NAND閃存無(wú)疑是當(dāng)下乃至未來(lái)最主流的存儲(chǔ)技術(shù)，但也有不少新的存儲(chǔ)技術(shù)在探索和推進(jìn)，Intel 3D XPoint（傲騰）就是典型代表（曾與美光合作研發(fā)如今已分手），產(chǎn)品也是多點(diǎn)開(kāi)花，Intel對(duì)它頗為倚重。

不過(guò)，鎧俠（Kioxia/原東芝存儲(chǔ)）對(duì)于Intel傲騰技術(shù)卻有些不屑一顧，認(rèn)為還是應(yīng)該堅(jiān)持走NAND路線(xiàn)，尤其是自家新研發(fā)的XL-Flash技術(shù)更有前景。

Intel 3D XPoint存儲(chǔ)使用相變材料來(lái)調(diào)節(jié)存儲(chǔ)單元的電阻，再通過(guò)電子選擇器開(kāi)關(guān)來(lái)訪問(wèn)，通過(guò)交替改變字線(xiàn)和位線(xiàn)的方向保比特位可尋址特性。如果需要堆疊更多層數(shù)，就需要增加額外的字線(xiàn)和位線(xiàn)，以及其間的單元。

鎧俠認(rèn)為，3D XPoint傲騰這種存儲(chǔ)技術(shù)存在很多缺陷，尤其是仍然局限于單層，而相比于在每一層內(nèi)增加比特位，增加層數(shù)會(huì)導(dǎo)致復(fù)雜性、成本急劇增加，控制電路也會(huì)損失一部分面積，并嚴(yán)重影響產(chǎn)能。

相比之下，3D NAND閃存技術(shù)要成熟得多，蝕刻和填充步驟可以一次覆蓋多層，目前已有大量的90多層產(chǎn)品已上市，100多層的也就在不遠(yuǎn)處，這是一種行之有效的思路，面積上的損失幾乎為零，產(chǎn)能影響也很小。

另外，3D NAND的成本會(huì)隨著層數(shù)的不斷增加而持續(xù)降低，盡管會(huì)越來(lái)越不明顯，但是3D XPoint技術(shù)在堆疊到四五層后，成本反而會(huì)迅速增加，失去擴(kuò)展性。

當(dāng)然，鎧俠的這一番言論目的還是推銷(xiāo)自家的XL-Flash，去年8月份才剛剛提出，將在今年大規(guī)模量產(chǎn)。

這種技術(shù)介于傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND Flash閃存之間，可以理解為一種采用3D立體封裝、延遲超低的SLC閃存，單Die容量128Gb，支持兩個(gè)、四個(gè)、八個(gè)Die整合封裝，單顆容量最大128GB，而且分成了多達(dá)16層，延遲不超過(guò)5微秒。

對(duì)于這樣的說(shuō)法，Intel肯定不會(huì)同意。事實(shí)上，Intel一直在并行發(fā)展3D NAND、3D XPoint，前者已經(jīng)量產(chǎn)96層QLC，明年還會(huì)有144層QLC，后者也準(zhǔn)備好了擴(kuò)展到雙層，未來(lái)還有四層、八層。

Intel還已透露，下代傲騰產(chǎn)品“Aerospike”預(yù)計(jì)可以做到130萬(wàn)左右的超高IOPS，是現(xiàn)在傲騰SSD DC P4800X的大約三倍，更是NAND閃存硬盤(pán)的四倍多，同時(shí)失敗率極低，只有NAND閃存的大約50分之一，而作為拿手好戲的延遲更是一騎絕塵。

此外針對(duì)3D NAND閃存，Intel、鎧俠等都在研究5個(gè)比特位的PLC。

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