: 該晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成,第一個(gè)晶體管PN結(jié)在外加電場(chǎng)下正向偏置,減小了內(nèi)建電場(chǎng),當(dāng)通入的
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2542次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過(guò)程

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含一個(gè)發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí),它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件:光耦的另一側(cè)是一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1224次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    允許兩個(gè)晶體管容納在一個(gè)晶體管的面積內(nèi),同時(shí)提升性能并降低功耗。然而,CFET 的生產(chǎn)難度極高,因此像 Imec 這樣的芯片制造商和研究人員
    發(fā)表于 06-20 10:40

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1660次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解
    尼勒克县| 铅山县| 厦门市| 仁寿县| SHOW| 抚州市| 定边县| 尼木县| 勐海县| 穆棱市| 博白县| 怀集县| 满洲里市| 桃江县| 彰化县| 永新县| 娄底市| 溆浦县| 禄丰县| 桓台县| 湖南省| 留坝县| 长寿区| 九龙坡区| 道孚县| 商洛市| 会同县| 巩留县| 罗田县| 漾濞| 高青县| 建水县| 从化市| 崇礼县| 宁海县| 周宁县| 潞西市| 江北区| 上犹县| 承德县| 武川县|