N584L080是一顆以4位元微處理控制器為基礎(chǔ)的語音IC芯片,并提供H/W的語音合成器和混頻器實(shí)現(xiàn)1個信道語音(Speech)并加雙音旋律(Dual Tone)的聲音效果。結(jié)合其采用的低電壓技術(shù),實(shí)現(xiàn)在玩具市場中一顆電池的應(yīng)用。
N584L080內(nèi)部升壓器(booster voltage)電壓將達(dá)到3V。
它提供128 組4位元隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、12個I/O腳位、語音合成器(Speech synthesizer)、旋律生成器(Melody generator)、看門狗監(jiān)視定時器(Watch Dog Timer)、語音脈沖寬度調(diào)變器(Audio PWM),此PWM輸出可以直接驅(qū)動揚(yáng)聲器(Speaker)。

規(guī)格數(shù)據(jù)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
新唐科技
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1092瀏覽量
43399 -
嵌入式主板
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
6107瀏覽量
37175
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
安森美1200V、80毫歐SiC MOSFET:NTHL080N120SC1A的技術(shù)剖析
安森美1200V、80毫歐SiC MOSFET:NTHL080N120SC1A的技術(shù)剖析 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,功率器件的性能直接影響整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。碳化硅(SiC)MOSFET憑借其
onsemi碳化硅MOSFET NVBG080N120SC1:高性能解決方案
onsemi碳化硅MOSFET NVBG080N120SC1:高性能解決方案 在電子工程領(lǐng)域,功率器件的性能對于整個系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L080N120SC1技術(shù)解析
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L080N120SC1技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,功率器件的性能對整個系統(tǒng)的效率、可靠性和尺寸起著關(guān)鍵作用。碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新興的功率器件
安森美SiC MOSFET NVHL080N120SC1A:高性能與可靠性的完美結(jié)合
安森美SiC MOSFET NVHL080N120SC1A:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能和高可靠性的背景下,功率半導(dǎo)體器件的選擇顯得尤為重要。安森美(onsemi)推出
安森美1200V碳化硅MOSFET NVHL080N120SC1的特性與應(yīng)用分析
安森美1200V碳化硅MOSFET NVHL080N120SC1的特性與應(yīng)用分析 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們來深入
安海 ADA080N120 碳化硅MOSFET 技術(shù)簡析
ADA080N120 是安海半導(dǎo)體推出的 800V N溝道SiC功率MOSFET,TO-220F封裝,主打低損耗、高可靠。其典型RDS(ON)僅120mΩ,Qg僅15.3nC,開關(guān)速度快且反向恢復(fù)
發(fā)表于 04-29 10:43
TRI - MAG DZ080系列通用輸入多輸出電源供應(yīng)器介紹
TRI - MAG DZ080系列通用輸入多輸出電源供應(yīng)器介紹 在電子設(shè)備的設(shè)計中,電源供應(yīng)器是至關(guān)重要的組件,它為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供必要的電力支持。今天,我們就來詳細(xì)了解一下TRI - MAG公司
深入剖析 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET
深入剖析 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開關(guān)電路中。今天,我們將深入探討安森美
Onsemi NTMT080N60S5 MOSFET:高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合
Onsemi NTMT080N60S5 MOSFET:高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種極為重要的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種
安森美 NTBL080N60S5H MOSFET:高效電源解決方案
安森美 NTBL080N60S5H MOSFET:高效電源解決方案 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能直接影響著系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解安森美(onsemi
onsemi FCMT080N65S3 MOSFET深度解析
onsemi FCMT080N65S3 MOSFET深度解析 作為電子工程師,在設(shè)計電路時,MOSFET的選擇至關(guān)重要。今天我們就來詳細(xì)了解一下onsemi的FCMT080N65S3這款N溝道功率
HMC584LP5 / 584LP5E:高性能MMIC VCO的卓越之選
HMC584LP5 / 584LP5E:高性能MMIC VCO的卓越之選 在射頻和微波領(lǐng)域,壓控振蕩器(VCO)是至關(guān)重要的組件,它為眾多應(yīng)用提供了穩(wěn)定的頻率源。今天,我們就來深入了解一款性能出色
剖析ADC12L080:12位高速A/D轉(zhuǎn)換器的卓越性能與應(yīng)用指南
? 在當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域,高速、高精度的A/D轉(zhuǎn)換器扮演著至關(guān)重要的角色。ADC12L080作為一款由德州儀器(TI)推出的12位、80 MSPS、450 MHz帶寬的A/D轉(zhuǎn)換器,憑借其出色的性能
?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
請問新唐Nu-Link調(diào)試工具是否支持8051系列芯片?
新唐Nu-Link調(diào)試工具包括Nu-Link-Me(ICE)、Nu-Link-Pro(ICE)和Nu-Link(ICE),并支持1T 8051芯片,如N76E003、N76E616和
發(fā)表于 08-18 08:20
新唐科技N584L080芯片介紹
評論