在當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)需求疲軟的環(huán)境下，三星、美光和SK海力士相繼發(fā)布1z nm內(nèi)存芯片，搶進(jìn)高端內(nèi)存市場(chǎng)。并計(jì)劃下半年開始量產(chǎn)，并于2020年在新一代服務(wù)器、高端PC及智能手機(jī)等應(yīng)用發(fā)力。

三星1znm 8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn)

據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR4。

這是三星自2017年底批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)，僅僅16個(gè)月就開發(fā)出了1z nm 8Gb DDR4，而且不使用極紫外光刻（EUV）設(shè)備處理，就突破了DRAM的技術(shù)挑戰(zhàn)。

三星1z nm是業(yè)界最小的存儲(chǔ)器工藝，新的1z nm DDR4相較于1ynm生產(chǎn)率可提高20%以上，計(jì)劃將在下半年開始量產(chǎn)1z nm 8Gb DDR4，并將在2020年推出新一代企業(yè)服務(wù)器和高端PC應(yīng)用的DRAM，滿足未來(lái)市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。

開發(fā)的1z nm DRAM為加速向下一代如DDR5，LPDDR5和GDDR6過(guò)渡鋪平了道路，這些將為未來(lái)創(chuàng)新提供動(dòng)力。同時(shí)，三星開發(fā)更具高容量和高性能的1z nm產(chǎn)品將增強(qiáng)其業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固其在高端DRAM市場(chǎng)中的領(lǐng)導(dǎo)地位，包括服務(wù)器、圖形和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。

該公司正積極與全球客戶合作，在與CPU制造商進(jìn)行8GB DDR4模塊的全面驗(yàn)證后，將提供一系列存儲(chǔ)解決方案。同時(shí)，三星在其平澤工廠生產(chǎn)先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求。

三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁李榮培（Jung Bae Lee）表示：“我們致力于突破技術(shù)領(lǐng)域的最大挑戰(zhàn)，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)更大的創(chuàng)新。很高興能再次為下一代DRAM的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出1z nm的DRAM系列產(chǎn)品，三星將繼續(xù)致力于支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并滿足高端內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)?！?/p>

美光開始量產(chǎn)16Gb 1z nm DDR4內(nèi)存，功耗降低40%

8月，根據(jù)TPU的報(bào)道，美光已經(jīng)開始量產(chǎn)1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。

據(jù)介紹，與前一代1Y工藝相比，1z nm工藝的16Gb DDR4產(chǎn)品具有更高的比特密度，性能略有提高，成本也更低。與前幾代8Gb DDR4 RAM解決方案相比，新節(jié)點(diǎn)還使功耗降低了40%。

美光還宣布，它已經(jīng)開始批量出貨業(yè)界容量最大的單片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，1z nm LPDDR4X和uMCP4產(chǎn)品主要針對(duì)智能手機(jī)。

美光在DRAM市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星(Samsung)去年春季宣布，將在今年下半年開始生產(chǎn)1z nm 8Gb DDR4模塊，為下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6內(nèi)存產(chǎn)品的推出做準(zhǔn)備。

SK海力士宣布開發(fā)第三代1Z nm內(nèi)存芯片 年內(nèi)完成批量生產(chǎn)

10月21日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1z nm DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲(chǔ)量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。

與上一代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高了約27%，由于可以在不適用超高價(jià)的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生產(chǎn)，其在成本上具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

新款1z nm DRAM支持高達(dá)3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，據(jù)稱是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。

第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來(lái)沒使用過(guò)的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進(jìn)了新的設(shè)計(jì)技術(shù)，提高了動(dòng)作穩(wěn)定性。

接下來(lái)，SK海力士計(jì)劃將第三代10nm級(jí)微細(xì)工程技術(shù)擴(kuò)展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1z開發(fā)事業(yè)TF長(zhǎng)李廷燻表示，該芯片計(jì)劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)。