日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

上海新陽表示ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-12-04 15:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,上海新陽在投資者互動平臺上表示,公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內安裝開始調試,ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨。

上海新陽指出,ARF193nm光刻膠是芯片制造進入90nm銅互聯(lián)制程后最重要的主流光刻膠產品,一直是國內空白。公司研發(fā)該款光刻膠意在填補國內空白,實現(xiàn)芯片制造在關鍵工藝技術和材料技術的自主可控。經過近三年的研發(fā),關鍵技術已有重大突破,已從實驗室研發(fā)轉向產業(yè)研發(fā)。

光刻膠技術作為上海新陽核心戰(zhàn)略突破口,上海新陽已經確定在未來5-10年,將集中各種資源,對國內尚屬空白的各類高端半導體光刻膠和光刻膠配套材料進行研發(fā),逐步形成公司第三大核心技術-電子光刻技術。

目前,新引進的技術專家團隊已到位,各品類研發(fā)在正常進行,各項關鍵技術均有突破。其中,KRF光刻膠配套的光刻機已完成廠內安裝開始調試,預計明年上半年開始中試。
責任編輯:wv

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266784
  • 光刻膠
    +關注

    關注

    10

    文章

    357

    瀏覽量

    31871
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標準!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代,不僅需要EUV光刻機,更需要EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?7133次閱讀

    臺階儀在集成電路制造中的應用:高端光刻膠材料純化研究進展

    隨著集成電路制程節(jié)點不斷向納米尺度邁進,光刻技術已從紫外全譜(g線、i線)發(fā)展到深紫外(KrF、ArF)乃至極紫外(EUV)光源。光刻膠作為光刻工藝的核心材料,其純度直接影響
    的頭像 發(fā)表于 03-20 18:05 ?174次閱讀
    臺階儀在集成電路制造中的應用:高端<b class='flag-5'>光刻膠</b>材料純化研究進展

    光刻膠涂層如何實現(xiàn)納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠(亦稱光致抗蝕劑)是集成電路制造中的關鍵材料,其純度直接決定光刻圖形的質量與芯片良率。隨著光刻技術向極紫外(EUV,13.5?nm)工藝節(jié)點演進,
    的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?554次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實現(xiàn)納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?2512次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?2035次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    EUV光刻膠材料取得重要進展

    這一突破的核心力量。 ? 然而,EUV光刻的廣泛應用并非坦途,其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷,這對配套光刻膠材料提出了前所未有的嚴苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力,還要在反應機制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準度
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?5132次閱讀

    國產光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    量產到ArF浸沒式驗證,從樹脂國產化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?7585次閱讀

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1321次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導體及微納制造領域,光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?969次閱讀
    金屬低蝕刻率<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液組合物應用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?1092次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關注。同時,光刻圖形的精準
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?973次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質量的關鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用,并
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?1000次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?1083次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產業(yè)國內發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1861次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1563次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量
    于田县| 惠东县| 嵩明县| 铁力市| 七台河市| 南阳市| 永丰县| 百色市| 巩留县| 尼勒克县| 和平县| 延寿县| 玉溪市| 镇原县| 文登市| 林甸县| 永清县| 石柱| 临洮县| 突泉县| 屏山县| 建阳市| 昌江| 沭阳县| 伊宁县| 广丰县| 康平县| 寿宁县| 四子王旗| 邵阳县| 荥经县| 枣庄市| 改则县| 重庆市| 江孜县| 土默特左旗| 九江市| 安远县| 沙坪坝区| 霍州市| 兴宁市|