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國電南瑞擬與聯(lián)研院設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體合資公司

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:wv ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2019-10-20 11:22 ? 次閱讀
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10月17日,國電南瑞科技股份有限公司(以下簡稱“國電南瑞”)發(fā)布公告稱,擬與國家電網(wǎng)有限公司(以下簡稱“國網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(以下簡稱“聯(lián)研院”)共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以工商部門核準(zhǔn)名稱為準(zhǔn),以下簡稱“合資公司”),由該合資公司實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分投資。

公告指出,國電南瑞擬以IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分募集資金55,864.45萬元出資,占合資公司69.8305625%股權(quán),聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資24,135.55萬元(該出資技術(shù)的評(píng)估值已經(jīng)國有資產(chǎn)管理單位備案),占合資公司30.17%股權(quán)。涉及變更實(shí)施主體的計(jì)劃投資額55,864.45萬元,占IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件,技術(shù)難度大、研發(fā)及產(chǎn)線建設(shè)周期長、資金投入大,核心技術(shù)一直被國外企業(yè)壟斷,目前國內(nèi)高端人才缺乏,國內(nèi)僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務(wù)。聯(lián)研院是國家電網(wǎng)公司直屬科研單位,國內(nèi)首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備開發(fā)的高端科研機(jī)構(gòu)。

聯(lián)研院于2010年開始研究功率半導(dǎo)體器件,擁有100多人的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的功率器件中試線,是國內(nèi)少數(shù)掌握高壓IGBT芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的單位之一。在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,聯(lián)研院承擔(dān)國家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))“國產(chǎn)高壓大功率IGBT模塊電力系統(tǒng)應(yīng)用工程”等攻關(guān)任務(wù),自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件,其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件,掌握成套的設(shè)計(jì)、制備等核心技術(shù),打破了國外技術(shù)壟斷,成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品,實(shí)現(xiàn)了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。

國電南瑞指出,通過與聯(lián)研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn),保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。為加快公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸和產(chǎn)業(yè)升級(jí),增強(qiáng)企業(yè)核心競爭力,提高公司募集資金使用效率和效果,降低公司募投項(xiàng)目投資風(fēng)險(xiǎn),公司擬以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設(shè)立合資公司,并增加合資公司為該項(xiàng)目的實(shí)施主體。

公告顯示,經(jīng)中國證券監(jiān)督管理委員會(huì)《關(guān)于核準(zhǔn)國電南瑞科技股份有限公司向南瑞集團(tuán)有限公司等發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金的批復(fù)》(證監(jiān)許可[2017]2224號(hào))核準(zhǔn),公司以非公開發(fā)行股份方式向7名特定投資者發(fā)行了人民幣普通股381,693,558股,發(fā)行價(jià)格為15.99元/股,本次發(fā)行募集資金總額為61.03億元元,扣除各項(xiàng)發(fā)行費(fèi)用83,23.94萬元,實(shí)際募集資金凈額為60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”是上述募集資金投資項(xiàng)目之一,根據(jù)原計(jì)劃,“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”全部由國電南瑞母公司實(shí)施,項(xiàng)目投資總額為164,388萬元,項(xiàng)目建設(shè)期42個(gè)月,項(xiàng)目投產(chǎn)后第7年達(dá)到本項(xiàng)目預(yù)計(jì)的生產(chǎn)能力。截止2019年8月31日,該項(xiàng)目已累計(jì)使用募集資金2,370.53萬元,占總投資1.44%,剩余募集資金162,017.47萬元(不含利息)。

公告指出,公司本次擬增加“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的實(shí)施主體,以計(jì)劃用于該項(xiàng)目設(shè)備投資的部分募集資金出資,與聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資共同投資設(shè)立合資公司,即由該合資公司實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的部分投資。涉及變更實(shí)施主體的計(jì)劃投資額為55864.45萬元,占“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關(guān)募集資金用途、建設(shè)內(nèi)容、地點(diǎn)等不變。

國電南瑞表示,本次交易有利于募集資金投資項(xiàng)目的運(yùn)作和實(shí)施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項(xiàng)目的實(shí)施進(jìn)度。

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