美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存
日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
在內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。
根據(jù)美光之前公布的路線圖，實(shí)際上1Znm之后還會(huì)有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級(jí)別就有六種制造工藝了，現(xiàn)在正好演進(jìn)到到了第三代。
美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過美光并沒有給出具體的數(shù)據(jù)，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數(shù)據(jù)，唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這個(gè)比較也太過寬泛。
此外，美光還宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業(yè)界容量最高的16Gb LPDDR4X內(nèi)存，滿足了業(yè)界對(duì)低功耗及更小封裝的的要求。
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