新唐科技N535FSA080芯片介紹
N535FSA080是點(diǎn)陣FSLCD(場(chǎng)序液晶顯示)驅(qū)動(dòng)器，可以顯示 8 種顏色?？赏ㄟ^(guò)串行接口連接微處理器。N535FSA080包含1COM和80SEG輸出、內(nèi)建顯示用內(nèi)存、FLCD驅(qū)動(dòng)電源電路、R/G/B三原色LED驅(qū)動(dòng)電路、振蕩電路。此外，可透過(guò)主/從模式的切換，以達(dá)到液晶顯示屏的擴(kuò)充。
規(guī)格數(shù)據(jù)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
新唐科技
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1092瀏覽量
43399 -
嵌入式主板
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
6107瀏覽量
37176
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
安森美1200V、80毫歐SiC MOSFET：NTHL080N120SC1A的技術(shù)剖析
安森美1200V、80毫歐SiC MOSFET：NTHL080N120SC1A的技術(shù)剖析 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，功率器件的性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。碳化硅（SiC）MOSFET憑借其
onsemi碳化硅MOSFET NVBG080N120SC1：高性能解決方案
onsemi碳化硅MOSFET NVBG080N120SC1：高性能解決方案 在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L080N120SC1技術(shù)解析
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L080N120SC1技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和尺寸起著關(guān)鍵作用。碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新興的功率器件
安森美SiC MOSFET NVHL080N120SC1A：高性能與可靠性的完美結(jié)合
安森美SiC MOSFET NVHL080N120SC1A：高性能與可靠性的完美結(jié)合 在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能和高可靠性的背景下，功率半導(dǎo)體器件的選擇顯得尤為重要。安森美（onsemi）推出
安森美1200V碳化硅MOSFET NVHL080N120SC1的特性與應(yīng)用分析
安森美1200V碳化硅MOSFET NVHL080N120SC1的特性與應(yīng)用分析 在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們來(lái)深入
TRI - MAG DZ080系列通用輸入多輸出電源供應(yīng)器介紹
TRI - MAG DZ080系列通用輸入多輸出電源供應(yīng)器介紹 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電源供應(yīng)器是至關(guān)重要的組件，它為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供必要的電力支持。今天，我們就來(lái)詳細(xì)了解一下TRI - MAG公司
深入剖析 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET
深入剖析 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開(kāi)關(guān)電路中。今天，我們將深入探討安森美
Onsemi NTMT080N60S5 MOSFET：高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合
Onsemi NTMT080N60S5 MOSFET：高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種極為重要的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種
安森美 NTBL080N60S5H MOSFET：高效電源解決方案
安森美 NTBL080N60S5H MOSFET：高效電源解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來(lái)深入了解安森美（onsemi
onsemi FCMT080N65S3 MOSFET深度解析
onsemi FCMT080N65S3 MOSFET深度解析 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，MOSFET的選擇至關(guān)重要。今天我們就來(lái)詳細(xì)了解一下onsemi的FCMT080N65S3這款N溝道功率
HMC535LP4 / 535LP4E 鎖相振蕩器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
HMC535LP4 / 535LP4E 鎖相振蕩器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程領(lǐng)域，鎖相振蕩器（PLO）是一種關(guān)鍵的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種通信和測(cè)試系統(tǒng)中。今天，我們要深入探討
深入解析FSA8049音頻插孔檢測(cè)與配置開(kāi)關(guān)
深入解析FSA8049音頻插孔檢測(cè)與配置開(kāi)關(guān) 在音頻設(shè)備的設(shè)計(jì)中，音頻插孔的檢測(cè)與配置是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天，我們就來(lái)深入了解一下Fairchild（現(xiàn)屬ON Semiconductor
陸芯科技正式推出YGJ75N65FSA1內(nèi)絕緣IGBT單管
陸芯科技正式推出內(nèi)絕緣IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGJ75N65FSA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench平臺(tái)，TO247-3內(nèi)絕緣封裝。
?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
請(qǐng)問(wèn)新唐Nu-Link調(diào)試工具是否支持8051系列芯片？
新唐Nu-Link調(diào)試工具包括Nu-Link-Me（ICE）、Nu-Link-Pro（ICE）和Nu-Link（ICE），并支持1T 8051芯片，如N76E003、N76E616和
發(fā)表于 08-18 08:20
評(píng)論