iFixit拆解確認(rèn)iPhone11ProMax標(biāo)配4GB內(nèi)存
近日，國(guó)外知名拆解機(jī)構(gòu)iFixit拆解了全新的iPhone 11 Pro Max，并對(duì)近日用戶相當(dāng)關(guān)注的iPhone內(nèi)存究竟多大的問(wèn)題蓋棺定論，iPhone 11 Pro Max標(biāo)配4GB內(nèi)存。
此前有多個(gè)來(lái)源表示iPhone 11系列配備了6GB內(nèi)存，不過(guò)隨后有開(kāi)發(fā)者表示，Xcode訪問(wèn)信息顯示新iPhone僅有4GB內(nèi)存，工信部認(rèn)證信息也佐證了這一點(diǎn)。
隨后又有說(shuō)法認(rèn)為iPhone 11 Pro的內(nèi)存的確是6GB，但被拆分成了4+2GB，其中2GB無(wú)法被用戶訪問(wèn)，劃分給相機(jī)專用。
對(duì)此iFixit表示在拆解時(shí)無(wú)法找到相機(jī)專用的RAM模塊，因此無(wú)法確認(rèn)這個(gè)傳說(shuō)中的2GB相機(jī)內(nèi)存是否真實(shí)存在。
最終iFixit給iPhone 11 Pro Max的可維修性打出了6分（10分最高），iFixit表示屏幕和電池維修依然是iPhone設(shè)計(jì)中的優(yōu)先事項(xiàng)，而且電池設(shè)計(jì)得到了簡(jiǎn)化（兩塊變?yōu)橐粔K）。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
iPhone
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
13525瀏覽量
216953 -
iFixit
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
41瀏覽量
30869
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
容量與性能兼?zhèn)洌c龍DDR5 6000 C28 24GB內(nèi)存評(píng)測(cè)
內(nèi)存容量歷來(lái)是DIY熱議話題，本以為隨著DDR5的普及，大家終于能告別“萬(wàn)年16GB”時(shí)代，誰(shuí)成想一波猛漲直接“夢(mèng)回DDR4”。尤其預(yù)算吃緊、打算先買單條過(guò)渡的小伙伴，面對(duì)重新擺回臺(tái)面的“容量焦慮
32GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 RDIMM：技術(shù)剖析與設(shè)計(jì)考量
32GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 RDIMM：技術(shù)剖析與設(shè)計(jì)考量 在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展日新月異，DDR4
4Gb: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM技術(shù)解析與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
4Gb: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM技術(shù)解析與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，內(nèi)存芯片的性能和特性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來(lái)深入探討一下4Gb: x
在 4GB 型號(hào)上檢測(cè)到的內(nèi)存大小錯(cuò)誤為 8GB，怎么解決？
我剛剛更新了我的 U-Boot 和有效負(fù)載，現(xiàn)在我的 4GB 型號(hào)似乎感覺(jué)它有 8GB 的 RAM - 遺憾的是，運(yùn)行類似“memtester 6G”的東西很快就顯示它的上半部分只是蒸汽 RAM
發(fā)表于 03-24 06:17
M4 Mac mini拆解實(shí)錘！國(guó)產(chǎn)貼片Y電容打入高端供應(yīng)鏈，憑實(shí)力出圈
近日，蘋(píng)果全新一代 Mac mini（M4 / M4 Pro） 正式發(fā)布并開(kāi)售，憑借更強(qiáng)性能、更低功耗，再次成為迷你主機(jī)天花板。 ? ? ? 而在海外知名博主iFixit的深度拆解中，
MangoTree Halo Ultra「全新PXI」，標(biāo)配自動(dòng)糾錯(cuò)內(nèi)存#
內(nèi)存
芒果樹(shù)數(shù)字
發(fā)布于 :2026年03月06日 15:59:34
ARMv8體系結(jié)構(gòu)入門(mén)（附流程圖+腦圖）
。 先理框架：ARMv8腦圖 一、ARMv8到底是啥？ 我們可以把ARMv8理解為 處理器的“規(guī)則手冊(cè)” ： ?以前的ARM架構(gòu)是“32位手冊(cè)”，最多只能讓設(shè)備用4GB內(nèi)存（比如早期的1GB手機(jī)）； ?ARMv8是“64位新手冊(cè)
rk基于linux/android內(nèi)存管理
一、內(nèi)存分布 ? U-Boot 由前級(jí) Loader 加載到 CONFIG_SYS_TEXT_BASE 地址，初始化時(shí)會(huì)探明當(dāng)前系統(tǒng)的總內(nèi)存容 量， 32 位平臺(tái)上認(rèn)為最大 4GB 可用（但是不影響
字存儲(chǔ)空間的小端格式
CW32F030 內(nèi)核為 32 位的 ARM? Cortex?-M0+ 微處理器，最大尋址空間為 4GB。芯片內(nèi)置的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、各外設(shè)及端口寄存器被統(tǒng)一編址在同一個(gè) 4GB 的線性
發(fā)表于 12-11 07:03
美光確認(rèn)HBM4將在2026年Q2量產(chǎn)
2025年9月24日，美光在2025財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中確認(rèn)，第四代高帶寬內(nèi)存（HBM4）將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨，2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)
定制安卓主板_迷你小型Android主板基于MTK安卓核心板方案
這款迷你安卓主板的核心是聯(lián)發(fā)科MT8768平臺(tái)，采用八核架構(gòu)和12nm先進(jìn)制程工藝，主頻高達(dá)2.0GHz。標(biāo)配4GB內(nèi)存與64GB存儲(chǔ)，加上安卓11
定制安卓主板_聯(lián)發(fā)科|高通|紫光展銳安卓主板方案
安卓主板搭載聯(lián)發(fā)科八核處理器，主頻高達(dá)2.2GHz，采用先進(jìn)的6nm制程工藝，性能表現(xiàn)出色。內(nèi)置Android 13.0操作系統(tǒng)，標(biāo)配4GB DDR4內(nèi)存和64
【VisionFive 2單板計(jì)算機(jī)試用體驗(yàn)】燒錄系統(tǒng)+開(kāi)箱啟動(dòng)
@ 1.5GHz
GPU
無(wú)獨(dú)立 GPU
Imagination PowerVR GPU
AI 加速
無(wú)
0.5 TOPS NPU
內(nèi)存
2GB/4GB LPDDR4
2
發(fā)表于 06-26 18:20
美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨
隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長(zhǎng)，高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4
評(píng)論