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存儲芯片庫存水位下降 三星、SK海力士調(diào)整產(chǎn)能應(yīng)對 CIS 需求激增

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2019-12-01 01:00 ? 次閱讀
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DRAM、NAND 與 NOR 三季度總產(chǎn)值均提升,NAND Flash 現(xiàn)貨價格 11月至今漲幅 1.6%:三季度 DRAM、NAND 與 NOR 總產(chǎn)值分別為 154 億美元、119 億美元與 5.7 億美元,環(huán)比增速分別為 4.1%、10.2%與 4.3%。三季度 NAND 產(chǎn)品增速最快,產(chǎn)業(yè)高增速主要受益于年底銷售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨需求增加,整體位元出貨量增速近 15%。

另一方面,第三季 NAND 現(xiàn)貨價格跌幅持續(xù)收緊,11 月初至今上漲 1.6%,NAND 供應(yīng)商庫存水位明顯改善,NAND 產(chǎn)品價格有望率先回漲。

DRAM 方面:據(jù) DRAMeXchange 報告顯示,三星三季度 DRAM 芯片市場份額達(dá) 46.1%,為 2017 年 Q2 季度以來最高水平,除三星產(chǎn)能因素外,需求端服務(wù)器與手機 DRAM 芯片消化三星庫存提升其市占率。


DRAMeXchange 稱,由于中國智能手機廠商積極將季度出貨量提前,以及服務(wù)器市場的需求逐漸恢復(fù),三星三季度的 DRAM 營收同比增長 30%,環(huán)比增長 5%至 71 億美元。DRAM 市場 CR4 高達(dá) 94.6%,市場仍集中在三星、海力士與美光三寡頭;隨著三寡頭庫存消化與需求端拉動力增強,DRAM 價格下跌趨勢收緊,供需情況有望持續(xù)改善,明年將回歸正常水平。

NAND Flash 方面:據(jù) DRAMeXchange 報告顯示,2019 年第三季 NAND 產(chǎn)業(yè)整體營收環(huán)比增速達(dá) 10.2%,產(chǎn)業(yè)高增速主要受益于年底銷售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨需求增加,整體位元出貨量增速近 15%。另一方面,第三季 NAND 現(xiàn)貨價格跌幅持續(xù)收緊,11 月初至今上漲 1.6%,NAND 供應(yīng)商庫存水位明顯改善,NAND 產(chǎn)品價格有望率先上調(diào)。


NOR Flash 方面:第三季度 NOR 行業(yè)整體營收環(huán)比增速為 4.3%,單季市場總收入 5.7億美元,體量遠(yuǎn)低于 NAND 與 DRAM。其中,環(huán)比增速最快的廠商為大陸企業(yè)兆易創(chuàng)新,Q3 收入 1.04 億美元,環(huán)比增長 36.2%,收入排名超過美國企業(yè)賽普拉斯晉升至第三名。NOR 廠商華邦電、旺宏與兆易創(chuàng)新單季營收增長主要受益于 TWS 耳機出貨量爆漲。

存儲廠商方面:三星 Q3 財報顯示,三季度營收 61 萬億韓元,同比下降 5%,主要受存儲市場疲軟影響。Q3 三星 DRAM 比特增速低至 30%,平均銷售價下降百分之十幾。預(yù)計四季度市場對DRAM 的需求增速在 10%以內(nèi),三星的比特增速將與市場保持一致。

三星預(yù)計 2019 年市場 NAND 比特增速將達(dá) 30%,三星的 NAND 比特增速將高于市場增速。產(chǎn)能方面,三星仍照原計劃逐季縮減 Line12 的 2D NAND 產(chǎn)品,并在持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)新制程的同時,維持相同的 3D NAND 投片規(guī)模。

在新產(chǎn)能方面,西安二期仍依規(guī)劃于 2020 年上半年投產(chǎn),而平澤二廠預(yù)定明年下半年開始營運。庫存方面,第三季度 NAND 已經(jīng)達(dá)到正常的庫存水平;三季度 DRAM 出貨量遠(yuǎn)超出預(yù)期,與 Q2 相比,目前的 DRAM 庫存減少比較明顯。

此外,三星需要額外的容量來響應(yīng) CIS 或 CMOS 圖像傳感器的需求,計劃從明年第一季度開始增加 CIS 的產(chǎn)能,相應(yīng) DRAM 產(chǎn)能有所下降,預(yù)計三星 DRAM 庫存將在明年上半年達(dá)到正常水平。

SK 海力士 Q3 單季實現(xiàn)營收 6.84 萬億韓元,同比下降 40%,環(huán)比增長 6%;毛利率 27%,凈利率 7%,分別同比下降 39 和 34 個百分點,分別環(huán)比下降 4 和 1 個百分點。DRAM 比特出貨量環(huán)比增長 23%,平均銷售價格下降 16%,智能手機新機發(fā)布代動出貨量增多。NAND 閃存比特出貨量環(huán)比下降-1%,平均銷售價格增長 4%。

產(chǎn)能方面,受 2D NAND產(chǎn)能縮減影響,今年 SK海力士整體產(chǎn)能呈現(xiàn)逐季遞減,而主流的 3D NAND 則小幅擴產(chǎn),新增產(chǎn)能主要設(shè)于 M15。海力士指出,公司正在將利川 M10 廠的一部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為批量生產(chǎn) CMOS 圖像傳感器(CIS)的生產(chǎn)線,同時減少 2D NAND 閃存的生產(chǎn)量。

預(yù)計明年的 DRAM 和 NAND 的生產(chǎn)量下降,相應(yīng)投資額減少。此外,SK 海力士將主攻高配置智能手機和 SSD 市場,預(yù)計 NAND 閃存銷售額中 SSD 所占的比重在 Q4 將增加到 30%。

***存儲廠商南亞科 10 月營收 45.22 億新臺幣,同比下降 32.80%。華邦電 10 月營收 43.21億新臺幣,同比增長 3.99%。旺宏 10 月營收 36.66 億新臺幣,同比下降-5.86%,環(huán)比下降 27.83%;旺宏 9 月營收創(chuàng)歷史新高后,10 月營收大幅下降,受市場影響波動較大。

旺宏 Q3 營收 119.06 億新臺幣,同比增長 19%,環(huán)比增長 59%。Q3 營收大幅增長主要來自 ROM 產(chǎn)品收入爆漲,ROM 單季度收入同比增長 58%,環(huán)比增長 177%;≥64Gb 容量產(chǎn)品占 Q3 ROM 營收的 83%。Flash 產(chǎn)品出貨量指數(shù) 351,環(huán)比小幅提升,處于歷史中位偏高水平。

Flash 營收增長主要來自下游的消費電子汽車電子需求增長。***地區(qū)DRAM 廠商受供給過剩,價格下行影響,南亞科收入仍顯疲軟。NOR FLASH 廠商旺宏與華邦電單季營收增長主要受益于無線藍(lán)牙耳機滲透率持續(xù)擴大。

據(jù)分析,若以蘋果耳機年銷售量約 4,000 萬套并搭載 256Mb NOR Flash 計算,AirPods 產(chǎn)品線的 NOR Flash用量占全球年產(chǎn)值的 3~5%。另一方面,非蘋陣營因訴求性價比,搭載 NOR Flash 容量略低于蘋果 AirPod 但數(shù)量驚人,對 NOR Flash 需求大幅提升。

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