11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負責人出席簽約儀式。

該項目將新建大型規(guī)模化的GaN射頻器件與功率器件生產(chǎn)基地，總投資25億元，占地110畝。項目全部達產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設備、智能電網(wǎng)及太陽能逆變器等領域。

該項目的引進是嘉興科技城深入實施全面融入長三角一體化發(fā)展首位戰(zhàn)略的成果之一，將進一步推動南湖區(qū)集成電路新一代半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，加速區(qū)塊鏈產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成長。

憑借在產(chǎn)業(yè)領域的投資布局、頂級的專家團隊以及廣大的市場應用，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司通過打造射頻功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的業(yè)務板塊，實現(xiàn)了初具生態(tài)鏈格局、互為契合應用的產(chǎn)業(yè)版圖，建立起擁有自主知識產(chǎn)權并在全球范圍內(nèi)具有代表性的化合物半導體材料制造產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，使之成為具有世界影響力的中國第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)示范標桿。
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