N584L120是一顆以4位元微處理控制器為基礎(chǔ)的語音IC芯片,提供H/W的語音合成器和混頻器實現(xiàn)1個信道的語音(Speech)并加雙音旋律(Dual Tone)的聲音效果。結(jié)合其采用的低電壓技術(shù),實現(xiàn)在玩具市場中一顆電池的應(yīng)用。
N584L120內(nèi)部升壓器(booster voltage)電壓將達到3V。
它提供128 組4位元隨機存取內(nèi)存(RAM)、12個I/O腳位、語音合成器(Speech synthesizer)、旋律生成器(Melody generator)、看門狗監(jiān)視定時器(Watch Dog Timer)、語音脈沖寬度調(diào)變器(Audio PWM),此PWM輸出可以直接驅(qū)動揚聲器(Speaker)。

規(guī)格數(shù)據(jù)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
新唐科技
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1092瀏覽量
43390 -
嵌入式主板
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
6107瀏覽量
37174
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
安森美AFGH4L40T120RW IGBT:汽車應(yīng)用的理想之選
AFGH4L40T120RW是一款采用新型場截止第七代IGBT技術(shù)的單通道N溝道IGBT,采用TO - 247 - 4L封裝。這種封裝形式結(jié)合先進技術(shù),使其在汽車應(yīng)用
FGY4L100T120SWD IGBT:高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選
FGY4L100T120SWD IGBT:高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率器件對于實現(xiàn)高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 推出
深入解析FGY4L75T120SWD IGBT:高性能與可靠性的完美結(jié)合
的FGY4L75T120SWD IGBT,這款采用TO247 - 4L封裝的N溝道場截止第七代(FS7)IGBT,在諸多應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的性能。 文件下載: FGY4L75T120SW
5.3A、1200V NPT系列N溝道IGBT:HGTD1N120BNS與HGTP1N120BN詳解
5.3A、1200V NPT系列N溝道IGBT:HGTD1N120BNS與HGTP1N120BN詳解 一、前言 在電子工程師的日常設(shè)計中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天我們要介紹
探索 HGTG11N120CND:高性能 N 溝道 IGBT 的卓越之選
探索 HGTG11N120CND:高性能 N 溝道 IGBT 的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高電壓開關(guān)場景。今天,我們將深入探討
電子工程師必看:HGTG10N120BN等IGBT器件深度剖析
電子工程師必看:HGTG10N120BN等IGBT器件深度剖析 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率
Onsemi FDP120N10 N溝道MOSFET:高性能解決方案
Onsemi FDP120N10 N溝道MOSFET:高性能解決方案 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是至關(guān)重要的元件之一。今天,我們要深入探討Onsemi
深入剖析FQD13N10L/FQU13N10L N - 通道QFET? MOSFET
深入剖析FQD13N10L/FQU13N10L N - 通道QFET? MOSFET 一、引言 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為重要的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天我們要詳細探討
深入解析 onsemi NTD24N06L/STD24N06L MOSFET
深入解析 onsemi NTD24N06L/STD24N06L MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 是一種至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們來詳細解析 onsemi 公司
深入解析Onsemi NTD18N06L/NTDV18N06L MOSFET
深入解析Onsemi NTD18N06L/NTDV18N06L MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件,它廣泛應(yīng)用于各類電源、轉(zhuǎn)換器和電機控制等電路中。今天我們
HMC584LP5 / 584LP5E:高性能MMIC VCO的卓越之選
HMC584LP5 / 584LP5E:高性能MMIC VCO的卓越之選 在射頻和微波領(lǐng)域,壓控振蕩器(VCO)是至關(guān)重要的組件,它為眾多應(yīng)用提供了穩(wěn)定的頻率源。今天,我們就來深入了解一款性能出色
AS-120-N VHF精密開關(guān)衰減器
AS-120-NVHF精密開關(guān)衰減器AS-120-N 是RLC Electronics公司生產(chǎn)的VHF精密開關(guān)衰減器(VHF Precision Switch Attenuator)系列中的一款
發(fā)表于 03-10 09:02
探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 這款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET,看看它到底有哪些獨特之處。
STL120N10F8功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術(shù),具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。它確保極低的導(dǎo)通電
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強型MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 05-14 16:40
?0次下載
新唐科技N584L120簡介
評論