日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

正式落戶西安!中德第三代半導(dǎo)體材料項目舉行簽約

汽車玩家 ? 來源:集微網(wǎng) ? 作者:圖圖 ? 2019-12-17 11:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

12月16日,西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項目集中簽約儀式。中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個項目簽約落戶西安涇河新城。

圖片來源:西咸新區(qū)

據(jù)西咸新區(qū)官方消息,中德第三代半導(dǎo)體材料項目是由留德人員發(fā)起,聯(lián)合歐盟第三代半導(dǎo)體實(shí)驗室和西北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院、南京大學(xué)微電子學(xué)院、西安電子科技大學(xué)等國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和知名專家,研發(fā)團(tuán)隊的技術(shù)水平為國際領(lǐng)先,可以較高成功率穩(wěn)定產(chǎn)出4英寸和6英寸SiC單晶晶圓,未來該技術(shù)發(fā)展方向為大尺寸SiC單晶制備生產(chǎn)批量成熟技術(shù)和前沿半導(dǎo)體技術(shù)。該成果可廣泛應(yīng)用于新能源車、太陽能風(fēng)能、電力電子、高鐵、電源、雷達(dá)、5G通信、航空航天、機(jī)器人等高精尖領(lǐng)域。

在國家發(fā)展改革委公布的第一批國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群名單,西安市集成電路產(chǎn)業(yè)集群入列。據(jù)西安日報此前報道,目前,西安市集成電路產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入國家“第一梯隊”,擁有設(shè)計、晶圓制造、封裝、測試完整的產(chǎn)業(yè)鏈。在西安2019年《政府工作報告》中,今年重點(diǎn)工作任務(wù)包括實(shí)施集成電路等重大產(chǎn)業(yè)化工程,集中力量突破關(guān)鍵核心技術(shù),推進(jìn)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,聚力構(gòu)建具有競爭力的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266789
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3874

    瀏覽量

    70202
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導(dǎo)體的“雙雄對決”

    以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體,正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率,逐步取代傳統(tǒng)硅器件,成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而,兩者雖同屬寬禁帶半導(dǎo)體,卻在材料
    的頭像 發(fā)表于 04-28 14:44 ?894次閱讀
    碳化硅 VS 氮化鎵:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的“雙雄對決”

    高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動態(tài)測試中的精準(zhǔn)測量

    高頻交直流電流探頭克服磁飽和問題,實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),適用于第三代半導(dǎo)體動態(tài)測試,提升電流測量精度與效率。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:56 ?223次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1146次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?585次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?409次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?802次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1589次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?1056次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1080次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?929次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1743次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2902次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1102次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
    台南市| 独山县| 瑞安市| 北川| 佛学| 淅川县| 孝义市| 札达县| 鄂州市| 逊克县| 通州区| 玛沁县| 曲阜市| 浦北县| 烟台市| 申扎县| 囊谦县| 甘肃省| 本溪| 石嘴山市| 都昌县| 江永县| 沂源县| 克拉玛依市| 收藏| 五台县| 孟村| 清远市| 长兴县| 襄城县| 石景山区| 永胜县| 平度市| 连州市| 罗城| 土默特左旗| 巴彦淖尔市| 云龙县| 色达县| 嘉禾县| 来凤县|