東芝開(kāi)發(fā)新型閃存，半圓形存儲(chǔ)單元可進(jìn)一步提高容量
（文章來(lái)源：IT之家）
鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)宣布開(kāi)發(fā)出創(chuàng)新的儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲(chǔ)單元的柵電極分割為半圓形來(lái)縮小單元尺寸以實(shí)現(xiàn)高集成化。
據(jù)介紹，新的單元的設(shè)計(jì)中采用浮柵電荷存儲(chǔ)層(Floating Gate)代替電荷陷阱型電荷存儲(chǔ)層(Charge Trap)，尺寸也比傳統(tǒng)的圓形單元更小。鎧俠已率先在此單元設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高寫(xiě)入斜率和寬寫(xiě)入/擦除窗口。同時(shí)，鎧俠也證明這種新的單元結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于進(jìn)一步提高容量的超多值存儲(chǔ)單元中。鎧俠于12月11日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表了上述成果。
鎧俠表示，諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過(guò)增加單元的堆棧層數(shù)以實(shí)現(xiàn)大容量。但是，隨著單元的堆棧層數(shù)超過(guò)100層，高縱寬比的加工越來(lái)越困難。為了解決這一問(wèn)題，鎧俠在新的單元結(jié)構(gòu)中將常規(guī)圓形單元的柵電極分割為半圓形以減小單元尺寸，并且可以通過(guò)較少的單元堆疊層數(shù)實(shí)現(xiàn)更高的位密度。
據(jù)悉，東芝存儲(chǔ)個(gè)人零售產(chǎn)品將從2020年4月以鎧俠新形象問(wèn)世，東芝存儲(chǔ)企業(yè)級(jí)產(chǎn)品現(xiàn)已從2019年10月更名為鎧俠正式運(yùn)營(yíng)。
（責(zé)任編輯：fqj）
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